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Ge组分对SiGe合金退人行为的影响
Ge组分对SiGe合金退人行为的影响
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘金平 李建平 院半导体所材料中心(北京)
采用快速热退人对外延SiGe/Si合金样品进行热处理。用双晶调X-rav衍射、Raman，RBS分析样品的应变及组分变化。结果表明大组分（＞0.3）合金在退火时有明显的互扩散发生，组分越大，互扩散越明显。
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2.5Gb/s系列光接收模块的研制
2.5Gb/s系列光接收模块的研制
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 夏火元 严峻 邮电科学研究院电信器件公司
该文简单阐述了研制该序列模块的目的和意义，详细论述了研究人员研制2.5Gb/s系列光接收模块的设计原理和制作方法，以及研究人员所达到的技术水平。
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GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究
GaAs高速电路在片瞬态测试技术研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王国全 马振昌 集成电路国家级重点实验室 大学光电子国家重点实验室(长春)
该文介绍了GaAs高速集成电路在片瞬态参数测试的技术原理、系统组成。利用该系统对部分GaAs高速电路进行了测试，结果表明，该系统行之有效。
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InAs Hall器件和GaAs Hall器件的性能比较
InAs Hall器件和GaAs Hall器件的性能比较
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 周宏伟 曾一平 科学院半导体所三室
研究人员利用在GaAs衬底上MBE生长的高迁移率的InAs薄膜，成功地制备了InAs Hall器件。在内阻相同的情况下，InAs Hall器件的灵敏度是GaAs Hall器件的1.5倍，内阻温度特性也比GaAs Hall器件好的多，因此InAs Ha1l器件有很好的应用前景。
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零级抑制石英相位掩模板的研究及其应用
零级抑制石英相位掩模板的研究及其应用
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 余建国 邮电科学研究院
该文提出了用全息方法制作高精度相位掩模版的方案，用比较简单的方法分析了零级抑制石英相位掩模版的光学原理，找到了抑制零级加强一级的有效方法。提出了用零级抑制石英相位掩模版直接在半导体波导上写入光栅的设想。
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半导体光子学及其在信息高科技中的应用
半导体光子学及其在信息高科技中的应用
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 王启明 科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
该文从信息传输与处理、入网与交换、存储与读出、获取与显示等重要技术领域评述。介绍了当代信息高科技的最新进展与未来的需求，着重揭示半导体光电子学在未来信息高科技发展中的关键作用与地位、以及当今研究与发展的主流方向。
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EDFA监控用熔融拉锥型耦合器的研制
EDFA监控用熔融拉锥型耦合器的研制
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 朱雪梅 王青林 邮电科学研究院固体器件研究所
该文讨论了FBT法制作EDFA线路监控用tap耦合器的方法，实际制作了1550nm1550nm窗口99:~95:5的宽带耦合器，其在±50nm波长范围内，性能稳定，可以极好地满足EDFA线路监控的需要。
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低温Si-GSMBE中Si2H6预热温度对Si生长速率的影响
低温Si-GSMBE中Si2H6预热温度对Si生长速率的影响
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李建平 刘金平 院半导体所材料中心(北京)
该工作研究了采用GSMBE外延Si/SiGe/Si HBT材料中，Si2H6预热温度对低温Si生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Si的生长速旱有很大提高。
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GaN——第三代半导体的代表
GaN——第三代半导体的代表
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 梁春广 工业部第十三研究所(石家庄)
GaN是第三代半导体的代表。该文叙述了GaN材料的优良特性，制造微波高温半导体器件的研究动态和应用前景，尤其是GzNLED和LD近几年令人瞩目的进展以及在大屏幕全色显示、交通信号灯、汽车尾灯、甚至固体照明灯以及高速超大容量CD-ROM信... 详细信息
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GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的稳定性研究
GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的稳定性研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 孙小玲 杨辉 科学院半导体研究所 国家光电子工艺中心(北京) 科学院半导体研究所 超晶格开放实验室(北京)
该文采用高温热退火和激光退火的方式对低压MOCVD方法在GaAs衬底（001）面制备的立方相GaN薄膜进行处理，利用光致发光光谱和喇曼散射光谱来研究相变过程。首次报道了亚稳相c-GaN的相变条件及其光学特征。
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