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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

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学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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2.5～10Gb/s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究

2.5～10Gb/s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：高建军袁志鹏吴德馨中科院微电子中心(北京)

主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电器HEMTIC设计开展研究。着重讨论了PHEMT器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响，给出了满足电路性能要求的参数范围;对2.5～10Gb／sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真，眼图模拟... 详细信息

主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电器HEMTIC设计开展研究。着重讨论了PHEMT器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响，给出了满足电路性能要求的参数范围;对2.5～10Gb／sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真，眼图模拟结果表明满足2.5～10Gb／s高速光纤通信系统需要。

关键词：高速光集成电路光发射机驱动电路 HEMT器件

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940nm高功率列阵半导体激光器

940nm高功率列阵半导体激光器

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：曲轶薄报学高欣吉林大学电子工程系长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室

利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs，100Hz)输出功率达到27W（室温），峰值波长为939～941nm，并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。

关键词：分子束外延半导体激光器输出功率

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用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAs激光器材料的量子阱混合

用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAs激光器材料的量子阱混合

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：刘超李国辉韩德俊北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心

为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×10～5×10cm的P离子注入到InGaAs/InGaAs分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器结构,在700℃下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移的大小随... 详细信息

为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×10<'13>～5×10<'13>cm<'-2>的P<'+>离子注入到InGaAs/InGaAs分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器结构,在700℃下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大，并且能量比剂量对蓝移的影响更大。

关键词：量子阱混合波长蓝移半导体材料光致发光谱

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AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：郑燕兰李爱珍中国科学院信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所

用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数，如多量子阱中AlGaAsSb/InGaAsSb的阱宽，AlGaAsSb/InGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分，多量子阱中的阱数等... 详细信息

用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料，研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数，如多量子阱中AlGaAsSb/InGaAsSb的阱宽，AlGaAsSb/InGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分，多量子阱中的阱数等，来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度。

关键词：半导体材料多量子阱 PL强度激光器

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偏振差分反射谱(RDS)测试系统

偏振差分反射谱(RDS)测试系统

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：万寿科陈涌海王占国北京科学院半导体研究所材料开放室实验室(北京)

利用RDS测试系统，可以在近垂直入射条件下，测量出样品的反射系数在样品平面内两个相互垂直的方向上的细微差异，即所谓平面内光学各向异性。它对研究半导体材料及其量子阱超晶格等低维结构中的平面内光学各向异性、半导体表面重构和... 详细信息

利用RDS测试系统，可以在近垂直入射条件下，测量出样品的反射系数在样品平面内两个相互垂直的方向上的细微差异，即所谓平面内光学各向异性。它对研究半导体材料及其量子阱超晶格等低维结构中的平面内光学各向异性、半导体表面重构和对外延生长过程中的实时监控都具有重要作用。该系统已为研究工作提供了大量数据。

关键词：偏振器光弹性调制器平面内光学各向异性

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计算机程序控制电晕极化系统

计算机程序控制电晕极化系统

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：石志文应志春陈廷杰应冉沂国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所(北京) 国土资源部岩矿测试技术研究所(北京) 北京汇理信息技术公司(北京)

研制了计算机程序控制的电晕极化系统，系统由586计算机、加热设备、高压电源、计算机程序控制硬件设备和软件等组成，实现了电晕极化实验自动化。此实验系统使用方便、灵活、稳定，是极化聚合物材料、光波导和调制器件研究中关键工艺... 详细信息

研制了计算机程序控制的电晕极化系统，系统由586计算机、加热设备、高压电源、计算机程序控制硬件设备和软件等组成，实现了电晕极化实验自动化。此实验系统使用方便、灵活、稳定，是极化聚合物材料、光波导和调制器件研究中关键工艺设备，可大大提高工作效率、可靠性、重复性和实验的精度。

关键词：电晕极化聚合物二阶非线性计算机

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2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究

2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：李秉臣彭晔朱洪亮中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心(北京)

对2.5G DFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究，在退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对Au-Pt-Ti/InAs/p-InGaAs(掺Zn＞1×10cm)MQW/n-InP和Au-Pt-Ti/p-InGaAs(掺Zn＞1×10cm/MQW/n-InP两种结构进行了... 详细信息

对2.5G DFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究，在退火温度400℃，退火时间30s进行快速热退火条件下，对Au-Pt-Ti/InAs/p<'+>-InGaAs(掺Zn＞1×10<'19>cm<'-3>)MQW/n-InP和Au-Pt-Ti/p<'+>-InGaAs(掺Zn＞1×10<'19>cm<'-3>/MQW/n-InP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究，并对两者串联电阻进行了比较，其结果前者的串联电阻值为后者的1/4。

关键词：能带工程欧姆接触串联电阻

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LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器

LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：李忠辉王向武张宝顺长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室信息产业部电子第五十五所新材料中心(南京)

设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm，外微分量子效率为55℅～78... 详细信息

设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm<'2>，外微分量子效率为55℅～78℅，中心发射波长为(808±3)nm。

关键词：分别限制结构单量子阱激光器

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NH<,3>-MBE生长极化场二维电子气材料

NH<,3>-MBE生长极化场二维电子气材料

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：孙殿照刘宏新王军喜王晓亮中国科学院半导体所材料中心(北京) 中国科学院半导体所材料中心(北京)

介绍了用NH-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN 极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气” 。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm/Vs。二维电子气材料的迁移率为680c... 详细信息

介绍了用NH<,3>-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN 极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气” 。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm<'2>/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm<'2>/Vs(RT)和1700cm<'2>/Vs(77K)，相应的二维电子气的面密度为3.2×10<'13>cm<'-2>(RT)和2.6×10<'13>cm<'-2>(77K)。

关键词：氮化镓分子束外延二维电子气极化

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用低温Raman散射光谱研究不同处理的CdZnTe表面

用低温Raman散射光谱研究不同处理的CdZnTe表面

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：裴慧元方家熊传感技术国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所(上海)

利用低温Raman散射光谱分析，比较了4种典型处理的CdZnTe表面声子散射信号和表面元素沉积的变化。对-220～-90cm的反斯托克斯分量进行分析得出，BM液腐蚀后的表面晶格完整性最好;LB液处理有利于进一步改善表面粗糙度和表面漏电流;离子... 详细信息

利用低温Raman散射光谱分析，比较了4种典型处理的Cd<,0.96>Zn<,0.04>Te表面声子散射信号和表面元素沉积的变化。对-220～-90cm<'-1>的反斯托克斯分量进行分析得出，BM液腐蚀后的表面晶格完整性最好;LB液处理有利于进一步改善表面粗糙度和表面漏电流;离子轰击的表面缺陷多，质量差，但对制备良好欧姆接触的电极有现实意义。实验证明Raman 散射光谱对于探测表面上元素的沉积和分析表面质量的变化，进而优化表面处理工艺十分有效。

关键词：金属氧化物 Raman散射光谱表面处理

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