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- 718 篇 材料科学与工程（可...
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- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
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- 1 篇 管理科学与工程(可...

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57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
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23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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RF-MBE生长AlN/GaN周期结构二维电子气材料

RF-MBE生长AlN/GaN周期结构二维电子气材料

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：胡国新王晓亮孙殿照刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英中国科学院半导体所材料中心(北京)

用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2.2×10cm,相应的电子迁移率为221cm/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线... 详细信息

用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2.2×10<'18>cm<'-3>,相应的电子迁移率为221cm<'2>/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7arcmin;AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为1086cm<'2>/Vs,相应的电子气面密度为8.0×10<'12>cm<'-2>.

关键词： AlGaN/GaN 半导体材料分子束外延二维电子气材料

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1.55μm MEMS可调谐光滤波器的设计和分析

1.55μm MEMS可调谐光滤波器的设计和分析

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：左玉华成步文黄昌俊毛容伟李传波罗丽萍高俊华白云霞王良臣余金中王启明集成光电子学国家联合实验室中国科学院半导体研究所(北京)

随着互联网的快速发展,可调谐技术日益成为DWDM技术中不可或缺的重要技术.在众多的可调谐技术中,MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)技术由于其特有的优势—能够实现低成本,低功耗和大的调谐范围,已被公认是最佳的解决途径之一.本... 详细信息

随着互联网的快速发展,可调谐技术日益成为DWDM技术中不可或缺的重要技术.在众多的可调谐技术中,MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)技术由于其特有的优势—能够实现低成本,低功耗和大的调谐范围,已被公认是最佳的解决途径之一.本文介绍了利用Si表面微机械技术,在Si衬底上制作1.55μm Fabry-Perot共振腔型的可调谐光滤波器.其原理是利用上下反射镜的静电吸引作用,实现波长的调谐.我们在国内首次制作了1.55μm的Si基可调谐光滤波器,得到了初步的测量结果.本文详细讨论了可调谐滤波器的设计原则,并进行了力学和光学性能的分析,进而讨论了影响MEMS滤波器可调谐性能的器件参数.

关键词：表面微机械可调谐滤波器器件制作光学性能力学性能

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无铬光刻掩模的简易制作方法

无铬光刻掩模的简易制作方法

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：侯德胜冯伯儒张锦中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室(成都)

介绍一种制作无铬光刻掩模的简易方法,即用光刻胶膜层直接作为掩蔽层在透明基片上制作光刻掩模.其基本原理是利用光刻胶对不同波长入射光的透过率不同的特性,选用对曝光波长透过率低的光刻胶直接制作光刻掩模.其制作方法是用普通匀胶机... 详细信息

介绍一种制作无铬光刻掩模的简易方法,即用光刻胶膜层直接作为掩蔽层在透明基片上制作光刻掩模.其基本原理是利用光刻胶对不同波长入射光的透过率不同的特性,选用对曝光波长透过率低的光刻胶直接制作光刻掩模.其制作方法是用普通匀胶机将选用的光刻胶按一定厚度均匀涂敷在透明基片上,再经曝光、显影等工艺制成有图形的光刻掩模.采用这种方法实际制作了KrF准分子激光光刻用的光刻胶掩模,并用于缩小投影光刻实验,做出了实验结果.

关键词：光刻胶光刻掩模准分子激光光刻半导体器件制作工艺

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用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN MESFET的特性

用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN MESFET的特性

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：郭宝增宋登元河北大学电子信息工程学院(保定)

本文介绍用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN金属半导体场效应晶体管(MESFET)交直流特性的主要结果.衬底为n型纤锌矿相GaN,掺杂浓度为3×10cm.为形成良好的欧姆接触,源漏区采用高掺杂.栅极为金属材料Au,Au与GaN形成肖特基接... 详细信息

本文介绍用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN金属半导体场效应晶体管(MESFET)交直流特性的主要结果.衬底为n型纤锌矿相GaN,掺杂浓度为3×10<'17>cm<'-3>.为形成良好的欧姆接触,源漏区采用高掺杂.栅极为金属材料Au,Au与GaN形成肖特基接触.源漏区长度为0.4μm,栅极长度为0.1μm.通过模拟得到了漏极电流I<,d>与漏源电压的V<,ds>输出特性曲线.在V<,DS>=15V,V<,GS>=0V的条件下漏极电流I<,d> i为5.03A/cm,这是一个比较高的值.模拟还得到了跨导和电流截止频率与栅源电压的关系曲线.在V<,DS>=15V,V<,GS>=1.5V,的条件下,跨导出现最大值,最大值为112ms/mm.在V<,DS>=15V,V<,GS>=0V的条件下,电流截止频率f<,T>出现最大值,最大值为98GHZ.

关键词：场效应晶体管化合物半导体氮化镓 Monte Carlo方法直流特性交流特性

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分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别

分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识...

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：卢励吾张砚华 J.Wang Weikun Ge 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室(北京) 香港科技大学物理系(香港九龙清水湾)

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的high electron mobility transistors(HEMTs)和Pseudomorphic high electron mobility transistors(P-HEMTs)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10<'15>-10<'17>cm<'-3>)和俘获截面(10<'16>cm<'-2>)的近禁带中部电子陷阱.同时还观察到P-HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs/InGaAs/GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具.

关键词：分子束外延生长半导体材料 AlGaAs 功能材料电子迁移率

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量子点垂直腔面发射激光器有源区制备研究

量子点垂直腔面发射激光器有源区制备研究

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孟宪权徐波金鹏李成明张子杨赵凤瑷刘峰奇王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室(北京)

采用分子束外延方法制备了多层量子点作为垂直腔面发射激光器的有源区,对多层量子点样品用光荧光(PL)测试表明,在低温15K时,多层量子点光荧光(PL)的强度优于单层量子点.室温时,则是单层量子点样品的PL强度更大.由于声子瓶颈效应,不同于... 详细信息

采用分子束外延方法制备了多层量子点作为垂直腔面发射激光器的有源区,对多层量子点样品用光荧光(PL)测试表明,在低温15K时,多层量子点光荧光(PL)的强度优于单层量子点.室温时,则是单层量子点样品的PL强度更大.由于声子瓶颈效应,不同于通常情形,量子点激发态光荧光强度随温度升高而下降更显著.通过优化生长条件,制备了在室温时量子点基态光荧光波长接近1.3μm的五层量子点为垂直腔面发射激光器的有源区.

关键词：量子点垂直腔面发射激光器光纤通讯垂直腔面有源区制备

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Si(111)衬底上GSMBE AlN的结构性质

Si(111)衬底上GSMBE AlN的结构性质

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：罗木昌王晓亮刘宏新王雷李晋闽张小平潘华勇胡国新孙殿照曾一平林兰英中国科学院半导体研究所材料中心(北京) 北京大学物理系电镜中心(北京)

我们用NH作气源的MBE法在Si(111)衬底上外延生长了高质量的AlN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积Al以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了... 详细信息

我们用NH<,3>作气源的MBE法在Si(111)衬底上外延生长了高质量的AlN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积Al以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的表征,用高分辨率电子显微镜对AlN外延层进行了考察,发现我们获得的AlN是六方相,外延的取向关系为(0001)AlN//(111)Si,(11-20)AlN//(110)Si,[10-10]AlN//[11-2]Si,.

关键词：分子束外延氮化铝半导体材料外延生长表面形貌结构性质

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调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光谱研究

调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光谱研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：朱建军刘素英史永生赵德刚杨辉梁骏吾中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室(北京)

本文研究了调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光(PL)谱,发现了两个与二维电子气(2DEG)相关的发光峰H和H.它们对应于两个不同子能级2DEG电子与光生空穴之间的复合发光.当在同一样品的不同位置进行测量时,H和H之间能量差在75meV和108me... 详细信息

本文研究了调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光(PL)谱,发现了两个与二维电子气(2DEG)相关的发光峰H<,0>和H<,1>.它们对应于两个不同子能级2DEG电子与光生空穴之间的复合发光.当在同一样品的不同位置进行测量时,H<,0>和H<,1>之间能量差在75meV和108meV之间变化,其平均值为95meV.随着温度的升高,H<,1>峰有微弱的红移,而H<,0>峰却有轻微的蓝移;当温度从10K上升到70K时,H<,0>和H<,1>之间能量差(ΔE)在减小了约3meV.

关键词：调制掺杂二维电子气光荧光谱氮化镓

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偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC外延膜的生长研究

偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC外延膜的生长研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙国胜赵万顺王雷罗木昌曾一平李晋闽孙殿照林兰英中国科学院半导体研究所(北京)

用低压化学沉积(LPCVD)方法在偏向方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长,利用Nomarski光学显微镜和原子力显微镜(AFM)研究了原生长4H-SiC外延膜的表面形貌.在450℃下熔融的KOH中经过6分钟腐蚀后,4H-SiC表面... 详细信息

用低压化学沉积(LPCVD)方法在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长,利用Nomarski光学显微镜和原子力显微镜(AFM)研究了原生长4H-SiC外延膜的表面形貌.在450℃下熔融的KOH中经过6分钟腐蚀后,4H-SiC表面出现了六角形蚀坑、壳形蚀坑和蚀坑线,这三种蚀坑分别起因于平行于C-轴的螺旋位错、平行于Si(0001)晶面的滑移位错和由位错列阵组成的相邻晶粒之间的低角度晶界.对六角形蚀坑和壳形蚀坑的形成及其底部位置的不同移动方向进行了解释.

关键词： 4H-SiC 偏晶向衬底表面形貌位错结构半导体材料化学淀积法外延生长

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InP体材料的GDMS测试研究

InP体材料的GDMS测试研究

引用

第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈秉克孙聂枫杨光耀谢德良刘二海周晓龙孙同年普朝光王良孙毅之信息产业部电子第十三研究所(河北省石家庄市) 昆明物理研究所(云南省昆明市) 信息产业部电子四十六研究所(天津市)

采用了一种新的质谱方法--辉光放电质谱(GDMS)测试对LEC-InP体材料进行了杂质含量的测试分析.比较了国际主要InP体材料供应商用同样方法测试的数据,以及原材料的质谱数据.说明了材料中主要杂质的可能来源.因为GDMS测试可以非常清楚的了... 详细信息

采用了一种新的质谱方法--辉光放电质谱(GDMS)测试对LEC-InP体材料进行了杂质含量的测试分析.比较了国际主要InP体材料供应商用同样方法测试的数据,以及原材料的质谱数据.说明了材料中主要杂质的可能来源.因为GDMS测试可以非常清楚的了解材料所含杂质情况,并可以明确指导其它光学、电学测试结果分析的合理性.结果表明我们使用磷注入快速合成方法得到的磷化铟体材料的纯度非常高,经过退火完全具备制造非掺杂半绝缘磷化铟材料.进一步对退火前后的非掺杂InP样品的GDMS样品数据将可以更清楚的了解InP材料的半绝缘的形成机理.

关键词：半导体材料磷化铟辉光放电质谱测试杂质含量

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