检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议"

共 964 条记录，以下是641-650 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

微腔调制常温Ge量子点光荧光特性研究

微腔调制常温Ge量子点光荧光特性研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：李传波毛容伟左玉华成步文余金中王启明中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

本文报道了微腔对Ge量子点常温光荧光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光荧光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光荧光才能透出腔体并被探测器搜集.模... 详细信息

本文报道了微腔对Ge量子点常温光荧光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光荧光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定波长的光荧光才能透出腔体并被探测器搜集.模拟结果与实验结果吻合的很好,变功率实验也进一步证实了我们的结论.

关键词：微腔光荧光特性 Ge量子点调制作用

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

二维光子晶体激光器的FDTD仿真

二维光子晶体激光器的FDTD仿真

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：孙增辉陈弘达张晓帆许兴胜裴为华周毅中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)

二维光子晶体结构在平面内可以形成光子禁带,改变光子晶体结构的完整,可以在禁带内引入缺陷态,从而形成谐振模式.本文主要利用时域有限差分法(FDTD)计算了二维光子晶体的带隙结构,仿真了二维光子晶体激光器的微腔对谐振模的选择.

关键词：光子晶体面发射激光器时域有限差分法带隙结构

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种新型的三稳态纳电子器件

一种新型的三稳态纳电子器件

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：牛萍娟陈乃金郭维廉梁惠来王文新天津工业大学信息与通信工程学院天津大学电子信息工程学院中科院物理所分子束外延实验室

我们制作了在电流-电压特性曲线上具有双微分负阻的共振隧穿器件,室温就可达到较高的峰谷比5.2:1,这种器件采用两个隧穿二极管背靠背串联的结构,可以在多值逻辑或其它有关降低电路复杂性方面有较为广泛的应用.

关键词：共振隧穿器件隧穿二极管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性研究

内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：曾宇昕刘伟杨富华徐萍谭平恒章昊边历峰郑厚植曾一平中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京) 中科院半导体研究所新材料部(北京)

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并... 详细信息

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相联系的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管,获得了高耐压的场效应器件电学特性,并有望制成新型红外光电探测场效应管.

关键词： InAs量子点光致荧光谱调制掺杂场效应晶体管光电特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

大功率670nm半导体激光器的研制

大功率670nm半导体激光器的研制

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

采用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900um,电流注入区条宽100um,两端的无注入区... 详细信息

采用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900um,电流注入区条宽100um,两端的无注入区宽度均为25um.镀膜后器件的阈值电流为0.38A,输出波长670±2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°、40°.这表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变(COD)功率.

关键词：半导体激光器化学气相沉积腔面光灾变

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：邓加军赵建华蒋春萍牛智川杨富华郑厚植中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京)

利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜,双晶X-射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7﹪.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,M... 详细信息

利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜,双晶X-射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7﹪.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.

关键词：稀磁半导体分子束外延低温退火

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体纳米粒子Bi<,2>S<,3>和NiS的非线性吸收特性

半导体纳米粒子Bi<,2>S<,3>和NiS的非线性吸收特性

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：掌蕴东朱俊杰张云军袁萍孙旭涛哈尔滨工业大学光电子技术研究所可调谐气体激光国家重点实验室南京大学化学与化工学院配位化学国家重点实验室

测量了两种纳米粒子BiS和NiS的光限幅特性和非线性光学响应,测量了非线性吸收特性,数值模拟计算了它们的非线性吸收系数分别为BiS非线性吸收系数β≈9cm/GW,NiS非线性吸收系数β≈8cm/GW.

测量了两种纳米粒子Bi<,2>S<,3>和NiS的光限幅特性和非线性光学响应,测量了非线性吸收特性,数值模拟计算了它们的非线性吸收系数分别为Bi<,2>S<,3>非线性吸收系数β≈9cm/GW,NiS非线性吸收系数β≈8cm/GW.

关键词：非线性吸收光限幅半导体纳米粒子 BiS NiS

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MOCVD法生长高质量的侧向外延GaN

MOCVD法生长高质量的侧向外延GaN

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：陈俊张纪才张书明朱建军杨辉中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室(北京)

运用低压金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X射线双晶衍射、透射电镜测量和分析.发现完全合并后的GaN外延层的表面平整,晶体质量较衬底有大幅的提... 详细信息

运用低压金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X射线双晶衍射、透射电镜测量和分析.发现完全合并后的GaN外延层的表面平整,晶体质量较衬底有大幅的提高,透射电镜进行微区位错观察发现窗口区穿透位错大部分发生转向,侧向生长区下方的穿透位错被掩膜阻断.

关键词： GaN 侧向外延穿透位错金属有机物气相外延法外延生长

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

PHEMT MIMIC互推式振荡器设计

PHEMT MIMIC互推式振荡器设计

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：应子罡吕昕高本庆李拂晓高建峰北京理工大学信息科学技术学院电子工程系(北京) 南京电子器件研究所(南京) 北京理工大学信息科学技术学院电子工程系(北京) 南京电子器件研究所(南京)

本文分析了单片互推式振荡器的设计原理,阐明了设计步骤,利用55所的0.5um GaAs PHEMT的管芯模型设计了工作频率为52.56GHz的MIMIC互推式振荡器,仿真结果表明该种振荡器具有工作频率高、负载迁移小、结构紧凑等优点.

关键词：互推式振荡器设计原理

来源：评论