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混合应变量子阱材料的x-射线双晶衍射研究
混合应变量子阱材料的x-射线双晶衍射研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 张哲民 金锦炎 邮电科学研究院电信器件公司 理工大学光电子工程系(武汉)
研究人员研究了混合应变量子阱结构的MOCVD生长，并通过X射线双晶衍射曲线理论模拟，对混合应变量子阱结构进行了分析。归纳出了混合应变量子阱结构的X射线双晶衍射曲线满足的规律。
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分子束外延半导体低维结构
分子束外延半导体低维结构
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
作者： 孔梅影 曾一平 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)
本文通过对分子束外延技术发展中一些重要问题的分析和讨论,结合我们自己的研究工作,综合评述了利用分子束外延技术制备半导体低维结构的特点、关键和发展.
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立方相GaN外延材料的研究
立方相GaN外延材料的研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 杨辉 郑联喜 科学院半导体研究所 国家光电子工艺中心(北京)
研究人员用MoCVD和MBE的方法生长了国际一流水平的立方相GaN，用X-光双晶衍射，PL谱，腊曼散射谱等方法对材料的相纯度，光学质量和结构性质进行了检测。X-光双晶衍射（002）衍射峰的0/20扫描FWHM为3arcmin，w扫描FWHM为20arcmin。室温P... 详细信息
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太赫兹半导体辐射源研究进展
太赫兹半导体辐射源研究进展
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 曹俊诚 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
太赫兹(THz)辐射源是THz频段应用的由于其能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,成为本领域的研究热点.本文简要介绍了THzQCL的研究进展.
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PECVD钝化技术在GaAs器件上的应用
PECVD钝化技术在GaAs器件上的应用
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 郑英奎 汪宁 刘新宇 中科院微电子中心(北京)
本文对GaAs器件(主要为HFET器件)利用PECVD技术钝化前后的器件特性进行了对比分析,得出对于GaAs器件的钝化膜,利用PECVD技术制作的SiNx膜的钝化效果优于SiO、SiON膜,低应力钝化膜优于高应力钝化膜的结论.
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波导器件的曲线连接器的设计
波导器件的曲线连接器的设计
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 戴恩光 吴德明 大学电子学系
当前光学、电声学和电子学中低损耗波导连接元件的曲线设计是当前器件设计的一个重要方面，特别是当波导层与声、光约束层之间的折射率差不大时，这种设计尤为必要。该文提出了声、光、电波导器件中都存在一个波导连接器的曲线设计问题... 详细信息
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掺氮GaP晶片室温远紫外光致荧光特性的研究
掺氮GaP晶片室温远紫外光致荧光特性的研究
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 王水凤 曾庆城 王平 大学物理系 大学材料科学研究所 大学计算中心
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GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究
GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 徐大鹏 杨辉 光电子工艺中心 北京中科院半导体所
该文首次报道在高温生长条件下用低压MoCVD在GaAs（100）面的生长立方相GaN的外延膜生长速率随时间衰减的特性，给出GaN外延膜的厚度同生长时间的非线性关系，同时建立了同实验相符合的理论模型。研究人员着重分析讨论生长温度及源的流... 详细信息
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微波功率HBT的瞬态热分析
微波功率HBT的瞬态热分析
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者： 严北平 罗晋生 电子科技大学微电子研究所 交通大学微电子工程系
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8mm功率PHEMT研制
8mm功率PHEMT研制
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者： 郑雪帆 陈效建 电子器件研究所
报道了8mm功率PHBMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs／InGaAs PHEMT材料，采用0.2um的T型栅及槽型通孔接地技术，研制的功率PHEMT的初步测试结果为：Idss:365 mA/mm:gmO:320 mS／mm;Vp：-1.0~-2.0V。总栅宽为750um的功率器... 详细信息
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