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964 条 记 录,以下是901-910 订阅
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GaN的NH3源MBE生长及其电学性质的研究
GaN的NH3源MBE生长及其电学性质的研究
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 张剑平 孙殿照 科学院半导体研究所新材料部
在国产IV-MBE系统上用氨气作氮源外延出高质量的GaN材料。厚度约lum的外延膜的典型电学参数是:本底电子浓度n=1-5xl017cm-3,迁移率Un=70-120cm2/V.S相对较低的迁移率表明材料是高度补偿的。对一系列样品的测试表明本底电子浓度与膜所... 详细信息
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流体静压力对GaAs/AIAs超晶格室温下场畴边界自维持振荡的抑制
流体静压力对GaAs/AIAs超晶格室温下场畴边界自维持振荡的抑制
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 武建青 刘振兴 科学院半导体研究所 超晶格与微结构国家重点实验室(北京)
当对在直流偏压下能产生室温微波振荡的GaAs/AlAs超晶格二极管施加流体静压时,振荡特性会发生有巨大变化、从常压到6.5kbar,振荡仍然存在但是振荡频率和幅度随压力有所变化。平台上的最高振荡频率及其幅度在0.5至2.5kbar压力范围内分... 详细信息
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SDH光通信系统用、厚膜化压控石英晶体振荡器的研制
SDH光通信系统用、厚膜化压控石英晶体振荡器的研制
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
作者: 刘殊松 彭定敏 邮电科学研究院固体器件研究所
介绍了压控石英晶体振荡器的原理和原膜混合集成电路的基本工艺,针对光纤通信SDH系统上的时钟频率源的基本原理和SDH的网同步对网络单元时钟的要求,采用厚膜混合集成电路工艺把适当频率温度曲线的谐振器、移相器、高性能的放大电路,... 详细信息
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MIS型GaNLED的LP-MOVPE
MIS型GaNLED的LP-MOVPE
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 段树坤 滕学公 科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
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微波异质结器件
微波异质结器件
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 杨玉芬 科学院半导体研究所
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微波半导体器件低频噪声技术及其应用研究
微波半导体器件低频噪声技术及其应用研究
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 顾世惠 电子器件研究所
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622Mb/s同轴型PIN/TIA光接收组件
622Mb/s同轴型PIN/TIA光接收组件
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 周胜 部武汉邮电科学研究院
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我国微波半导体器件的水平和发展趋势
我国微波半导体器件的水平和发展趋势
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 林金庭 工业部第55研究所
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砷化镓等化合物半导体市场进展
砷化镓等化合物半导体市场进展
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 赵谢群 张艳红 有色金属研究总院
综述了国内外以GaAs为主的化合物半导本市场现状及今后的发展动向。
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Φ3"LEC GaAs单晶的试制
Φ3"LEC GaAs单晶的试制
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 张凡文 刘鹏 金晶电子材料厂
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