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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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共 964 条记录，以下是621-630 订阅

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Ku波段低相噪体效应管

Ku波段低相噪体效应管

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：张晓刘萍单云东南京电子器件研究所(南京)

体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声.文中介绍了Ku波段低相噪体效应管的设计与工艺实现,并制作出了与设计结果基本一致的器件.该器件在Ku波段高端输出功率大于150mW、转换效率大于5﹪.将其安装于低相噪介质振荡器中,在保证... 详细信息

体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声.文中介绍了Ku波段低相噪体效应管的设计与工艺实现,并制作出了与设计结果基本一致的器件.该器件在Ku波段高端输出功率大于150mW、转换效率大于5﹪.将其安装于低相噪介质振荡器中,在保证一定的输出功率的情况下,相位噪声小于-98dBc/Hz/5KHz,-10dB谱线宽度小于200Hz.

关键词：相位噪声砷化镓体效应振荡器

来源：评论

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大功率GaN基LED的效率分析

大功率GaN基LED的效率分析

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：郭金霞马龙伊晓燕王良臣王国宏李晋闽中科院半导体研究所

本文首先明确了与LED效率相关的几个概念,并结合LED的发光机理,分析得出目前限制GaN基LED发光效率的主要因素是外提取效率,然后利用几何和物理光学方法分析了影响GaN基LED外提取效率的因素和机理,最后针对全反射,吸收,侧向发光等问题总... 详细信息

本文首先明确了与LED效率相关的几个概念,并结合LED的发光机理,分析得出目前限制GaN基LED发光效率的主要因素是外提取效率,然后利用几何和物理光学方法分析了影响GaN基LED外提取效率的因素和机理,最后针对全反射,吸收,侧向发光等问题总结了现有的各种提高GaN基LED提取效率的手段及其优缺点.

关键词： GaN 发光效率发光二极管

来源：评论

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SiO<,x>薄膜高温退火生长Si纳米线

SiO<,x>薄膜高温退火生长Si纳米线

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：王晓欣张建国王启明中国科学院半导体所(北京)

用Raman微区拉曼谱和SEM研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的SiO薄膜退火显微形貌.结果表明:SiO薄膜高温破损与Si纳米线(SiNWs)的OAG(Oxide-assisted growth)机制生长相关,并提出了用PECVD法沉积SiO薄膜经过高温退火生长SiNWs的... 详细信息

用Raman微区拉曼谱和SEM研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的SiO<,x>薄膜退火显微形貌.结果表明:SiO<,x>薄膜高温破损与Si纳米线(SiNWs)的OAG(Oxide-assisted growth)机制生长相关,并提出了用PECVD法沉积SiO<,x>薄膜经过高温退火生长SiNWs的一种无需金属催化,与硅集成工艺兼容的新方法.

关键词： SiO 等离子体化学气相沉积法 SiO薄膜 Si纳米线

来源：评论

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铟量子点单电子晶体管

铟量子点单电子晶体管

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：郭荣辉赵正平刘玉贵武一斌吕苗西安电子科技大学微电子所(西安) 河北半导体研究所(石家庄)

本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显... 详细信息

本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显的库仑阻塞特性.

关键词：单电子晶体管库仑阻塞量子点

来源：评论

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n型4H-SiC欧姆接触特性研究

n型4H-SiC欧姆接触特性研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：陈刚南京电子器件研究所

本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件的实现奠定基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测量NiCr/4H—SiC的最... 详细信息

本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件的实现奠定基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方法测量特征接触电阻率,测量NiCr/4H—SiC的最佳特征接触电阻率达到n<,c>=1.24×10<'-5>Ucm<'2>,能够很好的满足SiC MESFET器件的需要.

关键词： SiC材料欧姆接触接触电阻率 MESFET 退火工艺流程

来源：评论

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AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟

AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：冉军学王晓亮王翠梅王军喜曾一平李晋闽中国科学院半导体研究所(北京)

对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频... 详细信息

对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频率性能.

关键词： AlGaN/GaN 截至频率振荡频率高频特性异质结双极晶体管