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DWDM全光网中的光电器件
DWDM全光网中的光电子器件
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 余金中 魏红振 王启明 中国科学院半导体研究所(北京)
人们对宽带通讯的前所未有的要求给通讯带来了无限的机会和挑战.由于光纤所具有的巨大的带宽使全光通讯一直成为人们研究的热点.作为一种新兴的可以方便的提高系统的传输容量、具有巨大的扩容潜力的通讯技术,密集波分复用(DWDM)就是为... 详细信息
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<'29>Si<'+>注入n-GaAs欧姆接触研究
<'29>Si<'+>注入n-GaAs欧姆接触研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 李冰寒 夏冠群 周健 刘文超 中国科学院上海微系统与信息技术研究所(上海)
本文系统研究了离子注入n-GaAs材料的欧姆接触性质.采用非相干光快速合金化方法实现了AuGeNi/Au与Si注入掺杂n-GaAs之间性能良好的欧姆接触.在快速合金化条件下,比接触电阻与Si注入的剂量和能量无关,比接触电阻均在3×10Ω·cm... 详细信息
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IC生产成本管理和成品率
IC生产成本管理和成品率
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 李绍武 王静辉 香港兴华半导体工业有限公司 信息产业部电子十三研究所
本文利用成本管理理论研究和分析了IC生产的成本因素.成本函数.固定成本管理.成品率管理.及以成本为量化的盈亏平衡点分析等.并给出了IC制造企业成本管理的必要性和应采取的有效措施和方法.
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多层垂直耦合InAs量子点发光性质的研究
多层垂直耦合InAs量子点发光性质的研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 何军 徐波 朱天伟 曲胜春 刘峰奇 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京)
对多层垂直耦合1.3μm发光InAs量子点的研究发现,由于层间应力的相互影响,量子点发光峰随层间间隔层厚度的增加会朝低能方向移动,这说明在制备多层耦合1.3μm量子点的时候我们必须考虑GaAs间隔层的厚度.
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GaAs基谐振腔增强型(RCE)发射器和接收器
GaAs基谐振腔增强型(RCE)发射器和接收器
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 吴荣汉 杨晓红 梁琨 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)
本文报导了GaAs基近红外RCE型发射器和接收器的实验结果,并对用相同生长结构的芯片制作发射器和接收器的可行性、兼容性及其优化进行了理分析.
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准连续140w半导体激光器线阵列
准连续140w半导体激光器线阵列
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 安振峰 刘英斌 王晓燕 李学颜
采用MOCVD折射率渐变量子阱外延材料,外延层挖槽隔离和铬金金属化工艺,腔面镀以增透和高反膜,研制出了1cm长线阵列,在准连续(QCW)条件下输出功率达140W,近场图形完好,远场图分布对称,在100W输出功率下可以实用.
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多层强耦合量子点的研究现状
多层强耦合量子点的研究现状
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 朱天伟 徐波 何军 谢二庆 王占国 中国科学院半导体所材料科学重点实验室(北京) 兰州大学物理科学与技术学院(兰州)
本文总结了强耦合InAs量子点电学特性和GaAs间隔层厚度的关系,用量子点间的非共振隧穿模型给出了完美的解释,并提出了生长柱形量子点的方法.
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GaAs FET失效机理及快速评价实验技术的研究
GaAs FET失效机理及快速评价实验技术的研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 李志国 宋增超 孙大鹏 程尧海 张万荣 周仲蓉 北京工业大学电控学院(北京)
本文提出了快速评价GaAs FET可靠性寿命的一种新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,在线快速提取出器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而可进一步求出器件的失效激活能、寿命等相关的可靠性参数.
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GaInAsSb红外探测器的硫钝化和退火研究
GaInAsSb红外探测器的硫钝化和退火研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 黄文奎 夏冠群 周萍 李志怀 中国科学院上海信息技术与微系统研究所(上海)
暗电流和动态电阻是反映红外探测器性能的重要参数,材料表面的处理可以很大程度上改善探测器的性能.本文介绍了硫钝化和退火处理对于GaInAsSb红外探测器的暗电流特性的改善和动态电阻的提高.
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GaAs(110)衬底GaN薄膜的制备与特性研究
GaAs(110)衬底GaN薄膜的制备与特性研究
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件光电器件学术会议
作者: 杨莺歌 马洪磊 薛成山 庄惠照 郝晓涛 马瑾 山东大学物理与微电子学院(济南) 山东师范大学半导体研究所(济南)
本文报道了用溅射后退火反应法在GaAs(110)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,TEM测量结果表明该方法制备的GaN是沿c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜.在室温下,PL测量发现位于368nm处的强光致发光峰.
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