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931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
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- 6 篇 化学工程与技术
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- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 冶金工程
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- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
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23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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962 篇 中文
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闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和GaAs上的分子束外延生长、结构及磁性

闪锌矿结构CrAs薄膜在不同过渡层InGaAs和GaAs上的分子束外延生长...

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：毕京锋赵建华邓加军郑玉宏王玮竹李树深中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 中国科技大学物理系安徽合肥230026 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083

利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上... 详细信息

利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400 K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同的缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.

关键词：半金属室温铁磁性分子束外延 CrAs薄膜闪锌矿结构超导量子干涉仪

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硅基异质结N-SiOxNy/N-Si二极管的IV特性分析

硅基异质结N-SiOxNy/N-Si二极管的IV特性分析

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：许铭真谭长华北京大学微电子研究所 100871

N-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽隙带(Eg=9eV)N-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,N-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数ln(t)随着应力电压、应力环... 详细信息

N-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽隙带(Eg=9eV)N-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,N-SiOxNy的形成效率显著增加.其形成时间的对数ln(t)随着应力电压、应力环境温度的增加而减小并呈近似的线性关系.N-SiOxNy的中的双施主能级是一种施主型的双缺陷能级,当电应力引导的施主缺陷密度达到1.26×1020 cm-3时,SiOxNy绝缘薄膜呈现N型半导体导电特性.在N-Si或P-Si衬底上形成的硅基异质结N-SiOxNy/N-Si或N-SiOxNy/P-Si二极管的IV特性具有饱和性质,在电压大于1V的电压区,I-V特性可以用1eV势垒的FN隧道机制来描述.当衬底Si的掺杂增加时,势垒高度下降.

关键词：半导体薄膜硅基异质结二极管 FN隧道导电机制

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利用MOCVD无掩模横向外延法制备GaN薄膜

利用MOCVD无掩模横向外延法制备GaN薄膜

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张帷刘彩池郝秋艳冯玉春天津河北工业大学信息功能材料研究所 300130 深圳大学光电研究所广东光电子器件与系统省重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室518060 天津河北工业大学信息功能材料研究所 300130 深圳大学光电研究所广东光电子器件与系统省重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室518060

本文在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD))方法对无掩模横向外延(ELO)GaN薄膜进行了研究.实验中在蓝宝石衬底上用化学腐蚀法刻蚀出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,最终沉积高温GaN,制备出低位错密度的GaN外延层.... 详细信息

本文在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD))方法对无掩模横向外延(ELO)GaN薄膜进行了研究.实验中在蓝宝石衬底上用化学腐蚀法刻蚀出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,最终沉积高温GaN,制备出低位错密度的GaN外延层.文章分析了横向外延沉积的原理,并分别利用x射线衍射,湿法腐蚀以及扫描电子显微镜对外延层进行检测,实验结果证明利用无掩模横向外延技术可以生长出位错密度较低的表面形貌明显提高的GaN薄膜.

关键词： GaN薄膜无掩模横向外延金属有机物气相外延蓝宝石衬底化学腐蚀法位错密度

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InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究

InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙征徐仲英阮学忠姬扬孙宝权倪海桥中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室 100083北京

利用偏振时间分辨光谱和时间分辨kerr旋转谱,我们详细研究了GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为1/3单层的InAs亚单层中电子自旋驰豫寿命长达3.4ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.4... 详细信息

利用偏振时间分辨光谱和时间分辨kerr旋转谱,我们详细研究了GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为1/3单层的InAs亚单层中电子自旋驰豫寿命长达3.4ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层InAs中电子自旋寿命没有显著变化.上述实验说明,低温下,InAs单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋驰豫机制占主导地位.我们可以通过改变材料结构和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋驰豫的目的。

关键词： GaAs InAs单层自旋动力学电子自旋驰豫电子空穴

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氧化对Ni/n-AlGaN透明电极肖特基接触的影响

氧化对Ni/n-AlGaN透明电极肖特基接触的影响

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：桑立雯岑龙斌陈志忠杨志坚秦志新张国义北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院北京100871

在蓝宝石(0001)衬底上,用金属有机气相沉积(MOCVD)方法外延生长AlGaN样品,溅射10nmNi作为透明的肖特基接触,研究了在氧气氛下低温退火对电极透明性和肖特基结的影响.结果表明,由于Ni表面形成的一层薄的NiO,在光波长为314 nm时电极的透... 详细信息

在蓝宝石(0001)衬底上,用金属有机气相沉积(MOCVD)方法外延生长AlGaN样品,溅射10nmNi作为透明的肖特基接触,研究了在氧气氛下低温退火对电极透明性和肖特基结的影响.结果表明,由于Ni表面形成的一层薄的NiO,在光波长为314 nm时电极的透明度比纯金属Ni的透明度提高35.5％.同时,低温退火使得理想因子从2.03减小到1.3,肖特基势垒高度从0.77eV提高到0.954eV.这种方法可以应用于制作高透明性的肖特基型紫外探测器.

关键词： AlGaN透明电极金属Ni 肖特基接触金属有机气相沉积外延生长紫外探测器

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Pb1-xMnxSe薄膜的光学特性

Pb1-xMnxSe薄膜的光学特性

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王擎雷吴惠桢斯剑霄徐天宁夏明龙谢正生劳燕锋浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

我们用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明Pb1-xMnxSe为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底晶面(111).晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减... 详细信息

我们用分子束外延的方法在BaF2(111)衬底上制备出了高质量的Pb1-xMnxSe(0≤x≤0.0681)薄膜.X射线衍射结果表明Pb1-xMnxSe为立方相NaCl型结构,没有观察到MnSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底晶面(111).晶格常数随着Mn含量的增加逐渐减小,Mn含量由Vegard's公式得到.通过理论模拟Pb1-xMnxSe薄膜的透射光谱,得到了Pb1-xMnxSe合金薄膜的带隙与Mn组分的关系,Pb1-xMnxSe薄膜的带隙宽度由0.28eV(x=0)按e指数形式增加到0.49eV(x=0.0681),我们还获得了Pb1-xMnxSe薄膜在波长为4～9.5 μm间的折射率.

关键词： Pb1-xMnxSe外延薄膜透射光谱带隙折射率分子束外延光学特性

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用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强

用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：包魁章蓓代涛康香宁陈志忠王志敏陈勇北京文学物理学院和宽禁带半导体研究中心微流与纳米技术研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 北京文学物理学院和宽禁带半导体研究中心微流与纳米技术研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 Laboratolre de Photonique et Nonostructu

为进一步提高GaN基发光二极管的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管(LED)提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压印... 详细信息

为进一步提高GaN基发光二极管的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管(LED)提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压印-热硬化性聚合物压印技术,成功地制备出了带有微米级阵列超薄封装结构的LED.结果表明,这种带有微结构阵列LED的输出光强得到了明显增强,1mmx1mm大管芯GaN LED在350mA的直流电注入下的光功率比无微结构的LED提高了60％.这一成功为提高发光二极管的出光强度提供了一个有效的新途径.

关键词： GaN基发光二极管出光效率纳米压印微结构压印倒装焊

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应变对PbSe材料晶格振动的影响

应变对PbSe材料晶格振动的影响

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹春芳吴惠桢徐天宁斯剑霄陈静沈文忠浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 浙江大学物理系固体电子材料物理与器件实验室杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 上海交通大学物理系上海200030

本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,... 详细信息

本文在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的拉曼光谱测量到:位于136-143 cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83-88 cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268-280 cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度不同的明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模拉曼活性的物理原因,我们还比较分析了PbSe体单晶的拉曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出拉曼活性的散射峰.

关键词： PbSe外延薄膜拉曼光谱光学声子晶格失配

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台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响

台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘兴昉曾一平孙国胜李晋闽赵永梅宁瑾王雷赵万顺罗木昌李家业中国科学院半导体研究所材料中心北京100083 中国科学院传感技术国家重点实验室北京100083 中国科学院半导体研究所材料中心北京100083 中国科学院传感技术国家重点实验室北京100083

本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、＃2、＃3和＃4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器＃1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n-层和n+衬底组成,在探测器＃1... 详细信息

本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、＃2、＃3和＃4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器＃1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n-层和n+衬底组成,在探测器＃1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透明Pt层、透明Pt层和p+层、透明Pt层和p+层以及p层制备出探测器＃2、＃3和＃4.器件的紫外光响应谱表明,紫外响应率最好的是探测器＃2,其次是探测器＃4、＃1、＃3,其中探测器＃2比其它类型的探测器响应率高1个数量级;4种类型的探测器峰值响应位置各不相同,其中探测器＃1位于341nm处,探测器＃2、＃3和＃4分别在312nm、305nm和297nm处.

关键词： 4H-SiC 紫外探测器台面结构光窗口

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InP基光信息处理单元功能材料的研究与发展

InP基光信息处理单元功能材料的研究与发展

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王圩中国科学院半导体研究所

在目前的光网络中,网络节点之间的光信息是通过光纤传递的,因而具有巨大的传输容量.然而,在网络节点处的信息交换/路由、信息控制等则依然采用电子技术实现,即进行了所谓的"O-E-O"变换.因此信息传输能力和处理能力之间相差三... 详细信息

在目前的光网络中,网络节点之间的光信息是通过光纤传递的,因而具有巨大的传输容量.然而,在网络节点处的信息交换/路由、信息控制等则依然采用电子技术实现,即进行了所谓的"O-E-O"变换.因此信息传输能力和处理能力之间相差三个量级以上.这种巨大的落差,即"电子瓶颈",极大地限制了光子技术巨大能力的发挥,亦极大地影响了光网络的性能.因此,只有直接在光域上实现对光子携带的比特信息进行处理,如识别、交换/路由、控制等,才能充分发挥光子技术的巨大能力、实现真正意义上的"光网络".这一切将依赖于能在光域内实现最基本比特信息处理功能器件的出现.事实上,二十世纪发展起来的电子比特信息处理技术已经渗透到人们日常生活的方方面面,对人类社会生活有着深刻的影响.显然,如果这些信息处理功能由光比特信息处理器件来完成或部分完成,将会给人类社会生活带来一场深刻的、革命性的变革,其作用就如同晶体管及集成电路技术在20世纪电子工业中的地位和作用.本文探讨，一、研究的背景及意义，二、发展光信息处理技术的途径，三、InP基光信息处理单元功能材料的研究近况，四、近期可开展的工作。

关键词：光网络网络节点光信息交换 InP 功能材料电子比特光信息处理

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