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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

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学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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应用于X波段的0.8 m栅长AlGaN/GaN HEMT功率器件

应用于X波段的0.8 m栅长AlGaN/GaN HEMT功率器件

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘果果郑英奎刘新宇魏珂和致经中国科学院微电子研究所北京100029

报道了在蓝宝石衬底上采用MOCVD外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构,实现了栅宽为1.2 mm的微波功率管.其栅长为0.8 μ m,采用光学光刻技术实现,在工艺过程中,引入了源场板的结构.测试表明,该器件输出电流密度达到0.9 A/mm,跨导250 mS/mm,击... 详细信息

报道了在蓝宝石衬底上采用MOCVD外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构,实现了栅宽为1.2 mm的微波功率管.其栅长为0.8 μ m,采用光学光刻技术实现,在工艺过程中,引入了源场板的结构.测试表明,该器件输出电流密度达到0.9 A/mm,跨导250 mS/mm,击穿电压大于100V,截止频率(fT)达到24GHz,最大振荡频率(fmax)为30 GHz,在X波段,8GHz下,连续波测试得到功率增益5dB,输出功率达4W,连续工作30分钟后,输出功率下降0.1dBm。

关键词：氮化镓材料高电子迁移率晶体管微波功率器件光学光刻 MOCVD 外延生长

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MOCVD方法制备高Al组分AlGaN

MOCVD方法制备高Al组分AlGaN

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王晓燕王晓亮胡国新王保柱李建平肖红领王军喜曾一平李晋闽中国科学院半导体研究所北京100083

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了铝镓氮(AlGaN)薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫描电子显微镜表征AlGaN外延层的表... 详细信息

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上外延生长了铝镓氮(AlGaN)薄膜.采用透射谱的方法确定AlGaN外延层的带隙,采用X光双晶衍射(DCXRD)的ω扫描摇摆曲线表征AlGaN外延层晶体质量,采用扫描电子显微镜表征AlGaN外延层的表面形貌.对生长压力为100Torr和50Torr的两个样品的光学性质、晶体质量及表面形貌进行了对比.

关键词： MOCVD 铝镓氮薄膜透射谱 SEM 金属有机物化学气相沉积外延生长晶体质量

来源：评论

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HVPE外延GaN厚膜及其光学性能研究

HVPE外延GaN厚膜及其光学性能研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：魏同波马平段瑞飞王军喜刘喆王晓亮曾一平李晋闽中科院半导体研究所北京100083

采用HVPE技术在MOCVD生长的GaN模版上外延了高质量的GaN厚膜,通过XRD和SEM发现,随着GaN膜增厚,外延层的晶体质量变好,260μm厚膜的摇摆曲线的半高宽仅有141arcsec,腐蚀坑密度5×106cm-2.利用低温PL谱、CL谱研究了GaN厚膜的光学性能... 详细信息

采用HVPE技术在MOCVD生长的GaN模版上外延了高质量的GaN厚膜,通过XRD和SEM发现,随着GaN膜增厚,外延层的晶体质量变好,260μm厚膜的摇摆曲线的半高宽仅有141arcsec,腐蚀坑密度5×106cm-2.利用低温PL谱、CL谱研究了GaN厚膜的光学性能,结果发现,低温下具有尖锐的带边峰,半高宽仅10meV,黄光带低温下很弱,室温下则接近带边强度,GaN表面的Ⅴ型缺陷区具有强的发光,主要是峰位3.289eV的强发射造成的,缺陷区的黄光峰则明显弱于平整区.

关键词： GaN薄膜 HVPE 光致发光阴极荧光谱 Ⅴ型缺陷 MOCVD生长晶体质量

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非有意掺杂高迁移率GaN材料MOCVD生长研究

非有意掺杂高迁移率GaN材料MOCVD生长研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：胡国新王晓亮王翠梅肖红领冉军学李建平中国科学院半导体研究所材料中心北京100083

本文用MOCVD技术生长了非有意掺杂高迁移率GaN外延材料,研究并讨论了非有意掺杂GaN材料获得高电子迁移率的形成机理,给出了非有意掺杂GaN材料的电子迁移率随生长压力的变化关系,通过XRD测试,发现了迁移率同位错之间的紧密联系.在其它生... 详细信息

本文用MOCVD技术生长了非有意掺杂高迁移率GaN外延材料,研究并讨论了非有意掺杂GaN材料获得高电子迁移率的形成机理,给出了非有意掺杂GaN材料的电子迁移率随生长压力的变化关系,通过XRD测试,发现了迁移率同位错之间的紧密联系.在其它生长条件相同的情况下,迁移率随着生长室压力的升高而升高,X射线摇摆曲线半峰宽(10(1)2)随着迁移率的升高而降低,而本文认为刃位错密度的降低是影响GaN材料迁移率升高的主要因素.

关键词：高电子迁移率氮化镓材料 MOCVD生长刃位错密度

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低温SiGe异质结构的热处理行为

低温SiGe异质结构的热处理行为

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：马通达屠海令成步文冯泉林邵贝羚刘安生北京有色金属研究总院北京100088 中国科学院半导体研究所北京100083

本文利用超高真空化学气相沉积法(UHVCVD)在Si衬底上生长了具有低温SiGe层的SiGe/Si异质结构(低温SiGe异质结构,LT-SiGe),对此结构的热处理行为进行了研究.低温SiGe层的引入使生长态的LT-SiGe发生了部分应变弛豫.热处理使LT-SiGe表层发... 详细信息

本文利用超高真空化学气相沉积法(UHVCVD)在Si衬底上生长了具有低温SiGe层的SiGe/Si异质结构(低温SiGe异质结构,LT-SiGe),对此结构的热处理行为进行了研究.低温SiGe层的引入使生长态的LT-SiGe发生了部分应变弛豫.热处理使LT-SiGe表层发生氧化和Ge原子的扩散,并导致经750℃ 5分钟热处理的LT-SiGe样品的高分辨X射线衍射峰发生异常移动.低温SiGe层将位错限制在SiGe层下界面附近,从而降低了SiGe层中的穿透位错密度.

关键词：低温生长应变弛豫热处理热稳定性超高真空化学气相沉积法

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应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化

应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：薛春来时文华成步文姚飞王启明中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京100083

高频大功率HBT作为无线和射频通讯PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定高的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.本文模... 详细信息

高频大功率HBT作为无线和射频通讯PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定高的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.本文模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度,厚度,基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.

关键词： SiGe HBT 高频大功率最大单边功率增益功率增加效率

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利用δAl/AlN做缓冲层在Si(111)上生长GaN

利用δAl/AlN做缓冲层在Si(111)上生长GaN

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：郭伦春王晓亮胡国新肖红领冉军学王翠梅李建平罗卫军李晋闽中国科学院半导体研究所北京100083

采用MOCVD生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.试验结果表明,在加入δ Al/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.本文通过MO... 详细信息

采用MOCVD生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.试验结果表明,在加入δ Al/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的降低,晶体质量也得到了明显的提高.本文通过MOCVD生长方法,光学显微镜、XRD、Raman等分析测试手段,研究了δAl/AlN缓冲层对GaN外延层的影响,获得了裂纹密度小,晶体质量高的GaN材料.

关键词： GaN薄膜 MOCVD生长 AlN缓冲层晶体质量

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溅射压强对直流磁控溅射ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

溅射压强对直流磁控溅射ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：马全宝朱丽萍叶志镇何海平王敬蕊赵炳辉浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

本文通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明薄膜的形貌... 详细信息

本文通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积薄膜的最低电阻率可达4.48×10-4 Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90％.

关键词：透明导电氧化物薄膜磁控溅射光电特性 X射线衍射

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高可靠性16×16 SOI热光开关阵列

高可靠性16×16 SOI热光开关阵列

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李运涛陈少武余金中中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

文章在分析加热器对热光开关阵列可靠性的影响的基础上提出了一种新的热光开关阵列控制和驱动电路.分析表明,在假设加热器失效率为5％的情况下,新控制和驱动电路可以使16×16SOI热光开关阵列的可靠性从34.99％提高到92.30％.同时,... 详细信息

文章在分析加热器对热光开关阵列可靠性的影响的基础上提出了一种新的热光开关阵列控制和驱动电路.分析表明,在假设加热器失效率为5％的情况下,新控制和驱动电路可以使16×16SOI热光开关阵列的可靠性从34.99％提高到92.30％.同时,采用引入控制信号预处理模式,使封装后的热光开关阵列输入输出端口数从34个减少到10个.在采用新的控制和驱动电路基础上,研制出高可靠性的16×16SOI热光开关阵列.

关键词：热光开关阵列驱动电路可靠性加热器

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基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器

基于AlN压电层的薄膜体声波谐振器

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：胡光张凯叶芸吴雯刘婵顾豪爽湖北大学物理学与电子技术学院铁电压电材料与器件湖北省重点实验室武汉430062

以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪... 详细信息

以AlN薄膜为压电层,采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型结构薄膜体声波谐振器.材料测试结果表明,在优化溅射工艺下沉积的AlN薄膜具有(002)择优取向及良好的柱状晶结构.扫描电镜表征证实所制得空腔背部平滑且各向异性较好.用网络分析仪测试可知,最终所值得的谐振器具有较好的频率特性:谐振频率为2.537GHz,机电耦合系数3.75％,串、并联品质因数分别为101.8、79.7.

关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝择优取向空腔 AlN薄膜

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