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一维介观结构中的自旋输运性质
一维介观结构中的自旋输运性质
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 王立国 常凯 北京中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室(北京)
本文采用量子波导理论研究了多Stub一维介观结构中的自旋输运,我们考虑了Rashba效应和Dresselhaus效应.发现自旋翻转透射系数随Stub长度和电子动量增大而呈振荡特征.对于单个Stub的波导结构,Rashba效应引起的自旋翻转透射系数只能达到25... 详细信息
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不同晶面6H-SiC MOSFET雪崩击穿的热效应分析
不同晶面6H-SiC MOSFET雪崩击穿的热效应分析
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘莉 杨银堂 柴常春 西安电子科技大学微电子所(西安)
本文主要分析了温度和热效应在6H-SiC MOS器件不同晶面上对其击穿特性的影响.当考虑到器件内部热流的影响时,迁移率因具有负温度系数所以漏极饱和电流将会减小,同时内部温度升高则导致器件雪崩击穿的延缓发生.材料自身强烈的各项异性使... 详细信息
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10Gbit/s并行光收发模块在万兆以太网的应用
10Gbit/s并行光收发模块在万兆以太网的应用
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 周毅 陈弘达 左超 贾久春 申荣铉 孙增辉 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室(北京)
本文介绍10Gbit/s并行光收发模块在万兆以太网技术(10Gigabit Erthernet Technology)的应用.万兆以太网使用以太网结构实现10.000Gbit/s点对点传输,距离可达到40Km,使以太网应用从局域网扩展到城域网和广域网.下面将介绍万兆以太网的功... 详细信息
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30Gbit/s并行光发射模块制作过程中的光耦合及封装
30Gbit/s并行光发射模块制作过程中的光耦合及封装
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 裴为华 唐君 申荣铉 陈弘达 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室(北京)
本文介绍了并行光发射模块制作过程中,垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵与列阵光纤的对准及固定方法.对斜面光纤折弯耦合和垂直耦合两种方法都进行了尝试,平均耦合效率都可达70﹪以上.比较了两种耦合方式的利弊.针对列阵光纤耦合的特点,... 详细信息
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GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 刘超 高兴国 李建平 曾一平 李晋闽 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 北京师范大学物理系(北京)
SGOI(SiGe on Insulator)是近年来日趋成熟的SOI技术和蓬勃发展的SiGe技术相结合而产生的一种的新型微电子材料,并被ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)列入CMOS技术今后几年发展的路线图.本文介绍了我们用气... 详细信息
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垂直腔面发射激光器的研制
垂直腔面发射激光器的研制
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 郭霞 董立闽 达小丽 渠红伟 邓军 杜金玉 邹德恕 沈光地 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京市光电子技术实验室(北京)
采用低压金属有机化合物气相外延(L P2MOCVD)生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化技术技术来实现横向的光、电限制,成功地制备了具有较性能的内腔接触式氧化物限制型的顶发射980nm垂直腔面发射激光器.分析了氧化孔径大小对器件各个... 详细信息
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半导体量子点自组织生长过程的控制研究
半导体量子点自组织生长过程的控制研究
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 娄朝刚 李献杰 张晓兵 雷威 东南大学电子工程系(南京) 中电集团第十三研究所(石家庄)
本文对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究.在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基础上,提出了利用隔离单元抑制量子点的熟化生长的方法来控制量子点的大小,并对生长过程进行了计算机模拟研究.结果表明通过将衬底表... 详细信息
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等离子体增强化学汽相沉积法实现硅纳米线掺磷
等离子体增强化学汽相沉积法实现硅纳米线掺磷
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 曾湘波 廖显伯 郝会颖 王博 戴松涛 刁宏伟 向贤碧 孔光临 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室(北京) 清华大学物理系 原子分子纳米科学教育部重点实验室(北京)
用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺P.选用Si片作衬底,硅烷(SiH)作硅源,磷烷(PH)作掺杂气体,Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制我们探讨了掺P硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活... 详细信息
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V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE氮化铟表面形貌的影响
V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE氮化铟表面形貌的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 肖红领 王晓亮 韩勤 王军喜 张南红 徐应强 刘宏新 曾一平 李晋闽 吴荣汉 中国科学院半导体所(北京)
由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE生长氮化铟外延膜表面... 详细信息
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量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响
量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 汪艳贞 吴南健 中国科学院半导体研究所(北京)
本文主要研究了量子点分布的误差对镜像电荷量子元胞自动机(QCA)的影响.镜像电荷QCA每个元胞中的四个量子点是被严格限制在正文形元胞的四个角上的,考虑到现有的量子点生长技术,量子点偏离理想位置的情况是不可避免的.我们模拟了在正态... 详细信息
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