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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

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- 204 篇 光学工程
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- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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砷化镓扩散长度的变加速电压束感生电流法测量

砷化镓扩散长度的变加速电压束感生电流法测量

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：王万年李成基李韫言中国科学院半导体研究所(北京)

计算了变加速电压的束感生电流法测定扩散长度理论公式，并用电子探针和扫描电镜测量了各种GaAs材料的扩散长度。

关键词：半导体材料扩散长度加速电压电子束感生电流

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空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察

空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：李韫言蔚燕华李成基中国科学院半导体研究所(北京)

在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有10nm的砷层，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。

关键词：砷化镓汽泡俄歇分析阴极荧光

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AlGaN/GaN HEMT器件研究

AlGaN/GaN HEMT器件研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：曾庆明吕长志刘伟吉李献杰信息产业部电子第十三研究所(石家庄) 北京工业大学固态电子学研究所

叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm，由S参数测量推出器件的截止频率f和最高振荡频率f分别为12GHz和24GHz。

叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm，由S参数测量推出器件的截止频率f<,T>和最高振荡频率f<,max>分别为12GHz和24GHz。

关键词：宽禁带半导体半导体材料

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K波段单片功率放大器

K波段单片功率放大器

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：陈新宇蒋幼泉黄念宁陈效建南京电子器件研究所

报道了K波段的PHEMT MMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inch GaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处，线性增益17dB，输出功率P＝19dbm。

报道了K波段的PHEMT MMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inch GaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处，线性增益17dB，输出功率P<,-1>＝19dbm。

关键词： K波段高频带单片功率放大器

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GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析

GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：郑红军卜俊鹏尹玉华白玉柯中国科学院半导体研究所(北京)

采用不同的化学腐蚀方法，探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响，提出了氨水系列，进行晶片化学腐蚀，晶片厚度均匀性11.47℅，为下步工艺提供平整度较好的晶片。

关键词：研磨片化学腐蚀方法晶片均匀性

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微波集成滤波器研究

微波集成滤波器研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：张海涛齐臣杰刘理天清华大学微电子研究所(北京)

用MEMS技术在硅基片上制作了微波集成滤波器，并提出一种三维电容，该电容用MEMS的深槽刻蚀技术实现三维结构。该电容面积只有平面电容的1/3。电感采用MEMS的背面腐蚀技术，去掉硅衬底，减少了衬底损耗，解决硅衬底电阻率不高的缺点。... 详细信息

用MEMS技术在硅基片上制作了微波集成滤波器，并提出一种三维电容，该电容用MEMS的深槽刻蚀技术实现三维结构。该电容面积只有平面电容的1/3。电感采用MEMS的背面腐蚀技术，去掉硅衬底，减少了衬底损耗，解决硅衬底电阻率不高的缺点。导体采用MEMS的准LIGA厚胶光刻和电铸工艺，使金属膜的厚度大大增加，减少导体损耗，从而提高电感的Q值。

关键词：微波集成电路滤波器三维电容

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全自动在片直流测试技术对提高GaAS MMIC批量生产成品率的作用

全自动在片直流测试技术对提高GaAS MMIC批量生产成品率的作用

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：吴振海郝西萍蒋幼泉陈新宇南京电子器件研究所(南京)

成品率高低是批量生产能否进行的关键。采用全自动在片直流测试，对参数进行统计分析，能判断成品率是否正常，并帮助找出影响成品率的原因。该文介绍了行之有效的测试统计和分析技术。

关键词：成品率在片测试

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半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题

半绝缘砷化镓Hall测量中的若干问题

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：李成基李韫言王万年何宏家中国科学院半导体研究所(北京)

建立了绝缘电阻大于10Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响，并讨论了各种因素所引起的测量误差。

建立了绝缘电阻大于10<'13>Ω和温度起伏小于0.1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响，并讨论了各种因素所引起的测量误差。

关键词：半绝缘砷化镓测量电阻率迁移率

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ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：谭满清陆建祖李玉鉴中国科学院半导体研究所工程中心(北京)

以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR Plasma CVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N)t /Q(SiH)和Q(O)/Q(SiH)关系的数学模型，比模型在给定气流配比Q(N)/Q(SiH和Q... 详细信息

以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR Plasma CVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N<,2>)t /Q(SiH<,4>)和Q(O<,2>)/Q(SiH<,4>)关系的数学模型，比模型在给定气流配比Q(N<,2>)/Q(SiH<,4>和Q(O<,2>)/Q(SiH<,4>)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好，为ECR Plasma CVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础。

关键词：人工神经网络回旋共振等离子体气相沉积介质膜

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高温退火对InGaAsP/InP双异质结光弹波导结构的影响

高温退火对InGaAsP/InP双异质结光弹波导结构的影响

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：邢启江北京大学物理系

光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下，利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的WNi金属薄膜应变条。实验结果充分证明了由WNi金属薄膜在InGaA... 详细信息

光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构。InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下，利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的W<,0.95>Ni<,0.05>金属薄膜应变条。实验结果充分证明了由W<,0.95>Ni<,0.05>金属薄膜在InGaAsP/InP双异质结构内形成的光弹波导结构具有很高的热稳定性。

关键词：半导体接触光弹效应平面型波导器件热稳定性

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