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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
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931 篇 工学
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- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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稀磁半导体二维电子气的磁输运

稀磁半导体二维电子气的磁输运

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：杨文常凯北京中科院半导体研究所

我们研究了稀磁半导体二维电子气在垂直电场和磁场下的磁输运.由于导带电子与Mn的3d电子间的s-d交换作用,不同自旋的Landau能级发生巨Zeeman劈裂,并随磁场的增强发生交叉;杂质散射使Landau能级展宽甚至交迭,致使纵向磁阻的周期性SdH振... 详细信息

我们研究了稀磁半导体二维电子气在垂直电场和磁场下的磁输运.由于导带电子与Mn的3d<'5>电子间的s-d交换作用,不同自旋的Landau能级发生巨Zeeman劈裂,并随磁场的增强发生交叉;杂质散射使Landau能级展宽甚至交迭,致使纵向磁阻的周期性SdH振荡中附加拍频图样,理论结果与实验符合相当好.磁场下载流子极化度很小,但Landau量子化使电流的极化很显著,这表明自旋极化输运也可以在弱磁场、弱自旋极化度下实现.垂直电场导致的Rashba自旋轨道相互作用把不同自旋的相邻Landau能级耦合起来,使纵向磁阻振荡图象中的拍频间隔缩短,电流极化度减小.

关键词：稀磁半导体二维电子气磁输运自旋极化

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MOCVD法制备MgZnO合金薄膜

MOCVD法制备MgZnO合金薄膜

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：张源涛朱慧超崔勇国刘大力杨树人杜国同吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室(吉林省长春市)

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长MgZnO合金薄膜.c轴取向的MgZnO薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角... 详细信息

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长Mg<,x>Zn<,1-x>O合金薄膜.c轴取向的Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角形纤锌矿结构,没有观察到MgO分相,此时薄膜的能带宽度可以在3.3eV到3.95eV之间调节.

关键词：金属有机化学气相沉积 MgZnO合金薄膜半导体材料光学特性薄膜制备

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n型4H-SiC MOS电容的特性研究

n型4H-SiC MOS电容的特性研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：宁瑾刘忠立高见头中科院半导体研究所微电子中心(北京)

本文在n型4H-SiC外延层上,采用H、O合成的办法,热生长300A的SiO层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H、O合成热生长的Si... 详细信息

本文在n型4H-SiC外延层上,采用H<,2>、O<,2>合成的办法,热生长300A的SiO<,2>层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO<,2>与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H<,2>、O<,2>合成热生长的SiO<,2>与4H-SiC外延层之间具有较好的界面特性,界面态密度较小,n型4H-SiC外延层的掺杂均匀,浓度为1.84×10<'17>/cm<'3>.

关键词： 4H-SiC MOS电容 C-V特性

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Si上GaN的GSMBE生长及MSM紫外探测器的响应特性

Si上GaN的GSMBE生长及MSM紫外探测器的响应特性

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：张南红王晓亮王军喜刘宏新肖红领曾一平李晋闽中国科学院半导体研究所(北京)

作用NH源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度为0.88nm.加5.5V偏压,当波长小于363nm时,MSM紫外探测器峰值响应度为1.97A/W;当波长大于383nm时,响应度为... 详细信息

作用NH<,3>源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度为0.88nm.加5.5V偏压,当波长小于363nm时,MSM紫外探测器峰值响应度为1.97A/W;当波长大于383nm时,响应度为6.8×10<'-2>A/W.

关键词：分子束外延氮化镓 Si衬底紫外探测器

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Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量

Φ50mm InP单晶片的EPD分布测量

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：周晓龙孙聂枫赵彦军杨克武杨光耀谢德良刘二海孙同年中国电子科技集团公司第十三研究所国家专用集成电路重点实验室(石家庄)

采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究... 详细信息

采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究,改进工艺,提高单晶质量打下了良好的基础.

关键词：磷化铟 EPD 分布测量位错分布生长工艺晶体生长半导体材料

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单电子数据转换电路

单电子数据转换电路

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：欧晓斌吴南健中国科学院半导体研究所(北京)

本文提出了两种新型的由单电子晶体管、MOS管和电容组成的数模转换(ADC)和模数转换(DAC)电路.这种混合的数模转换和模数转换电路有以下一些优点:1)大的负载能力;2)在室温条件下工作;3)低功耗.对这种混合单电子晶体管和MOS管的ADC和DAC... 详细信息

本文提出了两种新型的由单电子晶体管、MOS管和电容组成的数模转换(ADC)和模数转换(DAC)电路.这种混合的数模转换和模数转换电路有以下一些优点:1)大的负载能力;2)在室温条件下工作;3)低功耗.对这种混合单电子晶体管和MOS管的ADC和DAC电路进行了仿真,仿真结果表明两种电路能够在室温下条件下正常工作.采样频率达到100MHz以上,功耗大约为0.1ìW.

关键词：单电子晶体管 MOS管数模转换电路模数转换电路

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SOI(100)柔性衬底上3C-SiC外延层的结构特征和电学特征

SOI(100)柔性衬底上3C-SiC外延层的结构特征和电学特征

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：王晓峰曾一平孙国胜王雷赵万顺中国科学院半导体研究所新材料部(北京)

用低压化学淀积(LPCVD)法在有氧化埋层的柔性衬底(SOI)上外延生长了3C-SiC.采用X-射线衍射)XRD)和扫描电镜(SEM)研究了3C-SiC的结构特征;利用二次离子质谱(SIMS)对3C-SiC样品的组份进行了深度分析.尤其是N和B两种杂质在SiC表面的浓度变... 详细信息

用低压化学淀积(LPCVD)法在有氧化埋层的柔性衬底(SOI)上外延生长了3C-SiC.采用X-射线衍射)XRD)和扫描电镜(SEM)研究了3C-SiC的结构特征;利用二次离子质谱(SIMS)对3C-SiC样品的组份进行了深度分析.尤其是N和B两种杂质在SiC表面的浓度变化.并结合霍耳(Hall)测试结果对未有意掺杂3C-SiC的电学特性进行了研究.

关键词： 3C-SiC SOI衬底结构特性电学特性低压化学淀积

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离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究

离子束辅助沉积铪膜耐热应力性能研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：江炳尧任琮欣冯涛蒋军柳襄怀中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心(上海)

本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜的组份.... 详细信息

本文采用离子束辅助沉积方法在行波管的钨质栅网上沉积铪膜.在高真空的环境下,模拟行波管的工作条件,对不同设备,不同工艺参数沉积的铪膜进行耐热应力循环试验.应用SEM观察试验样品在高温热处理前后形貌的变化.用AES测量循铪膜的组份.研究分析了铪膜起皮脱落的原因.确定了制备具有良好耐热应力性能铪膜的工艺条件.

关键词：钼栅极电子发射离子束辅助沉积行波管铪膜耐热应力工艺条件

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半导体可饱和吸收镜研究与应用

半导体可饱和吸收镜研究与应用

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：王勇刚马骁宇张志刚中国科学院半导体研究所(北京) 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室(天津) 中国科学院半导体研究所(北京) 天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光实验室(天津)

我们先后研制成功低温反射式、低温透过式和表面态反射式1μm半导体可饱和吸收镜以及800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜.利用1微米半导体可饱和吸收镜实现多种固体激光器被动锁模,最短脉冲宽度为3ps,利用800nm布拉格型半导体可饱... 详细信息

我们先后研制成功低温反射式、低温透过式和表面态反射式1μm半导体可饱和吸收镜以及800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜.利用1微米半导体可饱和吸收镜实现多种固体激光器被动锁模,最短脉冲宽度为3ps,利用800nm布拉格型半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光器自启动被动锁模,最短脉冲宽度为37fs.

关键词：半导体可饱和吸收镜被动锁模固体激光器

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Si衬底上生长GaN基蓝光LED

Si衬底上生长GaN基蓝光LED

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：莫春兰方文卿刘和初周毛兴江风益南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心(南昌)

利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上生长出了高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得了多级InGaN MQW卫星峰.制成标准管芯后,在正向电流为20mA时,工作电压为4.1V,光功率约1mW,反向电压大于15V,电致发光波长为460nm,半峰宽为30... 详细信息

利用LP-MOCVD系统在Si(111)衬底上生长出了高质量的InGaN MQW蓝光LED外延片,X射线双晶测试获得了多级InGaN MQW卫星峰.制成标准管芯后,在正向电流为20mA时,工作电压为4.1V,光功率约1mW,反向电压大于15V,电致发光波长为460nm,半峰宽为30nm,表明本单位已经突破中等亮度的Si基GaN蓝光二极管材料生长及器件制造技术.

关键词：发光二极管氮化镓硅衬底金属有机化学气相沉淀

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