咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 948 篇 会议
  • 15 篇 期刊文献
  • 1 篇 学位论文

馆藏范围

  • 964 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 931 篇 工学
    • 790 篇 电子科学与技术(可...
    • 718 篇 材料科学与工程(可...
    • 204 篇 光学工程
    • 84 篇 仪器科学与技术
    • 6 篇 电气工程
    • 6 篇 化学工程与技术
    • 5 篇 核科学与技术
    • 4 篇 机械工程
    • 3 篇 控制科学与工程
    • 3 篇 计算机科学与技术...
    • 2 篇 信息与通信工程
    • 1 篇 冶金工程
    • 1 篇 航空宇航科学与技...
    • 1 篇 软件工程
  • 111 篇 理学
    • 108 篇 物理学
    • 18 篇 化学
  • 3 篇 经济学
    • 3 篇 应用经济学
  • 1 篇 教育学
    • 1 篇 教育学
  • 1 篇 管理学
    • 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

  • 102 篇 半导体材料
  • 57 篇 氮化镓
  • 49 篇 化合物半导体
  • 49 篇 分子束外延
  • 43 篇 半导体器件
  • 37 篇 砷化镓
  • 33 篇 外延生长
  • 24 篇 异质结构
  • 23 篇 高电子迁移率晶体...
  • 22 篇 发光二极管
  • 21 篇 离子注入
  • 20 篇 光电器件
  • 20 篇 性能评价
  • 19 篇 二维电子气
  • 19 篇 半导体激光器
  • 19 篇 金属有机物
  • 18 篇 异质结
  • 18 篇 x射线衍射
  • 17 篇 稀磁半导体
  • 17 篇 制备工艺

机构

  • 131 篇 中国科学院半导体...
  • 43 篇 西安电子科技大学
  • 35 篇 北京大学
  • 32 篇 南京大学
  • 30 篇 南京电子器件研究...
  • 30 篇 中国科学院半导体...
  • 23 篇 西安交通大学
  • 23 篇 中国科学院半导体...
  • 18 篇 中国科学院微电子...
  • 17 篇 山东大学
  • 17 篇 中国科学院半导体...
  • 16 篇 中科院半导体研究...
  • 15 篇 中山大学
  • 14 篇 电子科技大学
  • 14 篇 科学院半导体研究...
  • 12 篇 中国科学院半导体...
  • 12 篇 中国科学院半导体...
  • 12 篇 深圳大学
  • 11 篇 中国科学院半导体...
  • 11 篇 河北工业大学

作者

  • 77 篇 曾一平
  • 61 篇 王占国
  • 59 篇 李晋闽
  • 53 篇 王晓亮
  • 35 篇 肖红领
  • 33 篇 杨辉
  • 33 篇 王翠梅
  • 29 篇 侯洵
  • 27 篇 郑有炓
  • 27 篇 刘新宇
  • 27 篇 谢自力
  • 24 篇 张荣
  • 24 篇 郝跃
  • 22 篇 赵有文
  • 21 篇 陈辰
  • 21 篇 王启明
  • 21 篇 李建平
  • 20 篇 zhanguo wang
  • 20 篇 王军喜
  • 20 篇 朱建军

语言

  • 962 篇 中文
  • 2 篇 英文
检索条件"任意字段=全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议"
964 条 记 录,以下是951-960 订阅
排序:
极微弱光位敏探测新技术
极微弱光位敏探测新技术
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 富丽晨 卢耀华 光学精密机械学院
在介绍PSD电子响应特性基础上,推荐一种用于微弱光探测的MCP-PSD管,并且给出MCP串接使用组合模式的研究结果。
来源: 评论
双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究
双应变富In沟道新结构InGaAs/InP器件的研究
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 刘训春 钱鹤 科学院微电子中心
报导了我们提出并由上海冶金所外延生长成功的双应变富In沟道In〈,0.4〉Al〈,0.6〉As/In〈,0.8〉Ga〈,0.2〉As/InP新结构及用该结构研制的PHEMT器件
来源: 评论
电子束直接光刻技术在HEMT器件中的应用研究
电子束直接光刻技术在HEMT器件中的应用研究
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 葛璜 金才政 科学院半导体研究所国家光电子工艺中心
介绍了直接光刻技术的技术要点及其在HEMT器件研制中的应用,采用这种技术与剥离工艺结合可产生0.1 ̄0.3μm微细金属栅电极,研制成功的HEMT器件跨导达380ms/mm,截止频率超过50GHz。
来源: 评论
MBE生长超晶格材料与应用研究
MBE生长超晶格材料与应用研究
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 崔立奇 张文俊 工业部第13研究所
介绍制备超晶格结构材料的MBE技术,以及材料性能和器件应用情况;从微结构设计出发,比较深入地研究了平面掺杂GaAs/Al(Ga)As超晶格结构二维电子气有关性质,实验工作取得了重要的进展。
来源: 评论
Ku波段HEMT单片低噪声放大器
Ku波段HEMT单片低噪声放大器
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 乔宝文 陈效建 电子器件研究所
报道了南京电子器件研究所研制的Ku波段HEMT单片低噪声放大器的研究结果。利用CAD软件对单片电路进行了优化设计,设计工作包括MBE材料、器件和电路三部分。
来源: 评论
带增透膜的全耗尽型硅光电探测器
带增透膜的全耗尽型硅光电探测器
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 王洪波 王勇 大学微电子学研究所
介绍了一种具有较高灵敏度和量子效率的全耗尽型硅光电探测器,并给出了一组较为详细的实验结果。这种硅光电探测器有效地减小了入射光的反射,并提高了光子的内部量子效率。
来源: 评论
InGaAs/GaAs量子点超晶格的生长
InGaAs/GaAs量子点超晶格的生长
收藏 引用
第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
作者: 潘栋 曾一平 科学院半导体所材料中心新材料部
首次报道了低组分(In ̄0.3)的20周期的InGaAs/GaAs量子点超晶格的生长,用透射电镜(TEM)直接观察到清晰的无位错的量子点超晶格的结构,量子点的平均尺寸大小:直径30nm和高度6-7nm。
来源: 评论
材料研究中心半导体材料研究所成功举办两个全国学术会议
收藏 引用
河北工业大学学报 1996年 第3期 112-112页
材料研究中心半导体材料研究所成功举办两个全国学术会议受中国电子学会和中国有色金属学会的委托,由我校材料研究中心半导体材料研究所承办的两个全国学术会议取得了成功.两个学术会议的内容分别为:1.全国第九届化合物半导体... 详细信息
来源: 评论
第七届全国化合物半导体微波光电器件学术会议简况
收藏 引用
固体电子学研究与进展 1993年 第1期13卷 75-77页
作者: 江关辉 南京电子器件研究所 210016
由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第七届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术年会,于1992年8月26日至30日在河北省北戴河召开。参加这次学术年会的代表来自全国40个单位,184人。机电部总工程师俞... 详细信息
来源: 评论
第七届全国半导体化合物材料、微波器件光电器件学术会议论文集
第七届全国半导体化合物材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
收藏 引用
第七届全国半导体材料、微波器件光电器件学术会议
会议文集共收录论文176篇,主要包括:半导体材料的新发展,半导体量子光电子学的发展,半导体我子集成器;HEMT结构的霍尔迁移率分布;在Si上外延掺稀土的CaAs及其发光;注硅半绝缘砷化镓中的少子和多子陷阱;低含铬半绝缘... 详细信息
来源: 评论