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948 篇 会议
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- 6 篇 化学工程与技术
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- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
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- 1 篇 软件工程
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- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
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主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
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22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
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19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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在p-SI(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

在p-SI(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：姚振钰贺洪波柴春林中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京) 中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心(上海)

室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射，其强度与晶体质量有关。

关键词：磁控溅射 ZnO薄膜 SI衬底

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弱耦合超晶格中的高频自维持振荡

弱耦合超晶格中的高频自维持振荡

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：江德生孙宝权中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京)

研究了掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格在直流偏压作用下的电场畴及自维持振荡，分析了通过加光照，变温、加横向磁场等方法使稳定场畴向动态场畴转换并产生自维持振荡的机制，指出有效漂移速度V(B,F)曲线线形对纵向输运行为的重要影响。在Ga... 详细信息

研究了掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格在直流偏压作用下的电场畴及自维持振荡，分析了通过加光照，变温、加横向磁场等方法使稳定场畴向动态场畴转换并产生自维持振荡的机制，指出有效漂移速度V(B,F)曲线线形对纵向输运行为的重要影响。在GaAs/AlAs窄势垒超晶格中得到了室温下千兆赫微波振荡。

关键词：超晶格电场畴隧穿高频振荡

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GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路

GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：曾庆明徐晓春刘伟吉信息产业部电子第十三研究所专用集成电路国家重点实验室

叙述了基于GaAs HBT的直接耦合级联形式，设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。

关键词：砷化镓微波单片集成电路

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Ge<,x>Si<,1-x>/Si中应变的会聚束电子衍射研究

Ge<,x>Si<,1-x>/Si中应变的会聚束电子衍射研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：范缇文吴巨王占国中国科学院半导体研究所材料开放实验室(北京)

介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定GeSi/Si化学梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。

介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定Ge<,x>Si<,1-x>/Si化学梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。

关键词：金属化合物会聚束电子衍射计算机模拟应变

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CuO-ZnO异质结半导体陶瓷气敏机理的研究

CuO-ZnO异质结半导体陶瓷气敏机理的研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：胡英周晓华魏红军西安电子科技大学技术物理学院(西安)

CuO-ZnO异质结气敏传感器是一种新型的气敏传感器，它有成本低、工艺简单、检测方便等众多优点。该工作主要研究了CuO和ZnO不同比例情况下，该传感器的气敏性能。测试了它的阻温特性及在不同温度、不同气氛条件下器件的灵敏度，并从理... 详细信息

CuO-ZnO异质结气敏传感器是一种新型的气敏传感器，它有成本低、工艺简单、检测方便等众多优点。该工作主要研究了CuO和ZnO不同比例情况下，该传感器的气敏性能。测试了它的阻温特性及在不同温度、不同气氛条件下器件的灵敏度，并从理论上对测试结果及敏感机理进行了分析和讨论。

关键词：气敏传感器半导体陶瓷

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GaAs多量子阱的光电流谱

GaAs多量子阱的光电流谱

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：程兴奎周均铭黄绮山东大学光电材料与器件研究所中国科学院物理研究所(北京)

在T=77K，测量了GaAs多量子阱的光电流，发现在υ=1312cm附近存在一个强电流峰，并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰，强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的，而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关。

在T=77K，测量了GaAs多量子阱的光电流，发现在υ=1312cm<'-1>附近存在一个强电流峰，并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰，强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的，而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关。

关键词：砷化镓量子阱光电流电子干涉

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砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展

砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：陈效建毛昆纯林金庭杨乃彬南京电子器件研究所

着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAs MMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMIC CAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的各种MMIC为实例，包括发射、接收与控制三类电路... 详细信息

着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAs MMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件（MESFET，PHEMT及HBT）的CAD模型建立技术及MMIC CAD设计优化技术的基础上，以NEDI近年开发的各种MMIC为实例，包括发射、接收与控制三类电路，给出有关的实验结果。此外，简要介绍了MEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果。

关键词：砷化镓微波单片集成电路 CAD模型优化设计

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808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性

808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：胡贵军石家纬张素梅齐丽云李红岩吉林大学电子工程系(长春)

介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性，测试了器件的低频电噪声，讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明，808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低，其噪声在... 详细信息

介绍了808nm高功率量子阱远结半导体激光器的结构和器件特性，测试了器件的低频电噪声，讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明，808nm高功率量子阱远结半导体激光器的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低，其噪声在低频段主要为1/f噪声，且在阈值附近有最大值，器件噪声与器件质量有一定的相关性。

关键词：半导体激光器高功率远结噪声

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915-980nm应变量子阱激光器新进展

915-980nm应变量子阱激光器新进展

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：徐遵图张敬明马骁宇中国科学院半导体研究所光电子器件工程研究中心(北京)

报道了915～980nm半导体激光器的最新进展，宽条激光器输出功率为0.2～2.0W，最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW，水平和垂直方向远场发射角分别为7和23，组合件输出功率大于150mW。

报道了915～980nm半导体激光器的最新进展，宽条激光器输出功率为0.2～2.0W，最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW，水平和垂直方向远场发射角分别为7<'0>和23<'0>，组合件输出功率大于150mW。

关键词：应变量子阱激光器

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深亚微米栅HFET器件工艺研究

深亚微米栅HFET器件工艺研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：郑英奎和致经吴德馨中科院微电子中心(北京)

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(Heterojunction Field-Effect Transistor)器件，并对0.1μm栅长HFET器件的整套工艺及器件性能进行了研究。形成了一整套具有新... 详细信息

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(Heterojunction Field-Effect Transistor)器件，并对0.1μm栅长HFET器件的整套工艺及器件性能进行了研究。形成了一整套具有新特点的HFET器件制作工艺，获得了良好的器件性能(f<,t>=78GHz;g<,m>=440ms/mm)。

关键词：混合曝光 HFET T型栅电子束曝光光学曝光

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