检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议"

共 964 条记录，以下是681-690 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

快速大容量磷注入合成磷化铟技术

快速大容量磷注入合成磷化铟技术

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：孙聂枫周晓龙陈秉克杨光耀付建德赵彦军杨克武孙同年中国电子科技集团公司第十三研究所国家专用集成电路重点实验室(石家庄)

磷化铟(InP)是一种重要的半导体材料.本工作用一种快速直接磷注入合成和高压液封直拉晶体生长方法制备InP多晶.用这种方法可以在60—70分钟内合成3800克InP并生长在2—4英寸InP单晶.本文讨论了合成InP多晶和生长InP晶体的工艺技术.高纯... 详细信息

磷化铟(InP)是一种重要的半导体材料.本工作用一种快速直接磷注入合成和高压液封直拉晶体生长方法制备InP多晶.用这种方法可以在60—70分钟内合成3800克InP并生长在2—4英寸InP单晶.本文讨论了合成InP多晶和生长InP晶体的工艺技术.高纯InP是制备高质量InP单晶特别是低铁含量的半绝缘和非掺杂退火半绝缘InP单晶的前提条件.InP中作为有害的杂质主要就是Si.用这种方法得到的材料中Si沾污的浓度非常低.

关键词：磷化铟合成技术半导体材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

AlGaN中应变状态的研究

AlGaN中应变状态的研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：张纪才王建峰王玉田杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉)

本文用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AlGaN外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子(f)在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30﹪,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)... 详细信息

本文用X射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的Al<,x>Ga<,1-x>N外延层中的应变状态.实验结果显示AlGaN的共格因子(f<,coh>)在组分小于0.42时随组分的增加而近似线性减小,并且在0.42时达到30﹪,此后随组分的增加变化较慢,在x=1(AlN)时接过0.在本实验条件中,由于GaN层处于压应变状态,导致与AlGaN外延层的失配变小,使得组分约为0.16的Al<,x>Ga<,1-x>N外延层可以共格生长在GaN层上.

关键词： X射线衍射 AlGaN 共格因子应变状态卢瑟福背散射

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

大剂量Mn离子注入GaAs的性质研究

大剂量Mn离子注入GaAs的性质研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：刘志凯宋书林陈诺夫柴春林尹志岗杨少延中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室(北京) 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室(北京) 中国科学院力学研究所国家微重力实验室(北京)

室温条件在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn... 详细信息

室温条件在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,经过退火样品的磁化强度增大.

关键词：低能注入砷化镓 X射线衍射梯度磁强计 Mn离子半导体材料

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究

偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：王雷孙国胜高欣赵万顺张永兴曾一平李晋闽中国科学院半导体研究所(北京)

化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行了4H-SiC的同质外延生长,表面形貌是SiC外延材料的一个重要参数... 详细信息

化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行了4H-SiC的同质外延生长,表面形貌是SiC外延材料的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因,利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象.

关键词： 4H-SiC 外延生长偏晶向衬底化学气相沉积表面形貌

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN基准二维八重光子准晶的研制

GaN基准二维八重光子准晶的研制

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：张振生章蓓徐军任谦杨志坚经光银王琦胡晓东于彤军俞大鹏张国义北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体中心和纳米结构与低维物理实验室(北京)

在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为90nm至370nm的GaN基准二维... 详细信息

在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为90nm至370nm的GaN基准二维八重光子准晶阵列.并将其运用于GaN基发光二极管.

关键词： GaN 光子晶体离子束刻蚀

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

低能离子束方法制备Mn-Si薄膜

低能离子束方法制备Mn-Si薄膜

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：刘力锋陈诺夫柴春林杨少延刘志凯中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 中国科学院力学研究所国家微重力实验室(北京)

采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)分析了样品的组分特性,X-射线衍射法(XRD)和原子力显微镜法(AFM)分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备... 详细信息

采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)分析了样品的组分特性,X-射线衍射法(XRD)和原子力显微镜法(AFM)分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结果呈非晶体.300℃条件下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,Mn-Si固溶体薄膜被制备.

关键词：低能离子束 X-射线衍射 Mn-Si薄膜薄膜制备

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

取样光栅DFB激光器

取样光栅DFB激光器

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：阚强赵玲娟周帆王宝军王圩中国科学院半导体研究所国家光电工艺中心(北京)

近年来,取样光栅(SG)结构的宽带可调谐激光器成为研究的热点.这是由于取样光栅制作工艺跟传统全息曝光光栅制作工艺兼容,无需使用昂贵和低效的电子束刻蚀工艺和灵活性差的相位掩模板曝光技术,并且取样光栅结构同样能实现高的边模抑制比(... 详细信息

近年来,取样光栅(SG)结构的宽带可调谐激光器成为研究的热点.这是由于取样光栅制作工艺跟传统全息曝光光栅制作工艺兼容,无需使用昂贵和低效的电子束刻蚀工艺和灵活性差的相位掩模板曝光技术,并且取样光栅结构同样能实现高的边模抑制比(SMRS)和较大的调谐范围[1].我们制作了取样光栅结构的DFB激光器.达到了验证取样光栅制作工艺的目的.而且取样光栅结构是一种实现多波长激射的较好方法[2].本文中分析比较了三种取样光栅的制备工艺.使用InP进行掩模和光刻,是效果最好的方法.本文用传输矩阵方法对取样光栅进行理论分析.测试结果可以跟理论计算出取样光栅的梳状光谱大体相对应.

关键词：可调谐激光器取样光栅制备工艺

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性

Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及结构特性

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：王建峰张纪才张宝顺伍墨王玉田杨辉梁骏吾中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京) 武汉大学物理系(武汉) 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13-20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此... 详细信息

本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13-20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此外,SIMS分析表明,当AlN缓冲层位于13-20nm之间时,可有效抑制Si的扩散.

关键词： GaN Si衬底结构特性 X射线衍射 AlN缓冲层缓冲层厚度外延层

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

BST铁电薄膜的微观结构研究

BST铁电薄膜的微观结构研究

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：冷文建杨传仁罗世希符春林陈宏伟廖家轩电子科技大学微电子与固体电子学院(成都)

本文采用RF磁控溅射法在Pt(111)/Ti/SiO/Si(100)衬底上制备(BaSr)TiO(BST)薄膜.我们采用了微波晶化法对BST薄膜进行退火.和气氛炉退火相比较,微波晶化法退火之后的BST薄膜,晶粒尺寸小而分布均匀,薄膜表面平均粗糙度(RMS)较小.利用X射线... 详细信息

本文采用RF磁控溅射法在Pt(111)/Ti/SiO<,2>/Si(100)衬底上制备(Ba<,x>Sr<,1-x>)TiO<,3>(BST<,-x>)薄膜.我们采用了微波晶化法对BST<,-x>薄膜进行退火.和气氛炉退火相比较,微波晶化法退火之后的BST<,-x>薄膜,晶粒尺寸小而分布均匀,薄膜表面平均粗糙度(RMS)较小.利用X射线衍射对薄膜晶体结构进行分析,我们发现采用微波晶化法进行后处理的薄膜沿(110)晶面择优取向生长,随退火时间增加(111)峰值逐渐减弱.在退火时间为30mins,温度600℃条件下,两者退火方式的薄膜结晶度几乎相同.

关键词： BST铁电薄膜微波晶化法 X射线衍射原子力显微镜微观结构磁控溅射法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用MOCVD生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析

用MOCVD生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：孟涛张飒朱贤方王占国纳米技术中心物理机电工程学院厦门大学化学化工学院厦门大学半导体材料国家重点实验室中国科学院半导体研究所

近年来,GaN基相关材料的量子点生长成为半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见,鉴于此,本文综述了用MOCVD制备GaN基量子点的不同实验方法,尤其是对... 详细信息

近年来,GaN基相关材料的量子点生长成为半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见,鉴于此,本文综述了用MOCVD制备GaN基量子点的不同实验方法,尤其是对对影响量子点生长的实验条件和参数做了比较和分析,希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考.

关键词： GaN基量子点自组装金属有机化学气相沉积实验分析

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共97页 << < 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：