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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
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馆藏范围

964 篇 电子文献
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学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
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- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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r辐照室温短波HgCdTe光伏器件的导纳谱研究

r辐照室温短波HgCdTe光伏器件的导纳谱研究

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：胡新文王勤科学院传感技术国家重点实验室上海技术物理研究所

利用变频导纳谱研究了r辐照前后Hgl-xCdxTe（x=0.6)n-on-p结中的深能级缺陷。辐照前其缺陷能级位置在价带上0.15eV俘获截面O＝2.9×10-18cm2，缺陷密度Nt=6.5×1015cm-3初步认为是Hg空位或与其相关的复合缺陷，经过lmrad(Si)r... 详细信息

利用变频导纳谱研究了r辐照前后Hgl-xCdxTe（x=0.6)n-on-p结中的深能级缺陷。辐照前其缺陷能级位置在价带上0.15eV俘获截面O＝2.9×10-18cm2，缺陷密度Nt=6.5×1015cm-3初步认为是Hg空位或与其相关的复合缺陷，经过lmrad(Si)r辐照后其能级变得更深，在价带上0.19eV同时其俘获截面增加了近一个数量级，而缺陷密度基本上没有变化。r辐照引入的这种能级变化最终使器件的性能（探测率）下降了一倍多。

关键词： r辐照导纳谱缺陷能级Hg1-xCdxTe

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对高Al组分AlGaAs表面GaAs薄膜的选择性腐蚀

对高Al组分AlGaAs表面GaAs薄膜的选择性腐蚀

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：公延宁汪乐科学院上海冶金研究所半导体材料与器件研究室(上海)

由GaAs和高Al组分Al、Ga1-xAS（x=0.8~0.9）构成的异质薄膜体系是许多光电器件中的常规结构。对该异质结构的GaAs和AlGaAs的选择性腐蚀工艺是器件制备过程中的一道关键工序。该文针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后裸露的AlGaAs表面彩色化... 详细信息

由GaAs和高Al组分Al、Ga1-xAS（x=0.8~0.9）构成的异质薄膜体系是许多光电器件中的常规结构。对该异质结构的GaAs和AlGaAs的选择性腐蚀工艺是器件制备过程中的一道关键工序。该文针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后裸露的AlGaAs表面彩色化的问题，进行了深入系统的研究，得到了较为满意的氨水-双氧水-磷酸（NH、OH-H2O2-H3PO4）新配方属蚀液体系。这种腐蚀液体系不仅可在较宽的溶液浓度范围内实现对高Al组分GaAs/alGaAS异质结构的选择性腐蚀，而且也不会对裸露的AiGaAs外观产生明显影响。最后，该文还对腐蚀机理作了初步探索。

关键词：高Al组分选择性腐蚀

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GaAs MMIC中氮化钽薄膜电阻的制备技术

GaAs MMIC中氮化钽薄膜电阻的制备技术

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：周剑明钱峰电子器件研究所

该文介绍了在GaAsMMIC中TaN薄膜电阻制备技术，给出了制作薄膜电阻的基本工艺条件及方块电阻值的控制方法，对薄膜厚度的均匀性，薄膜厚度、应力与氮流量的关系，以及方块阻值与氮气流量的关系进行了实验与分析。在直径为3英寸的GaAs园... 详细信息

该文介绍了在GaAsMMIC中TaN薄膜电阻制备技术，给出了制作薄膜电阻的基本工艺条件及方块电阻值的控制方法，对薄膜厚度的均匀性，薄膜厚度、应力与氮流量的关系，以及方块阻值与氮气流量的关系进行了实验与分析。在直径为3英寸的GaAs园形衬底上，电阻均匀性可控制在±1℅以内，通过控制氮气流量可以很方便的获得20～50O／sq．的TaN薄膜电阻。文中并对TaN薄膜电阻制作后的热退火、热稳定性及相关的工艺制作条件进行了讨论、分析。目前，此方面工作仍在进一步开展进行中。

关键词： GaAS MMIC中氮化钽薄膜电阻

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In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管

In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：电子器件研究所

该文提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管（pHFET）概念，器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气（2DHG）原理以改善GaAs的主穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作，其实验结果为：室温下，饱和电流Idss=61mA/m... 详细信息

该文提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管（pHFET）概念，器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气（2DHG）原理以改善GaAs的主穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作，其实验结果为：室温下，饱和电流Idss=61mA/mm，跨导gm=41mS/mm;77K下，饱和电流Idss=94mA／mm，跨导gm=61mS/mm。这一结果远好于国外同行采用AlGaAs／GaAs和AlGaAs/InGaAs异质系统取得的pHFET的早期结果。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益，因而具有良好的应用潜力。

关键词： In0.5Ga0.5P/GaAs二维空穴气 p沟异质结场效应管

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OEIC基本器件等效电路与计算机辅助分析技术（国家自然科学基金资助项目）

OEIC基本器件等效电路与计算机辅助分析技术（国家自然科学基金资...

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：彭定敏刘殊松邮电科学研究院固体器件研究所理上大学固电系

分析了以光电二极管、DFB激光器、DBR激光器的等效电路的特点，由于其平面工艺，使得以这些基本器件组成的OEIC、PIC及与之配合的电路系统，与大规模集成电路网络具有类似的特点，等效电路以并联支路的混联形式为主，其计算机辅助分析... 详细信息

分析了以光电二极管、DFB激光器、DBR激光器的等效电路的特点，由于其平面工艺，使得以这些基本器件组成的OEIC、PIC及与之配合的电路系统，与大规模集成电路网络具有类似的特点，等效电路以并联支路的混联形式为主，其计算机辅助分析技术应该采用类似的方法，即采用改进节点法对其是适当的，能够简化CAA对复杂网络建立方程的过程和减少运算量。

关键词： OEI 改进节点法计算机辅助分析技术平面工艺

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激光器镜面低剩余反射率镀膜

激光器镜面低剩余反射率镀膜

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：李晓良周宁邮电科学研究院电信器件公司

该文分析了影响激光器镜面低剩余反射率镀膜的原因。用常规的镀膜理论所计算的低反射率膜层的条件在实际应用中没能达到预期的效果，主要原因是：1．镀膜基底折射率不是单一的InP的折射率;2.激光器的输出为非平面光波，需用角谱分析法... 详细信息

该文分析了影响激光器镜面低剩余反射率镀膜的原因。用常规的镀膜理论所计算的低反射率膜层的条件在实际应用中没能达到预期的效果，主要原因是：1．镀膜基底折射率不是单一的InP的折射率;2.激光器的输出为非平面光波，需用角谱分析法优化镀膜条件;3.材料的选择和工艺的控制。综合上述因素研究人员重新计算了低反射率膜层的条件并应用于发光管镀膜，使输出功率提高了44.5℅，该方法将应用于半导体光放大器和光纤光栅激光器等的低剩余反射率镜面镀膜研制。

关键词：激光器镜面低剩余反射率镀膜

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电子束直写在亚微米器件制造中的应用

电子束直写在亚微米器件制造中的应用

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：梁俊厚陈宝钦科学院微电子中心(北京) 科学院半导体所(北京)

该文报导了用电子束直写研制亚微米器件的结果，研究人员针对不同的电子束机型，采用了不同的电子束曝光工艺（包括抗蚀剂工艺、曝光工艺及图形转换工艺），研制的器件包括具有0．2um栅长的高电子迁移率晶体管（HEMT）具有叉指宽度为0.8... 详细信息

该文报导了用电子束直写研制亚微米器件的结果，研究人员针对不同的电子束机型，采用了不同的电子束曝光工艺（包括抗蚀剂工艺、曝光工艺及图形转换工艺），研制的器件包括具有0．2um栅长的高电子迁移率晶体管（HEMT）具有叉指宽度为0.82-0.7微米、中心频率为950MHz，1.134GHz，1.350GHz的声表面波（SAW）谐振器和滤波器，以及具有0.5um叉指的MSM（金属—半导体—金属）光检测器的器件图形，除MSM因条件限制，图形转换工艺遇到极大困难未形成器件而外，前两种器件经测试证明：线条清晰，线宽均匀，高频性能优良，性能一致性好。另外，在微米级可变矩形电子束曝光机上研制成具有0.5um叉指的MSM器件图形，亦证明研究人员采取的曝光工艺是可行的。

关键词：电子束直写亚微米器件

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ESPA和LF10反渗透膜在半导体工业水处理中的应用

ESPA和LF10反渗透膜在半导体工业水处理中的应用

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：闻瑞梅科学院半导体研究所(北京)

该文研究了，以低压复合膜CPA2膜或NTR759膜，和超低压复合膜ESPA膜为例：它们有大的比表面积，操作压力低，产水量大，脱盐率，脱硅率高等优点。同时介绍了ESPA超低压膜主要特点。文中还列举了超低压ESPA，和低压CPA2或NTR-759膜与醋... 详细信息

该文研究了，以低压复合膜CPA2膜或NTR759膜，和超低压复合膜ESPA膜为例：它们有大的比表面积，操作压力低，产水量大，脱盐率，脱硅率高等优点。同时介绍了ESPA超低压膜主要特点。文中还列举了超低压ESPA，和低压CPA2或NTR-759膜与醋酸纤维CA膜在操作压力、透过水量、脱盐率、脱硅率。去除内毒素的比较，并成功的应用在机车电瓶用水、空间材料制备用水、化学试剂生产以及建材工业制板用水上、效果很好。同时还介绍了LF10膜在废水处理中的应用

关键词： ESPA LF10反渗透膜半导体工业水处理

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镜面镀膜优化DFB激光器性能

镜面镀膜优化DFB激光器性能

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：周宁李晓良邮电科学研究院电信器件公司

该文分析和报道了镜面镀膜使DFB激光器性能变化的机理，并通过镜面镀膜对DFB激光器性能进行优化。DFB激光器的阈值电流大小，外微分量子效率，单纵模工作特性，边模抑制比等都是反映器件性能的主要参数，且这些多数都与器件镜面反射率... 详细信息

该文分析和报道了镜面镀膜使DFB激光器性能变化的机理，并通过镜面镀膜对DFB激光器性能进行优化。DFB激光器的阈值电流大小，外微分量子效率，单纵模工作特性，边模抑制比等都是反映器件性能的主要参数，且这些多数都与器件镜面反射率大小密切相关。由于镜面未镀膜前的器件特性不同，因而对镜面镀膜技术要求也不同。研究人员根据器件特性综合考虑，设计激光器的前后镜面反射率，一般前镜面的反射率为2～8℅，后镜面的反射率为70～98℅，并通过兼顾阈值电流、外微分量子效率。光输出功率和边模抑制比的要求确定镀膜条件，优化了DFB激光器的综合性能。

关键词：镜面镀膜 DFB激光器

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自组织生长InGaAS/GaAs量子点超晶格的研究

自组织生长InGaAS/GaAs量子点超晶格的研究

引用

全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：庄乾东李晋闽科学院半导体研究所新材料部(北京)

研究人员利用分子束外延技术自组织生长了40周期低组份InGaAs/GaAs量子点超晶格结构。透射电镜表明，量子点沿生长方向的分布存在着两种不同的区域：完美的垂直对准区域和不严格的垂直对准区域，这种沿生长方向分布的有序性与初始层量... 详细信息

研究人员利用分子束外延技术自组织生长了40周期低组份InGaAs/GaAs量子点超晶格结构。透射电镜表明，量子点沿生长方向的分布存在着两种不同的区域：完美的垂直对准区域和不严格的垂直对准区域，这种沿生长方向分布的有序性与初始层量子点的分布密切相关。量子点纵向序列的合并、消失与增生是量子点分布有序，均匀一致的主要机制，随着超晶格层数的增加，量子点趋向于沿生长方向的垂直对准，量子点的尺寸与分布也趋向均匀一致，样品不同厚度的PL谱进一步认证了这一点。

关键词：自组织生长 InGaAS/GaAs量子点超晶格

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