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文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
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日期分布

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- 1 篇 教育学
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23 篇 高电子迁移率晶体...
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21 篇 离子注入
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20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

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43 篇 西安电子科技大学
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32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
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27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
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24 篇 郝跃
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21 篇 王启明
21 篇 李建平
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20 篇 朱建军

语言

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2 篇 英文

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排序：

热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响

热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：张砚华范缇文陈延杰中国科学院半导体研究所材料科学实验室(北京)

利用光致瞬态电流谱研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT、LT、LT，退火后各峰的相对强度变化很大，特别I/I=C由退火前的C>>1到退火后C相关的LT能级... 详细信息

利用光致瞬态电流谱研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT<,1>、LT<,2>、LT<,3>，退火后各峰的相对强度变化很大，特别I<,LT1>/I<,LT3>=C由退火前的C>>1到退火后C<<1，退火温度越高，C值越小，这主要归因于热退火过程中砷的集聚与沉淀致使与砷反位缺陷As Ga及砷间隙A<,si>相关的LT<,1>能级浓度的下降，反之，与镓空位V<,Ga>相关的LT<,3>能级浓度上升。另外经800℃，10min热退火后，在LT<,2>峰处出现了负瞬态，可能是由于高温退火条件下形成的大尺寸，非共格砷沉淀与GaAs基体间的结构缺陷造成的。

关键词：热退火砷化镓半导体材料缺陷分子束外延

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三元Ga<,x>In<1-x>P和四元(Al<,x>Ga<1-x>)<,0.51>In<,0.49>P

三元Ga<,x>In<1-x>P和四元(Al<,x>Ga<1-x>)<,0.51>In<,0.49>P

引用

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

作者：吕毅军高玉琳郑健生李志锋蔡炜颖厦门大学物理系(厦门) 中国科学院上海技术物理研究所(上海)

测量了室温下三元GaInP和四元(AlGa)InP(X=0.29)合金背散射配置下的喇曼光谱。三元GaInP的喇曼谱表现为双模形式，在DALA带上叠加了FLA模，在有序样品中观察到了类GaP的TO模和类InP的TO模，类GaP的LO模和类InP的LO模的分裂，表示有序度... 详细信息

测量了室温下三元Ga<,x>In<1-x>P和四元(Al<,x>Ga<1-x>)<,0.51>In<,0.49>P(X=0.29)合金背散射配置下的喇曼光谱。三元Ga<,x>In<1-x>P的喇曼谱表现为双模形式，在DALA带上叠加了FLA模，在有序样品中观察到了类GaP的TO<,1>模和类InP的TO<,2>模，类GaP的LO<,1>模和类InP的LO<,2>模的分裂，表示有序度的b/a比从无序样品的0.40变化到有序样品的0.10，有序样品b/a比的降低是由于TO<,1>模和LO<,1>模分裂的影响所造成的。四元(Al<,x>Ga<1-x>)<,0.51>In<,0.49>P为三模形式，观察到了双峰结构的FLA模，由于Al组分的影响，类GaP的LO模成了类InP的LO模的肩峰。所有模式与经验公式吻合得很好。

关键词：喇曼谱有序化 Ⅲ-Ⅴ族半导体

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3C-SiC／Si（001）外延材料的研究

3C-SiC／Si（001）外延材料的研究

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：梁骏吾朱建军科学院半导体研究所(北京)

来源：评论

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