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- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 软件工程
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3 篇 经济学
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
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- 1 篇 管理科学与工程(可...

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49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
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23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
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19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

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43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

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61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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962 篇 中文
2 篇 英文

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n型与p型ZnO基稀磁半导体薄膜的制备与磁性研究

n型与p型ZnO基稀磁半导体薄膜的制备与磁性研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈之战施尔畏刘学超张华伟宋力昕中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100049

ZnO基稀磁半导体是近年来发展起来的新型功能材料,是当前研究的热门课题.本文采用磁束缚电感耦合等离子体溅射沉积法制备了不同导电类型的ZnO:Co和ZnO:Mn薄膜,着重研究了其磁性和电学性能.测试结果表明,Co2+和Mn2+取代Zn2+并未改变ZnO... 详细信息

ZnO基稀磁半导体是近年来发展起来的新型功能材料,是当前研究的热门课题.本文采用磁束缚电感耦合等离子体溅射沉积法制备了不同导电类型的ZnO:Co和ZnO:Mn薄膜,着重研究了其磁性和电学性能.测试结果表明,Co2+和Mn2+取代Zn2+并未改变ZnO的六方纤锌矿结构,n型ZnO:Co和p型ZnO:Mn薄膜都表现出室温的铁磁性,n型ZnO:Mn薄膜表现为顺磁性特征.n型和p型ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备为自旋电子器件的研发提供了必要的材料支撑。

关键词： ZnO薄膜稀磁半导体薄膜铁磁性能电感耦合等离子体溅射沉积电学性能纤锌矿结构

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AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能研究

AlGaN/AlN/GaN肖特基二极管的电学性能研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王新华马志勇胡国新曾一平李晋闽王晓亮肖红领王翠梅冉军学罗卫军王保柱冯春杨翠柏中国科学院半导体研究所北京100083

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和***/Ti/Au,都是采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面的欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4... 详细信息

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和***/Ti/Au,都是采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面的欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω.Cm-2,器件的电流-电压(I-V)测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向I-V特性,计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV、4.83.将器件在300℃中温退火,发现器件的电学性能有所改善。

关键词： AlGaN/AlN/GaN异质结肖特基二极管势垒高度金属有机化学气相淀积肖特基接触欧姆接触电学性能

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室温连续激射1.59 m GaInNAsSb量子阱激光器

室温连续激射1.59 m GaInNAsSb量子阱激光器

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杜云赵欢倪海桥张石勇韩勤徐应强牛智川吴荣汉中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京市100083

本文研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.量子阱生长时采用的生长速率、S... 详细信息

本文研究了原位和非原位退火对分子束外延生长的GaInNAsSb/GaNAs/GaAs量子阱激光器的作用.通过快速热退火量子阱质量得到很大提高,这一方法还很少被应用于激光器的制作,特别是波长在1.55μm波段的激光器.量子阱生长时采用的生长速率、Sb诱导等,将量子阱激光器发光波长拓展到1.59微米,并制作了脊型波导FP腔GaInNAsSb单阱激光器,成功实现室温连续激射,激射波长达到1.59μm,阈值电流为2.6kA/cm2.这是国际上首次实现GaAs基1.55μm以上波长室温连续激射激光器.

关键词：分子束外延生长快速热退火量子阱激光器 GaInNAsSb GaNAs

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生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响

生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王保柱刘宏新李晋闽王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王翠梅冉军学王军喜中国科学院半导体研究所北京100083

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜.研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InalGaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量... 详细信息

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜.研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InalGaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高的温度下(600℃和590℃)生长的InAlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起.

关键词： RF-MBE外延铟铝镓氮薄膜射频等离子体分子束外延生长温度

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MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层研究

MBE生长高电阻率GaAs基InAlAs组分渐变缓冲层研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：高宏玲王宝强朱战平李成基段瑞飞曾一平中科院半导体研究所材料中心北京100083

研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面平整度为1.79 nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率为... 详细信息

研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面平整度为1.79 nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率为ρ=2.6×104Ω·cm.电学性能测试表明200 V电压间距1 mm时,漏电流仅为0.3μA.高分辨X射线测试显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温度HALL测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.

关键词： MBE 渐变缓冲层 MMHEMT 高分辨X射线衍射分子束外延 GaAs基 InAlAs组分

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带边工作的光子晶体平板的设计与制作

带边工作的光子晶体平板的设计与制作

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：唐海侠王启明中国科学院半导体研究所光电子研发中心北京100083

光子晶体的带边群速度反常特性可以用于放大一些光学过程,从而在光电子学领域中具有广泛的应用前景.本文以SOI材料为例,利用3D PWE法对带边工作的光子晶体结构参数进行设计,采用电子束曝光和ICP刻蚀方法结合在SOI衬底的顶层Si上刻蚀三... 详细信息

光子晶体的带边群速度反常特性可以用于放大一些光学过程,从而在光电子学领域中具有广泛的应用前景.本文以SOI材料为例,利用3D PWE法对带边工作的光子晶体结构参数进行设计,采用电子束曝光和ICP刻蚀方法结合在SOI衬底的顶层Si上刻蚀三角晶格的空气孔形成光子晶体结构.并通过透射特性测量得到了带边的位置,发现与设计值存在一定的偏差,主要是实际制作的空气孔尺寸比设计值大的缘故.通过在同一样品上制作一组晶格常数相同,孔半径不同的光子晶体结构,得到了带边位置位于1548nm波长的光子晶体,这与设计的1550nm基本相符.

关键词：光子晶体平板 SOI 光子带隙群速度 ICP刻蚀

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MOCVD外延InN薄膜中立方相的研究

MOCVD外延InN薄膜中立方相的研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王辉黄勇王莉莉孙苋王海王玉田杨辉贾全杰中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院高能物理研究所北京100039

本文采用同步辐射XRD方法研究了不同温度下蓝宝石(0001)衬底上MOCVD异质外延六方相InN(h-InN)薄膜中立方相InN(c-InN)的相对含量的变化.实验中发现InN外延薄膜中c-InN的含量对生长温度具有强烈的依赖关系,即400℃生长的InN外延薄膜以c-... 详细信息

本文采用同步辐射XRD方法研究了不同温度下蓝宝石(0001)衬底上MOCVD异质外延六方相InN(h-InN)薄膜中立方相InN(c-InN)的相对含量的变化.实验中发现InN外延薄膜中c-InN的含量对生长温度具有强烈的依赖关系,即400℃生长的InN外延薄膜以c-InN为主,随着生长温度的升高,c-InN的相对含量不断减少.通过测量立方相含量随薄膜厚度的变化发现,500℃时c-InN主要出现在生长初期.根据XRD确定了这两种结构相之间及其与蓝宝石衬底之间的外延取向关系为:c-InN(111)//h-InN(0001)//蓝宝石(0001)与c-InN<110>//h-InN<11-20>//蓝宝石<10-10>.

关键词： InN薄膜金属有机物化学气相沉积立方相同步辐射X射线衍射外延取向

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P型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析

P型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王彦杰胡晓东杨子文廖辉胡成余潘尧波杨志坚张蓓张国义北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院100871

本文运用传输线方法(TLM)测量了P型GaN的合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和P型GaN接触处的电流密度与电压(j-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对P型GaN的Ni/Au合金电极的I-V... 详细信息

本文运用传输线方法(TLM)测量了P型GaN的合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和P型GaN接触处的电流密度与电压(j-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对P型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41ev,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-EV=0.15eV.这些结果与理论值和其它实验结果符合得很好。

关键词： p型GaN材料传输线法镜像力 Ni/Au合金电极电流电压接触电阻率能带结构

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两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：林玲徐安怀孙晓玮齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料... 详细信息

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8GHz和10GHz.

关键词：异质结双极晶体管直流特性高速固态器件 Medici软件

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垂直电极结构GaN基发光二极管的研制

垂直电极结构GaN基发光二极管的研制

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：康香宁包魁陈志忠徐科章蓓于彤军聂瑞娟张国义北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京100871

利用激光剥离技术(LLO)和晶片键和技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰... 详细信息

利用激光剥离技术(LLO)和晶片键和技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的和合金化键和过程解决了GaN材料与Si衬底的结合,结合逐个芯片剥离和键和的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.

关键词：氮化镓发光二极管激光剥离金属合金键和垂直电极 GaN量子阱光学性质

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