咨询与建议
  • 全部搜索
  • 期刊论文
  • 图书
  • 学位论文
  • 标准
  • 纸本馆藏
  • 外文资源发现
  • 数据库导航
  • 超星发现
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 948 篇 会议
  • 15 篇 期刊文献
  • 1 篇 学位论文

馆藏范围

  • 964 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 931 篇 工学
    • 790 篇 电子科学与技术（可...
    • 718 篇 材料科学与工程（可...
    • 204 篇 光学工程
    • 84 篇 仪器科学与技术
    • 6 篇 电气工程
    • 6 篇 化学工程与技术
    • 5 篇 核科学与技术
    • 4 篇 机械工程
    • 3 篇 控制科学与工程
    • 3 篇 计算机科学与技术...
    • 2 篇 信息与通信工程
    • 1 篇 冶金工程
    • 1 篇 航空宇航科学与技...
    • 1 篇 软件工程
  • 111 篇 理学
    • 108 篇 物理学
    • 18 篇 化学
  • 3 篇 经济学
    • 3 篇 应用经济学
  • 1 篇 教育学
    • 1 篇 教育学
  • 1 篇 管理学
    • 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

  • 102 篇 半导体材料
  • 57 篇 氮化镓
  • 49 篇 化合物半导体
  • 49 篇 分子束外延
  • 43 篇 半导体器件
  • 37 篇 砷化镓
  • 33 篇 外延生长
  • 24 篇 异质结构
  • 23 篇 高电子迁移率晶体...
  • 22 篇 发光二极管
  • 21 篇 离子注入
  • 20 篇 光电器件
  • 20 篇 性能评价
  • 19 篇 二维电子气
  • 19 篇 半导体激光器
  • 19 篇 金属有机物
  • 18 篇 异质结
  • 18 篇 x射线衍射
  • 17 篇 稀磁半导体
  • 17 篇 制备工艺

机构

  • 131 篇 中国科学院半导体...
  • 43 篇 西安电子科技大学
  • 35 篇 北京大学
  • 32 篇 南京大学
  • 30 篇 南京电子器件研究...
  • 30 篇 中国科学院半导体...
  • 23 篇 西安交通大学
  • 23 篇 中国科学院半导体...
  • 18 篇 中国科学院微电子...
  • 17 篇 山东大学
  • 17 篇 中国科学院半导体...
  • 16 篇 中科院半导体研究...
  • 15 篇 中山大学
  • 14 篇 电子科技大学
  • 14 篇 科学院半导体研究...
  • 12 篇 中国科学院半导体...
  • 12 篇 中国科学院半导体...
  • 12 篇 深圳大学
  • 11 篇 中国科学院半导体...
  • 11 篇 河北工业大学

作者

  • 77 篇 曾一平
  • 61 篇 王占国
  • 59 篇 李晋闽
  • 53 篇 王晓亮
  • 35 篇 肖红领
  • 33 篇 杨辉
  • 33 篇 王翠梅
  • 29 篇 侯洵
  • 27 篇 郑有炓
  • 27 篇 刘新宇
  • 27 篇 谢自力
  • 24 篇 张荣
  • 24 篇 郝跃
  • 22 篇 赵有文
  • 21 篇 陈辰
  • 21 篇 王启明
  • 21 篇 李建平
  • 20 篇 zhanguo wang
  • 20 篇 王军喜
  • 20 篇 朱建军

语言

  • 962 篇 中文
  • 2 篇 英文
检索条件"任意字段=全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议"
共 964 条 记 录，以下是631-640 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
3英寸VB半绝缘砷化镓单晶的研制
3英寸VB半绝缘砷化镓单晶的研制
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 兰天平 王建利 丰梅霞 常玉璟 牛沈军 中国电子科技集团公司第四十六研究所(天津市)
本文简要介绍了在自制的VB单晶炉上研制3英寸半绝缘砷化镓单晶情况.使用石英-PNB晶体生长系统,通过我们的工艺研究,生长出了半绝缘性能及热稳定性好的非掺半绝缘砷化镓单晶,而且位错密度至少要比LEC工艺低一个量级.
来源： 评论
2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺研究
2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺研究
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘新宇 刘键 魏珂 郑英奎 邵刚 陈晓娟 和致经 王素琴 吴德馨 王晓亮 周均铭 中国科学院微电子所(北京) 中国科学院半导体所(北京) 中国科学院物理研究所(北京)
本文基于国产2英寸AlGaN/GaN材料,对2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺进行了研究,成功地开发出成套2英寸AlGaN/GaN HEMT功率器件工艺.其关键工艺技术包括:台面隔离、欧姆接触、钝化、电镀空气桥等技术.经过工艺投片,获得性能良好的AlGaN/GaN HEM... 详细信息
来源： 评论
InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
InP/InGaAs SHBT器件自对准结构设计和工艺实现
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 李献杰 蔡道民 赵永林 王全树 周州 曾庆明 中国电子科技集团公司第13研究所(石家庄)
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.
来源： 评论
光网络中关键性光子集成器件的研究进展
光网络中关键性光子集成器件的研究进展
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)
本文从高速率大容量光纤网络体系基本功能构架(即信息的超大容量传输,灵活的上下载路分插复用,快速的交换共享和高效经济的路由选择)的需求出发,指出光子集成是实现上述功能构架的关键硬件,包括高速响应的集成激光源、波导光栅阵列密集... 详细信息
来源： 评论
热光调谐滤波器的高温性能分析
热光调谐滤波器的高温性能分析
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 左玉华 毛容伟 李传波 赵雷 蔡晓 成步文 王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文研究了热处理对Si基热光Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器的影响,用原子力显微镜分析了高温热退火前后的器件表面变化.发现随着退火温度的升高,器件的透射峰发生蓝移,透射峰强度下降,DBR(Distributed Bragg Beflector)反射率下降,同... 详细信息
来源： 评论
SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
SiGe/Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王广甫 刘超 李建平 北京师范大学分析测试中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
SiGe合金薄膜中的Ge含量及分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响.本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和SiGe-OI材料样品进行了分析.与TEM,SEM、Raman等分析结果进行比较表明,Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层... 详细信息
来源： 评论
微晶硅薄膜的微结构及光电特性
微晶硅薄膜的微结构及光电特性
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郝会颖 孔光临 廖显伯 刁宏伟 曾湘波 许颖 中科院半导体研究所表面物理实验室 中国地质大学(北京) 中科院半导体研究所表面物理实验室
利用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)设备通过改变反应气体,H/SiH中的氢稀释比制备出一系列硅薄膜.薄膜的微区喇曼散射谱表明随着氢稀释比的增大薄膜由非晶向微晶过渡.通过测量薄膜的带隙、激活能、光敏性、及载流子的迁移... 详细信息
来源： 评论
6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究
6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 惠峰 王文军 高永亮 王志宇 中国科学院半导体所
半绝缘砷化镓单晶材料具有半绝缘、迁移率高、工作温度高等突出的优点,用它研制和生产出的器件和电路工作频率高、噪声低、功耗低,在高频通信应用领域具有极大的优势,因此,它们不仅成为军工微波、毫米波通信的首选,而且,近几年已在民用... 详细信息
来源： 评论
B在SiGe中的应变补偿作用
B在SiGe中的应变补偿作用
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 成步文 姚飞 薛春来 张建国 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 王启明 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室(北京)
用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.307,即平均掺入1个B原子可以补偿7.307个Ge原子引起的应变... 详细信息
来源： 评论
耦合腔行波管输入段的三维数值模拟
耦合腔行波管输入段的三维数值模拟
收藏
分享
引用
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘韦 李实 沈斌 阴和俊 中科院电子所微波器件中心(北京) 中国科学院研究生院 中科院电子所微波器件中心(北京)
运用有限积分法软件MAFIA和有限元软件Isfe13d对某耦合腔行波管输入段进行三维数值模拟,计算输入段的S参数和驻波比,将模拟结果与部分实验数据进行验证,得到了比较一致的结果,其平均计算精度在75以内,证实了这两种电磁软件都可用于行波... 详细信息
来源： 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共97页 <<  < 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 >  >>
回到顶部
执行限定条件