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等电子掺杂外延层对衬底位错的限制作用
等电子掺杂外延层对衬底位错的限制作用
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 刘文杰 工业大学半导体材料研究所
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Φ3″PL-Mapping检测系统的研制与应用
Φ3″PL-Mapping检测系统的研制与应用
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 邓兆杨 周霆 科学院半导体所半导体材料科学实验室
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GaN固体光源的进展
GaN固体光源的进展
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 张万生 赵彦军 电子第十三研究所(石家庄)
本文将结合我们的工作体会,主要对以蓝宝石为衬底的GaN固体光源的进展情况加以综述和介绍,并展望了GaN固体光源的应用前景.
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GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究
GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 王国全 马振昌 集成电路国家级重点实验室 大学光电子国家重点实验室(长春)
该文介绍了GaAs高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理、系统组成。利用该系统对部分GaAs高速电路进行了测试,结果表明,该系统行之有效。
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用于无线通信的GaN微波功率器件
用于无线通信的GaN微波功率器件
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者: 袁明文 专用集成电路国家重点实验室(河北石家庄)
GaN器件已开始步入实用化阶段,具有优越性能的GaN器件的频率范围已从L波段覆盖到Ka波段,将为其在无线通信中的应用展示了极为广阔的前景.
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HBT本征BC结电容的解析模型
HBT本征BC结电容的解析模型
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 严北平 罗晋生 交通大学微电子工程系
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InGaAsP/InP 2x2空分光波导开关
InGaAsP/InP 2x2空分光波导开关
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 石志文 庄婉如 科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室
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低温Si-GSMBE中Si2H6预热温度对Si生长速率的影响
低温Si-GSMBE中Si2H6预热温度对Si生长速率的影响
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 李建平 刘金平 院半导体所材料中心(北京)
该工作研究了采用GSMBE外延Si/SiGe/Si HBT材料中,Si2H6预热温度对低温Si生长速率的影响,结果表明在一很窄的温区内,Si的生长速旱有很大提高。
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采用常压LEC工艺拉制Φ3″非掺SI-GaAs单晶
采用常压LEC工艺拉制Φ3″非掺SI-GaAs单晶
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 徐玉忠 唐发俊 工业部第四十六研究所
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集成电路用GaAs单晶的生长
集成电路用GaAs单晶的生长
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 齐德格 苑进良 工业部第四十六研究所
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