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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

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学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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GaAs微波大功率内匹配晶体管研究

GaAs微波大功率内匹配晶体管研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王同祥李岚李增路关富民宋俊奎信息产业部电子第十三研究所(河北石家庄)

本文介绍了GaAs微波大功率FET的设计、制作和性能,内匹配功率合成技术研究等.工艺采用高质量MBE材料,成功地制作了大栅宽(单胞12mm、20mm)的芯片,经内匹配,合成器件在C波段3.7-4.2GHz,P≥30W,G≥10Db,5.2-5.8GHz,P≥28-30W,G≥8dB,X波段... 详细信息

本文介绍了GaAs微波大功率FET的设计、制作和性能,内匹配功率合成技术研究等.工艺采用高质量MBE材料,成功地制作了大栅宽(单胞12mm、20mm)的芯片,经内匹配,合成器件在C波段3.7-4.2GHz,P<,-Idb>≥30W,G<,p>≥10Db,5.2-5.8GHz,P<,-Idb>≥28-30W,G<,p>≥8dB,X波段8.6-9.6GHz,输出功率20瓦;Ku波段,带宽500MHz,输出功率16瓦.

关键词： MESFET 砷化镓晶体管工作原理结构设计

来源：评论

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X射线光刻技术制作深亚微米T型栅的实用化研究

X射线光刻技术制作深亚微米T型栅的实用化研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：谢常青陈大鹏李兵孙加兴赵玲利胥兴才叶甜春中国科学院微电子中心(北京)

本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术在GaAs器件及电路制造中的研究进展情况,再对目前国内X射线光刻技术的研究状况进行了较为详细的介绍,其中重点论述了深亚微米X射线掩模的研制、深亚微米X射线光刻系统的优化设计、掩模形变的模拟... 详细信息

本文首先简要介绍了国际上X射线光刻技术在GaAs器件及电路制造中的研究进展情况,再对目前国内X射线光刻技术的研究状况进行了较为详细的介绍,其中重点论述了深亚微米X射线掩模的研制、深亚微米X射线光刻系统的优化设计、掩模形变的模拟与控制、高精度对准技术、深亚微米T型栅工艺等方面研究状况,最后对X射线光刻技术在国内的实用化研究进行了简要分析.

关键词： X射线光刻 X射线掩模掩模形变深亚微米T型栅光刻技术半导体器件

来源：评论

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GaN刻蚀表面上GaCl<,x>的滞留研究

GaN刻蚀表面上GaCl<,x>的滞留研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：魏珂刘训春王润梅罗明雄曹振亚牛立华肖冬萍中科院微电子中心(北京)

近几年来,GaN以代表的新一代Ⅲ-Ⅵ族氮化物半导体材料发展迅猛.GaN具有禁带宽度大,热稳定性及化学稳定性好,电子极限漂移速度大等优点.因此在高温、大功率高速器件方面具有很广泛的应用前景.由于GaN具有良好的热稳定性和化学稳定性给常... 详细信息

近几年来,GaN以代表的新一代Ⅲ-Ⅵ族氮化物半导体材料发展迅猛.GaN具有禁带宽度大,热稳定性及化学稳定性好,电子极限漂移速度大等优点.因此在高温、大功率高速器件方面具有很广泛的应用前景.由于GaN具有良好的热稳定性和化学稳定性给常规的刻蚀技术带来了难题.湿法腐蚀较为困难,干法刻蚀技术成为首选.本文在利用ICP-98型高密度等离子刻蚀机进行GaN的刻蚀研究中,通过添加CF<,4>气体,初步解决了ICP刻蚀表面上GaCl<,x>的滞留问题,改善了刻蚀形貌.

关键词：干法刻蚀 GaCl 半导体器件氮化镓刻蚀技术

来源：评论

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稀土掺杂半导体纳米晶性质研究

稀土掺杂半导体纳米晶性质研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曲胜春王威金鹏何军刘峰奇王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京)

使用共沉淀方法,以无机前驱体为原液,在水/醇二元体系中制备了均分散的ZnS稀土掺杂化合物半导体纳米晶.高分辨透射电镜观察表明产物形貌为近球形,平均粒径为3—5纳米,与由X-ray衍射谱使用Debye-Scherrer公式计算的结果上一致,也表明产... 详细信息

使用共沉淀方法,以无机前驱体为原液,在水/醇二元体系中制备了均分散的ZnS稀土掺杂化合物半导体纳米晶.高分辨透射电镜观察表明产物形貌为近球形,平均粒径为3—5纳米,与由X-ray衍射谱使用Debye-Scherrer公式计算的结果上一致,也表明产物有较好的结晶性;同时,X-ray粉末衍射研究表明产物为立方闪锌矿结构;XPS元素分析显示了Eu<'3+>离子在ZnS晶格中的有效、稳定掺杂;在光致发光研究中,观察到了ZnS纳米晶在室温下的稳定可见光发射,特别是在掺杂纳米晶的发射谱中观察到了由掺杂离子引起的双峰结构,并给以指认.实验结果也表明,通过控制合成条件可以制备稳定稀土掺杂的化合物半导体纳米晶,解决了稀土离子因价态高、半径大在纳米晶中难于稳定掺杂的问题.

关键词：半导体纳米晶量子效应稀土掺杂共沉淀方法纳米材料

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InP基HEMT的注入隔离

InP基HEMT的注入隔离

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张绵李岚张海明文锦章信息产业部电子第十三研究所(河北省石家庄)

"电学隔离"是器件和单片制备的关键工序之一,由于InGaAs/InAlAs异质结固有的材料结构和材料特性使器件的隔离具有特异性.本文对B和Ar离子注入InGaAs/InAlAs异质结器件的隔离进行了实验研究.初步的实验结果表明,采用Ar作为注... 详细信息

"电学隔离"是器件和单片制备的关键工序之一,由于InGaAs/InAlAs异质结固有的材料结构和材料特性使器件的隔离具有特异性.本文对B<'+11>和Ar<'+40>离子注入InGaAs/InAlAs异质结器件的隔离进行了实验研究.初步的实验结果表明,采用Ar<'+40>作为注入离子,在注入能量为100Kev,注入剂量1×10<'15>cm<'2>时,可获得优于200V/10μA的隔离区击穿电压和优于100V/10μA的台间隔离电压,基本满足器件设计要求,进一步的优化将使全平面InGaAs/InAlAs的制备成为可能.

关键词：磷化铟异质结器件电学隔离离子注入

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Si衬底上无裂纹GaN膜的GSMBE生长

Si衬底上无裂纹GaN膜的GSMBE生长

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：罗木昌王晓亮刘宏新王雷李晋闽孙殿照曾一平林兰英中国科学院半导体研究所材料中心(北京)

通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并用双晶X射线回摆曲线对外延... 详细信息

通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并用双晶X射线回摆曲线对外延层的质量进行了评价,我们得到的无裂纹GaN外延层的双晶回摆曲线半峰宽为16.55弧分(993arcsec).

关键词：分子束外延氮化镓半导体材料外延生长质量评价表面裂纹

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应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究

应变层InGaAsP量子阱激光器结构的调制光谱研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：金鹏曲胜春王占国张存洲潘士宏中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京) 南开大学物理科学学院(天津)

利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量... 详细信息

利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bastard包络函数方法和Kane模型从理论上计算了该应变层InGaAsP四元合金三量子阱内电子和空穴的能级和跃迁能量,计算结果与实验数据符合得很好,得到了In<,0.758>Ga<,0.242>As<,0.83>P<,0.17>与In<,0.758>Ga<,0.242>As<,0.525>P<,0.475>四元合金应变界面重空穴的导带边带阶.

关键词：量子阱激光器调制光谱跃迁能量能级

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λ<,P>=0.97μm横向PIN结构锗硅光电探测器

λ<,P>=0.97μm横向PIN结构锗硅光电探测器

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：郭辉郭维廉郑云光郝禄国李树荣吴霞宛天津大学电信工程学院

采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂直入射光照射下,其响应波长范围为0.5~1.2μm,峰值响应波长为0.97μm,在峰值响应波长的响应度为0.4μA/μW... 详细信息

采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂直入射光照射下,其响应波长范围为0.5~1.2μm,峰值响应波长为0.97μm,在峰值响应波长的响应度为0.4μA/μW.在0~4V的反向偏压下,其暗电流水平低于0.1pA/μm<'2>,寄生电容小于1pF.与CMOS集成电路制作具有良好的兼容性.

关键词： CMOS/SOI SiGe/Si 光电探测器结构设计器件制作

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SPACER层中的δ掺杂对RTD性能的影响

SPACER层中的δ掺杂对RTD性能的影响

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张晓昕曾一平王保强朱占平中国科学院半导体所(北京)

在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,增加δ掺杂的浓度可以提高RTD的峰谷比,降低谷值电流密度,从... 详细信息

在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm<'2>性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,增加δ掺杂的浓度可以提高RTD的峰谷比,降低谷值电流密度,从而提高了RTD的整体性能.这可能是因为增加δ掺杂浓度后,增加了势垒前的势阱的深度,使得由热电子激发越过势垒的几率减小的缘故.我们的这项工作为以后RTD与其他器件的集成作好了准备,并为集成器件以后的应用打好了基础.

关键词： RTD δ掺杂峰谷比 SPACER层谷值电流密度半导体材料

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高铝组分AlGaAs/AlAs型DBR的选择性氧化

高铝组分AlGaAs/AlAs型DBR的选择性氧化

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：康香宁叶晓军高俊华陈良惠中科院半导体所光电子国家工程中心(北京)

在垂直腔面发射激光器结构中掩埋AlAs层采用选择性湿氮氧化工艺形成电流限制波导的基础上,针对可见光波段的要求,对掩埋的选择性氧化层和分布布拉格反射镜中的高铝组分层的氧化特性和掺杂对氧化速率的影响进行了详细研究,结合结构设计... 详细信息

在垂直腔面发射激光器结构中掩埋AlAs层采用选择性湿氮氧化工艺形成电流限制波导的基础上,针对可见光波段的要求,对掩埋的选择性氧化层和分布布拉格反射镜中的高铝组分层的氧化特性和掺杂对氧化速率的影响进行了详细研究,结合结构设计优化了工艺条件,降低了氧化后电流注入区的电阻并得到了可精确控制氧化速率和氧化均匀性的工艺条件.

关键词：选择性湿氮氧化垂直腔面发射激光器布拉格反射器化学湿法腐蚀氧化速率

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