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EDFA监控用熔融拉锥型耦合器的研制
EDFA监控用熔融拉锥型耦合器的研制
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 朱雪梅 王青林 邮电科学研究院固体器件研究所
该文讨论了FBT法制作EDFA线路监控用tap耦合器的方法,实际制作了1550nm1550nm窗口99:~95:5的宽带耦合器,其在±50nm波长范围内,性能稳定,可以极好地满足EDFA线路监控的需要。
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高迁移率InAs/GaAs材料的分子束外延生长
高迁移率InAs/GaAs材料的分子束外延生长
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 王红梅 曾一平 科学院半导体研究所
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微波低噪声器件噪声参数提取方法研究
微波低噪声器件噪声参数提取方法研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 高翠琢 李道成 韩利华 孙静 信息产业部电子第13研究所
设计微波低噪声放大器及MMIC,需要确定增益和噪声系数随输入源导纳变化的规律,选择最佳的源导纳,设计出理想的微波器件,本文论述了国内外各种提取微波低噪声器件噪声参数的方法,并对其进行了比较.
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新结构多晶硅发射极光电晶体管
新结构多晶硅发射极光电晶体管
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 王晓慧 李国辉 师范大学低能核物理研究所
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异质材料及器件结构优化的Ka波段低噪声PHEMT
异质材料及器件结构优化的Ka波段低噪声PHEMT
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 陈效建 刘军 电子器件研究所
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Ge<,x>Si<,1-x>/Si(001)异质结构中的位错观察
Ge<,x>Si<,1-x>/Si(001)异质结构中的位错观察
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 万学元 梁骏吾 科学院半导体研究所
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高速、低暗电流长波长InGaAs金属-半导体-金属光电探测器研究
高速、低暗电流长波长InGaAs金属-半导体-金属光电探测器研究
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 朱红卫 史常忻 交通大学微电子技术研究所
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InAs-GaAs量子点激光器的制备及性能研究
InAs-GaAs量子点激光器的制备及性能研究
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 梁基本 王占国 科学院半导体所半导体材料科学实验室
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实用化高速LED关键技术研究
实用化高速LED关键技术研究
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 王品红 蔡开清 工业部第44研究所
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半导体光子学及其在信息高科技中的应用
半导体光子学及其在信息高科技中的应用
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 王启明 科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
该文从信息传输与处理、入网与交换、存储与读出、获取与显示等重要技术领域评述。介绍了当代信息高科技的最新进展与未来的需求,着重揭示半导体光电子学在未来信息高科技发展中的关键作用与地位、以及当今研究与发展的主流方向。
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