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大功率氮化镓基LED关键技术研究
大功率氮化镓基LED关键技术研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 马龙 伊晓燕 郭金霞 王良臣 王国宏 李晋闽 中国科学院半导体研究所(北京)
本文对大功率氮化镓基LED的关键技术,尤其是大芯片LED的结构设计,P电极的选择与制备,提取效率的提高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论.
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VB-GaAs晶体生长技术中掺硅浓度的控制
VB-GaAs晶体生长技术中掺硅浓度的控制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 牛沈军 常玉璟 丰梅霞 王建利 兰天平 中国电子科技集团公司第四十六研究所
结合VB-GaAs晶体生长工艺、对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了实际的修正因子.针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料.
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利用Molly语言实现MBE系统的复杂控制
利用Molly语言实现MBE系统的复杂控制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孙永伟 徐云 倪海桥 侯识华 宋国峰 陈良惠 中国科学院半导体研究所(北京)
Molly语言是由Veeco开发,可以实现对其MBE系统的复杂控制.本文论述了臬Molly语言实现对Gen-Ⅱ MBE系统的复杂控制,并举例说明了如何让系统自动记录系统的状态,以及如何实现在特定的真空度下对进样室中的衬底预除气.
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去除半导体工艺用水中的硼
去除半导体工艺用水中的硼
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 闻瑞梅 邓守权 郭伟伟 上海同济大学
本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硼条件.EDI进水硼浓度为50ìg/L,最佳出水中硼含量为<1ìg/L... 详细信息
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(100)硅深孔腐蚀与低温掩膜层的选择
(100)硅深孔腐蚀与低温掩膜层的选择
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 罗丽萍 李传波 赵雷 时文华 成步文 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文对EPW腐蚀液中低温掩膜层材料的选择进行了讨论.结果表明,PECVD生长的二氧化硅的可以作为深孔腐蚀的掩膜层,但是侧向腐蚀严重,与铬金组合成双重掩膜层可以解决该问题,掩蔽特性良好.
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带有隔热槽的低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器
带有隔热槽的低功率消耗SOI基热光可变光学衰减器
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 贺月娇 方青 辛红丽 陈鹏 李芳 刘育梁 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心(北京)
制作了带有U形隔热槽的马赫-曾德干涉型SOI热光可变光学衰减器,在1510—1610nm波长范围内动态调节范围可达到0-29dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响,最大功率消耗降低了230mW.
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InP基HEMT的自洽计算模型
InP基HEMT的自洽计算模型
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李东临 曾一平 王军喜 王晓亮 中国科学院半导体所材料中心(北京)
利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和poisson方程的自洽求解,得到器件中2DEG密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓度.并可计算出最佳器件参数.所得结果对器件的设计和参数设定... 详细信息
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2维荷电粒子Wigner晶格的杂质效应
2维荷电粒子Wigner晶格的杂质效应
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 张振中 常凯 中科院半导体所超晶格国家重点实验室(北京)
采用Metropolis Monte Carlo(MC)方法研究了,不同杂质电荷以及高度对2维Wigner晶格的影响.该系统由有限个在抛物限制势场中带电粒子所组成,我们发现对不同粒子数系统,杂质效应会引致的两种不同类型的相变.其中具有幻数的系统具有很强的... 详细信息
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MBE等效法生长Al<,0.98>Ga<,0.02>As湿氮氧化特性
MBE等效法生长Al<,0.98>Ga<,0.02>As湿氮氧化特性
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 佟存柱 韩勤 杜云 徐应强 牛智川 吴荣汉 中国科学院半导体研究所(北京)
本文研究了超晶格等效法生长的AlGaAs薄层氧化特性,发现该类氧化层具有明显的各向异性,氧化孔呈椭圆形,氧化速率与氧化时间关系受到腐蚀圆台直径影响,详细研究了氧化各向异性与时间、氧化圆台直径等因素的关系,并用理论模型分析了此种... 详细信息
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过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT
过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 姚飞 成步文 薛春来 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
首次提出用过腐蚀自对准离子注入的工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向粘蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有利于欧姆接触的制备,提高了器件的工艺成品率.
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