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GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的稳定性研究
GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的稳定性研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 孙小玲 杨辉 科学院半导体研究所 国家光电子工艺中心(北京) 科学院半导体研究所 超晶格开放实验室(北京)
该文采用高温热退火和激光退火的方式对低压MOCVD方法在GaAs衬底(001)面制备的立方相GaN薄膜进行处理,利用光致发光光谱和喇曼散射光谱来研究相变过程。首次报道了亚稳相c-GaN的相变条件及其光学特征。
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GaN——第三代半导体的代表
GaN——第三代半导体的代表
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 梁春广 工业部第十三研究所(石家庄)
GaN是第三代半导体的代表。该文叙述了GaN材料的优良特性,制造微波高温半导体器件的研究动态和应用前景,尤其是GzNLED和LD近几年令人瞩目的进展以及在大屏幕全色显示、交通信号灯、汽车尾灯、甚至固体照明灯以及高速超大容量CD-ROM信... 详细信息
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立方相GaN外延材料的研究
立方相GaN外延材料的研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 杨辉 郑联喜 科学院半导体研究所 国家光电子工艺中心(北京)
研究人员用MoCVD和MBE的方法生长了国际一流水平的立方相GaN,用X-光双晶衍射,PL谱,腊曼散射谱等方法对材料的相纯度,光学质量和结构性质进行了检测。X-光双晶衍射(002)衍射峰的0/20扫描FWHM为3arcmin,w扫描FWHM为20arcmin。室温P... 详细信息
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长波(8—14um)红外焦平面器件用MoCVDHgCdTe薄膜材料的制备
长波(8—14um)红外焦平面器件用MoCVDHgCdTe薄膜材料的制备
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 俞振中 马可军 院上海技术物理研究所
该文在细致分析研制HgcdTe红外焦平面器件如何对晶体材料参数进行选取与控制的基础上,对MoCVD技术生长HgCdTe薄膜材料的技术路线、工艺参数控制、热处理过程等有关内容进行了阐述。文章最后对作者所生长的MoCVD-HgCDTe薄膜材料的性能... 详细信息
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具有脊波导结构的长波长部分增益耦合型分布反馈半导体激光器
具有脊波导结构的长波长部分增益耦合型分布反馈半导体激光器
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 孙长征 文国鹏 光电子学国家重点联合实验室 清华大学电子工程系 电信器件公司
该文从理论上分析了1.55um脊波导结构增益耦合型分布反馈半导体激光器的优化设计并进行了实际器件的制作。实验中采用增益与折射率混合光栅引入部分增益耦合,并采用倒台形状的脊波导结构以实现横模限制。制作的器件实现了单模工作,阈... 详细信息
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波导器件的曲线连接器的设计
波导器件的曲线连接器的设计
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 戴恩光 吴德明 大学电子学系
当前光学、电声学和电子学中低损耗波导连接元件的曲线设计是当前器件设计的一个重要方面,特别是当波导层与声、光约束层之间的折射率差不大时,这种设计尤为必要。该文提出了声、光、电波导器件中都存在一个波导连接器的曲线设计问题... 详细信息
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GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究
GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 徐大鹏 杨辉 光电子工艺中心 北京中科院半导体所
该文首次报道在高温生长条件下用低压MoCVD在GaAs(100)面的生长立方相GaN的外延膜生长速率随时间衰减的特性,给出GaN外延膜的厚度同生长时间的非线性关系,同时建立了同实验相符合的理论模型。研究人员着重分析讨论生长温度及源的流... 详细信息
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光纤用户接入网用低成本高可靠155Mb/s光收发合一模块的研究
光纤用户接入网用低成本高可靠155Mb/s光收发合一模块的研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 夏火元 张明杰 邮电科学研究院电信器件司
该文简单阐述了研制光纤用户接入网用低成本高可靠光收发合一模块的目的和意义,介绍了国内外概况及发展趋势,详细论述了研究人员研制光收发合一模块的设计思想、设计原理、特点和制作方法,以及他们所达到的技术水平。
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8mm功率PHEMT研制
8mm功率PHEMT研制
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 郑雪帆 陈效建 电子器件研究所
报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAs PHEMT材料,采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PHEMT的初步测试结果为:Idss:365 mA/mm:gmO:320 mS/mm;Vp:-1.0~-2.0V。总栅宽为750um的功率器... 详细信息
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线路监控用的1625/1550nm波分复用耦合器研制
线路监控用的1625/1550nm波分复用耦合器研制
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 邓桂华 工青林 邮电科学研究院固体器件研究所
该文介绍了利用熔融拉锥工艺来制作线路监控用的1625/1550nm的波分复用耦合器的原理和方法,并对研制样品进行了光谱分析:研制的1625/1550nm的波分复用耦合器样品其隔离度为大于等于15dB,损耗小于0.2dB,工作带宽为±5nm。
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