检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议"

共 964 条记录，以下是561-570 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的结构制备及性能研究

Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的结构制备及性能研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：马志勇王晓亮胡国新肖红领王翠梅冉军学李建平中国科学院半导体研究所北京100083

用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究,测试结果... 详细信息

用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究,测试结果表明该材科具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射峰的半高宽为4.56 arcmin,AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(O)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量.

关键词： AlGaN/AlN/GaN材料化合物半导体材料 Penedll条纹金属有机物化学气相沉积高电子迁移率晶体管结构材料异质结

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用于产生微波信号的分布反馈激光器与Y形波导单片集成器的研究

用于产生微波信号的分布反馈激光器与Y形波导单片集成器的研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王路谢红云赵玲娟潘教青周帆边静王鲁峰朱洪亮王圩中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083

本文设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(Distributed Feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB激光器之上时,从Y形波导端输出光波... 详细信息

本文设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(Distributed Feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB激光器之上时,从Y形波导端输出光波长在1565 nm附近,边模抑制比(Side Mode Suppression Ratio,SMSR)大于30 dB.当大于阈值且相差大于20 mA的两个电流同时加载到两段DFB激光器上时,从Y形波导端输出的光谱具有双模分布,双模频率的差值可以拍频产生微波频段的信号.通过调节两段DFB的注入电流,微波信号的频率可以在13GHz至42GHz之间快速连续调谐.这种基于Y形波导的两段DFB并联的拍频光源比较传统的双段级联DFB器件有较好的光学和电学隔离,可以作为光学拍频源的一种新的实现方法.

关键词：分布反馈激光器微波信号集成器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si上Si1-xGex:C缓冲层的载流子分布

Si上Si1-xGex:C缓冲层的载流子分布

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：夏冬梅顾书林施毅张荣郑有炓王荣华王琦韩平梅琴陈刚谢自力修向前朱顺明南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室南京210093 南京电子器件研究所重点实验室南京210016

本文用化学气相淀积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升... 详细信息

本文用化学气相淀积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.

关键词：化学气相淀积载流子导电分布特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响

生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王晓峰段垚崔军朋曾一平中国科学院半导体研究所材料中心北京100083

本文利用金属蒸气作为气源的气相外延技术(MVPE)直接在c-面兰宝石衬底上外延生长ZnO膜.研究了生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响.实验结果表明,在低的生长温度(610℃)下,ZnO膜以(114)晶向择优生长;在较高的生长温度下,得到了以(0... 详细信息

本文利用金属蒸气作为气源的气相外延技术(MVPE)直接在c-面兰宝石衬底上外延生长ZnO膜.研究了生长温度对ZnO膜结构性质和表面形貌的影响.实验结果表明,在低的生长温度(610℃)下,ZnO膜以(114)晶向择优生长;在较高的生长温度下,得到了以(002)晶向择优生长的ZnO膜;在638℃得到了单晶ZnO膜,DCXRD摇摆曲线的半高宽为1200 arcsec.随着生长温度的升高,样品表面有大的晶粒形成,变得粗糙.通过进一步地优化生长工艺,利用该MVPE生长技术能得到快速生长的ZnO单晶厚膜,用于ZnO和GaN外延生长的衬底材料.

关键词： ZnO 生长温度气相外延技术表面形貌

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

不同晶面蓝宝石和氧源对氧化锌薄膜生长的影响

不同晶面蓝宝石和氧源对氧化锌薄膜生长的影响

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张攀峰魏鸿源范海波丛光伟杨少延刘祥林朱勤生中国科学院半导体研究所材料开放实验室北京100083

本文在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了r面蓝宝石的表面能比c面的小,更有利于增原子的迁移,从而实现ZnO的二维生长.... 详细信息

本文在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了r面蓝宝石的表面能比c面的小,更有利于增原子的迁移,从而实现ZnO的二维生长.发现甲醇作为氧源生长的薄膜晶体质量跟氧气作为氧源的相比有较大提高,这可能源于预反应的减弱和甲醇的表面活化作用.在r面蓝宝石上用甲醇作为氧源生长出了表面平整的ZnO单晶薄膜,其(10-12)面的非对称衍射的摇摆曲线半高宽仅0.10度.

关键词：蓝宝石甲醇 XRD SEM 氧化锌薄膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

非掺杂LEC砷化镓抛光晶片表面缺陷及晶体缺陷研究

非掺杂LEC砷化镓抛光晶片表面缺陷及晶体缺陷研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：朱蓉辉曾一平卜俊鹏惠峰郑红军赵冀高永亮中国科学院半导体研究所材料中心北京100083

人们对于砷化镓晶体中存在的各种微缺陷研究已经有很长的时间了,以往通常都是主要利用电子显微镜,透射电镜,扫描电镜、X射线异常投射形貌技术以及X射线能量散射谱仪等着重微区分析的手段分析样品,主要集中在微小区域里,观察和分析视场... 详细信息

人们对于砷化镓晶体中存在的各种微缺陷研究已经有很长的时间了,以往通常都是主要利用电子显微镜,透射电镜,扫描电镜、X射线异常投射形貌技术以及X射线能量散射谱仪等着重微区分析的手段分析样品,主要集中在微小区域里,观察和分析视场中发现的物体成分和尺寸等特征,而作者通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非参杂LEC半绝缘砷化镓晶片100抛光片意外发现一种源自晶体的微缺陷,并通过定性试验断定为砷沉淀腐蚀后显示的腐蚀坑,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法。

关键词：砷化镓LEC 砷沉淀微缺陷抛光晶片晶体缺陷光散射

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

金属源化学气相外延法在c面蓝宝石上生长的ZnO膜及其表征

金属源化学气相外延法在c面蓝宝石上生长的ZnO膜及其表征

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：段垚王晓峰崔军朋曾一平中国科学院半导体研究所材料中心北京100083

本文利用Zn蒸气和H2O蒸气在高温下反应成功地在(0002)面蓝宝石衬底上沉积了厚达7-11 μm的高质量ZnO外延层,并发现利用预先由MOCVD低温生长的ZnO模板有助于改善外延层的结晶质量和形貌.XRD分析表明在ZnO模板上生长的ZnO膜消除了杂乱晶向... 详细信息

本文利用Zn蒸气和H2O蒸气在高温下反应成功地在(0002)面蓝宝石衬底上沉积了厚达7-11 μm的高质量ZnO外延层,并发现利用预先由MOCVD低温生长的ZnO模板有助于改善外延层的结晶质量和形貌.XRD分析表明在ZnO模板上生长的ZnO膜消除了杂乱晶向,而且(0002)晶面的双晶X射线衍射摇摆曲线半高宽从2687 arcsec降低至295 arcsec.光学显微镜和扫描电镜(SEM)观察发现直接生长的样品表面呈岛状,粗糙度很大;使用模板后得到相对平坦的具有六角结构的表面.但模板对电学性质的影响仍然不太确定.

关键词： ZnO 气相外延 Zn蒸气 X射线衍射扫描电镜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半绝缘InP长单晶生长研究

半绝缘InP长单晶生长研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙聂枫毛陆虹郭维廉周晓龙杨瑞霞张伟玉孙同年河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室石家庄050051 天津大学电子信息工程学院天津300072 天津大学电子信息工程学院天津300072 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室石家庄050051 河北工业大学信息工程学院天津300130 天津农学院机电工程系天津300384

本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50 mm,长190 mm,直径80-... 详细信息

本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50 mm,长190 mm,直径80-100 mm,长150 mm的半绝缘磷化铟单晶。

关键词： InP单晶孪晶高压液封直拉法坩埚随动半绝缘磷化铟

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

双能态Cr+离子注入法制备GaCrN铁磁性薄膜

双能态Cr+离子注入法制备GaCrN铁磁性薄膜

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：姜丽娟王晓亮刘超肖红领王翠梅冉军学胡国新李建平中国科学院半导体研究所材料中心北京100083

GaN基稀磁半导体材料是近年来在自旋电子学领域中受到了广泛关注的研究热点.本文介绍了我们用双能态Cr+离子注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+离子,得到了厚度约200nm... 详细信息

GaN基稀磁半导体材料是近年来在自旋电子学领域中受到了广泛关注的研究热点.本文介绍了我们用双能态Cr+离子注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+离子,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD、SQUID和Hall法对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析.实验发现:GaCrN薄膜样品的饱和磁化强度与其初始载流子浓度的大小有关,n型和p型GaN样品注入Cr+离子后形成GaGrN薄膜的饱和磁化强度均显著大于非有意掺杂的样品.

关键词：稀磁半导体材料 GaCrN薄膜离子注入法铁磁半导体铁磁性薄膜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

立方相ZnMgO的电学特性研究

立方相ZnMgO的电学特性研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：金国芬梁军吴惠桢劳燕锋余萍徐天宁浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得C-ZnMgO材料的介电常数为10.5... 详细信息

立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1MHz到8MHz频率范围内,介电常数由10.7降到6.4.测试MIS结构的I-V特性曲线,对漏电流产生原因进行讨论与分析。

关键词： ZnMgO合金薄膜立方相宽带隙半导体材料漏电性能电学性能 ZnMgO纳米薄膜 MIS结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共97页 << < 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：