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文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
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学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
22 篇 光电器件
21 篇 离子注入
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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AlGaN/GaN HEMT器件

AlGaN/GaN HEMT器件

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：肖冬萍魏珂王润梅中科院微电子中心

报道了AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺和器件的室温直流特性测试结果.器件的栅长为0.8μm,源漏间距为4μm,最大电流密度为25mA/mm,最大跨导为12mS/mm.

关键词：半导体器件氮化镓器件 HEMT器件制造工艺直流特性

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碳化硅电子器件的基础问题

碳化硅电子器件的基础问题

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李效白专用集成电路国家重点实验室(石家庄市)

SiC材料可以制作高频高温高压大电流大功率抗辐射的器件,成为第三代最具代表性的半导体材料之一,本文综述了碳化硅电子材料与器件近些年来国内外的发展和它的基础问题.

关键词：碳化硅半导体材料电子器件

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SiC MESFET器件工艺研究

SiC MESFET器件工艺研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管.

关键词： 4H碳化硅金属半导体场效应管微波宽禁带半导体

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热蒸发沉积的硫化锌薄膜的结构分析

热蒸发沉积的硫化锌薄膜的结构分析

引用

第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议

作者：柳兆洪陈振湘大学物理系

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一种低成本长距离有源UHF射频标签的设计研究

一种低成本长距离有源UHF射频标签的设计研究

引用

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陶慧斌梁峰邵志标西安交通大学电子科学与技术系

本文简明分析了UHF频段的有源射频标签所涉及高灵敏和低功耗的接收电路,简单易行的发送电路以及超低功耗的基带处理电路.进行了设计验证,给出基于此结构的标签的各项实验测试结果.

关键词：超高频段射频标签光电器件接收电路

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微波功率管在老化试验中失效机理分析

微波功率管在老化试验中失效机理分析

引用

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：王慧敏北京微电子技术研究所(北京)

本文针对微波功率管在老化试验中出现的失效现象进行分析,对于改进微波功率管的设计和工艺,提高器件的可靠性具有一定意义.

关键词：微波功率管失效机理老化试验

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超晶格缓冲层在GaAs/AlGaAs激光器材料中的应用

超晶格缓冲层在GaAs/AlGaAs激光器材料中的应用

引用

第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议

作者：朱东海梁基本科学院半导体研究所半导体材料科学实验室

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GaN——第三代半导体的代表

GaN——第三代半导体的代表

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：梁春广工业部第十三研究所(石家庄)

GaN是第三代半导体的代表。该文叙述了GaN材料的优良特性，制造微波高温半导体器件的研究动态和应用前景，尤其是GzNLED和LD近几年令人瞩目的进展以及在大屏幕全色显示、交通信号灯、汽车尾灯、甚至固体照明灯以及高速超大容量CD-ROM信... 详细信息

GaN是第三代半导体的代表。该文叙述了GaN材料的优良特性，制造微波高温半导体器件的研究动态和应用前景，尤其是GzNLED和LD近几年令人瞩目的进展以及在大屏幕全色显示、交通信号灯、汽车尾灯、甚至固体照明灯以及高速超大容量CD-ROM信息存贮等方面应用的诱人前景。因此，GaN材料和器件既是科学家们的研究前沿，又是企业家们巨大市场竞争的焦点。

关键词： GaN 半导体

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GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的稳定性研究

GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的稳定性研究

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙小玲杨辉科学院半导体研究所国家光电子工艺中心(北京) 科学院半导体研究所超晶格开放实验室(北京)

该文采用高温热退火和激光退火的方式对低压MOCVD方法在GaAs衬底（001）面制备的立方相GaN薄膜进行处理，利用光致发光光谱和喇曼散射光谱来研究相变过程。首次报道了亚稳相c-GaN的相变条件及其光学特征。

关键词： GaAs衬底 MOCVD 生长立方相GaN材料

来源：评论