咨询与建议
  • 全部搜索
  • 期刊论文
  • 图书
  • 学位论文
  • 标准
  • 纸本馆藏
  • 外文资源发现
  • 数据库导航
  • 超星发现
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 948 篇 会议
  • 15 篇 期刊文献
  • 1 篇 学位论文

馆藏范围

  • 964 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 931 篇 工学
    • 790 篇 电子科学与技术（可...
    • 718 篇 材料科学与工程（可...
    • 204 篇 光学工程
    • 84 篇 仪器科学与技术
    • 6 篇 电气工程
    • 6 篇 化学工程与技术
    • 5 篇 核科学与技术
    • 4 篇 机械工程
    • 3 篇 控制科学与工程
    • 3 篇 计算机科学与技术...
    • 2 篇 信息与通信工程
    • 1 篇 冶金工程
    • 1 篇 航空宇航科学与技...
    • 1 篇 软件工程
  • 111 篇 理学
    • 108 篇 物理学
    • 18 篇 化学
  • 3 篇 经济学
    • 3 篇 应用经济学
  • 1 篇 教育学
    • 1 篇 教育学
  • 1 篇 管理学
    • 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

  • 102 篇 半导体材料
  • 57 篇 氮化镓
  • 49 篇 化合物半导体
  • 49 篇 分子束外延
  • 43 篇 半导体器件
  • 37 篇 砷化镓
  • 33 篇 外延生长
  • 24 篇 异质结构
  • 23 篇 高电子迁移率晶体...
  • 22 篇 发光二极管
  • 21 篇 离子注入
  • 20 篇 光电器件
  • 20 篇 性能评价
  • 19 篇 二维电子气
  • 19 篇 半导体激光器
  • 19 篇 金属有机物
  • 18 篇 异质结
  • 18 篇 x射线衍射
  • 17 篇 稀磁半导体
  • 17 篇 制备工艺

机构

  • 131 篇 中国科学院半导体...
  • 43 篇 西安电子科技大学
  • 35 篇 北京大学
  • 32 篇 南京大学
  • 30 篇 南京电子器件研究...
  • 30 篇 中国科学院半导体...
  • 23 篇 西安交通大学
  • 23 篇 中国科学院半导体...
  • 18 篇 中国科学院微电子...
  • 17 篇 山东大学
  • 17 篇 中国科学院半导体...
  • 16 篇 中科院半导体研究...
  • 15 篇 中山大学
  • 14 篇 电子科技大学
  • 14 篇 科学院半导体研究...
  • 12 篇 中国科学院半导体...
  • 12 篇 中国科学院半导体...
  • 12 篇 深圳大学
  • 11 篇 中国科学院半导体...
  • 11 篇 河北工业大学

作者

  • 77 篇 曾一平
  • 61 篇 王占国
  • 59 篇 李晋闽
  • 53 篇 王晓亮
  • 35 篇 肖红领
  • 33 篇 杨辉
  • 33 篇 王翠梅
  • 29 篇 侯洵
  • 27 篇 郑有炓
  • 27 篇 刘新宇
  • 27 篇 谢自力
  • 24 篇 张荣
  • 24 篇 郝跃
  • 22 篇 赵有文
  • 21 篇 陈辰
  • 21 篇 王启明
  • 21 篇 李建平
  • 20 篇 zhanguo wang
  • 20 篇 王军喜
  • 20 篇 朱建军

语言

  • 962 篇 中文
  • 2 篇 英文
检索条件"任意字段=全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议"
共 964 条 记 录，以下是711-720 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
碳化硅电子器件的基础问题
碳化硅电子器件的基础问题
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李效白 专用集成电路国家重点实验室(石家庄市)
SiC材料可以制作高频高温高压大电流大功率抗辐射的器件,成为第三代最具代表性的半导体材料之一,本文综述了碳化硅电子材料与器件近些年来国内外的发展和它的基础问题.
来源： 评论
航天微电子器件辐射效应研究
航天微电子器件辐射效应研究
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王长河 信息产业部电子十三所(河北石家庄)
本文主要论述空间自然辐射环境与人为辐射环境对航天器中微电子器件的影响.分析了几种典型器件的辐射效应及损伤机理,提出提高微电子器件抗辐射加固的相应途径.
来源： 评论
异质外延用高质量蓝宝石单晶衬底片研制
异质外延用高质量蓝宝石单晶衬底片研制
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 步云英 谢礼丽 于秉华 王皎瑜 苗福贺 皮宝林 天津半导体技术研究所
本文通过实验,对影响蓝宝石单晶衬底片的质量参数进行了进一步的研究,对单晶控制,切割技术,研磨工艺和抛光工艺进行改进,以期取得更好实用效果.
来源： 评论
MBE生长含应变层InGaAs/GaAs选择掺杂异质二维电子气
MBE生长含应变层InGaAs/GaAs选择掺杂异质二维电子气
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 谢自力 邱凯 陈建炉 张晓娟 南京电子器件研究所(南京)
利用GEN-Ⅱ型进口分子束外延设备生长InGaAs/AlGaAS/GaAs异质结构材料,并进行了材料结构优化设计和材料特性研究,并用于研制PHEMT器件.
来源： 评论
半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流测量
半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流测量
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李成基 李韫言 何宏家 中国科学院半导体研究所(北京)
本文介绍了热激电流的测量装置和测量技术.测量了半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流镨,并依此计算了深能级的位置.研究了半绝缘砷化镓的化学配比与热激电流镨的关系.
来源： 评论
量子级联激光器微腔的产生和发展
量子级联激光器微腔的产生和发展
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李成明 刘峰奇 孟宪权 张子旸 金鹏 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
本文详细回顾了量子级联激光器微腔的产生以及发展状况,并讨论了各种微腔的优缺点,并对今后量子级联激光器微腔的发展作出了展望.
来源： 评论
PECVD钝化技术在GaAs器件上的应用
PECVD钝化技术在GaAs器件上的应用
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 郑英奎 汪宁 刘新宇 中科院微电子中心(北京)
本文对GaAs器件(主要为HFET器件)利用PECVD技术钝化前后的器件特性进行了对比分析,得出对于GaAs器件的钝化膜,利用PECVD技术制作的SiNx膜的钝化效果优于SiO、SiON膜,低应力钝化膜优于高应力钝化膜的结论.
来源： 评论
在(311)A GaAs衬底上生长GaAs/GaAlAs P沟道HFET材料
在(311)A GaAs衬底上生长GaAs/GaAlAs P沟道HFET材料
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 邱凯 谢自力 尹志军 张晓娟 陈建炉 南京电子器件研究所
利用分子束外延技术在(311)A衬底上,使用单一的硅源作为掺杂剂,通过控制Ⅴ/Ⅲ比和衬底温度等生长条件生长出不同导电类型的半导体材料,并生长了高性能的P沟道HFET材料.
来源： 评论
多端口开关射频自动测试系统
多端口开关射频自动测试系统
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 洪倩 陈新宇 吴振海 李拂晓 邵凯 杨乃彬 南京电子器件研究所
针对移动通讯用GaAs开关集成电路,采用Agilent-VEE软件,建立多端口GaAs开关电路的RF参数自动测试系统,完成器件的快速测试、数据处理、产品筛选等功能,满足GaAs器件批量生产的需求.
来源： 评论
Ga(In)NAs/GaAs长波长光电子材料与器件的研究
Ga(In)NAs/GaAs长波长光电子材料与器件的研究
收藏
分享
引用
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 林耀望 潘钟 吴荣汉 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)
GaAs基的GaInNAs材料及器件的研究是当前光电子领域前沿热门课题.本文将报道采用VG80H MKII MBE系统,在GaAs(100)衬底上生长高质量的GaNAs和GaInNAs量子阱结构材料和器件的研究结果.
来源： 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共97页 <<  < 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 >  >>
回到顶部
执行限定条件