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发光学报 2012年第8期33卷 916-916页

由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办,河南大学承办的第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议将于2012年10月13日至15日在历史文化名城河南省开封市召开。会议将邀请国内外知名学者就化合物半导... 详细信息

由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办,河南大学承办的第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议将于2012年10月13日至15日在历史文化名城河南省开封市召开。会议将邀请国内外知名学者就化合物半导体材料、微波器件和光电器件等有关学术领域的前沿热点问题进行交流、总结和展望。

关键词：化合物半导体材料学术会议光电器件微波器件中国电子学会历史文化名城集成技术电子材料

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第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议(第二轮通知)

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发光学报 2012年第9期33卷 1038-1038页

关键词：化合物半导体材料学术会议光电器件微波器件中国电子学会历史文化名城集成技术电子材料

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氮化铝晶体制备技术和光学性能的研究

氮化铝晶体制备技术和光学性能的研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：郑瑞生武红磊深圳大学光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室深圳 518060

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ZnO/ZnMgO异质结二维电子气特性及其HEMT器件研究

ZnO/ZnMgO异质结二维电子气特性及其HEMT器件研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：张景文西安交通大学电子与信息工程学院陕西省信息光子技术重点实验室西安710049

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3英寸InAs单晶生长及衬底制备

3英寸InAs单晶生长及衬底制备

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：杨俊段满龙董志远刘刚杨凤云赵有文中国科学院半导体研究所北京 100083

通过改进热场和单晶生长技术，利用液封直拉法(LEC)生长了直径3英寸晶向的InAs单晶。对晶体进行了霍尔测试(Hall)、X射线双晶衍射晶体的完整性分析以及晶体的位错密度(EPD)测量分析。

通过改进热场和单晶生长技术，利用液封直拉法(LEC)生长了直径3英寸<100>晶向的InAs单晶。对晶体进行了霍尔测试(Hall)、X射线双晶衍射晶体的完整性分析以及晶体的位错密度(EPD)测量分析。

关键词：砷化铟半导体单晶生长衬底制备性能测试

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缺陷和原子扩散导致的量子级联激光器的失效

缺陷和原子扩散导致的量子级联激光器的失效

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Yongzheng Hu 胡永正 Quande Zhang 张全德 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of S 中国科学院半导体研究所材料重点实验室北京912信箱 100083

研究了失效的量子级联激光器前腔面的情况，首先，通过扫描电镜(SEM)很明显的可以看到前腔面不再平整，取而代之的是有很多的裂纹和缺陷凹凸不平。其次用X射线能谱仪(EDS)进行了分析，可以得到量子级联激光器损坏的原因，即有源区损坏... 详细信息

研究了失效的量子级联激光器前腔面的情况，首先，通过扫描电镜(SEM)很明显的可以看到前腔面不再平整，取而代之的是有很多的裂纹和缺陷凹凸不平。其次用X射线能谱仪(EDS)进行了分析，可以得到量子级联激光器损坏的原因，即有源区损坏严重，原子的扩散，使得组分严重偏离最初的设计，不再满足出光的条件。理论和实验的结果符合的很好。

关键词：量子级联激光器化合物半导体失效分析晶格缺陷原子扩散

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分子束外延层中橄榄型缺陷的研究

分子束外延层中橄榄型缺陷的研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Yan Liu 刘岩 Diansheng Ren 任殿胜 Wensen liu 刘文森 Beijing TongmeiXtal Technology Co. Ltd. Beijing 101113 China 北京通美晶体技术有限公司北京 101113

本文主要论述了用分子束外延(MBE)生长的砷化镓层的缺陷的种类，采用表面尘埃测试仪、扫描电子显微镜(SEM)、全色阴极发光(Panchromatic CL images)和空间分辨荧光仪(SPRL)研究缺陷的形貌、几何尺寸和光学性质，进一步分析了产生原因、... 详细信息

本文主要论述了用分子束外延(MBE)生长的砷化镓层的缺陷的种类，采用表面尘埃测试仪、扫描电子显微镜(SEM)、全色阴极发光(Panchromatic CL images)和空间分辨荧光仪(SPRL)研究缺陷的形貌、几何尺寸和光学性质，进一步分析了产生原因、影响因素及预防措施。

关键词：半导体材料砷化镓晶片橄榄缺陷分子束外延

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氧化物半导体纳米结构的构筑及光电纳米器件研究

氧化物半导体纳米结构的构筑及光电纳米器件研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Zuliang Du 杜祖亮 Key Lab for Special Functional Materials of ministry of education Henan University Kaifeng 47.500 河南大学特种功能材料教育部重点实验室开封 475004

近年来，利用纳米压印、原子力刻蚀、电场组装等方法制备并组装了ZnO、SnO2、WO3、CuO等氧化物半导体纳米结构及纳米器件。系统研究了一维纳米结构的输运特性。研究表明，纳米线的输运特性受肖特基势垒的控制，纳米线的表面态是形成肖... 详细信息

近年来，利用纳米压印、原子力刻蚀、电场组装等方法制备并组装了ZnO、SnO2、WO3、CuO等氧化物半导体纳米结构及纳米器件。系统研究了一维纳米结构的输运特性。研究表明，纳米线的输运特性受肖特基势垒的控制，纳米线的表面态是形成肖特基势垒的关键因素。发展了电化学沉积、UV光照等调控纳米结构输运特性的有效方法。通过利用纳米线肖特基势垒，发展了一些高性能的光电器件，例如：具有高灵敏度、快速回复特性的紫外光检测器，在室温下具有超高灵敏度的气敏传感器等。

关键词：氧化物半导体纳米结构肖特基势垒光电器件

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SiC单晶半导体材料

SiC单晶半导体材料

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：徐现刚山东大学晶体材料国家重点实验室

以SiC单晶为例介绍了宽禁带半导体材料的独特物理性质、材料制备现状及其应用.SiC单晶的研发在光电子技术的应用推动下近期发展迅速，单晶直径已经达到了6英寸，为电子器件的应用奠定了基础，其典型的缺陷--微管得到了有效控制，同时单...

以SiC单晶为例介绍了宽禁带半导体材料的独特物理性质、材料制备现状及其应用.SiC单晶的研发在光电子技术的应用推动下近期发展迅速，单晶直径已经达到了6英寸，为电子器件的应用奠定了基础，其典型的缺陷--微管得到了有效控制，同时单晶的其他常见缺陷密度也大大降低，使得大功率的电力电子器件应用逐步推广开来.这些结果表明，以SiC为代表的宽禁带半导体正逐步进入我们的生活领域，在节能、环保等方面发挥越来越大的作用.

关键词：

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(NH4)2Sx/NH4SCN溶液钝化InAs(100)表面的研究

(NH4)2Sx/NH4SCN溶液钝化InAs(100)表面的研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：杨凤云赵有文王俊段满龙董志远中国科学院半导体所北京 100083

为了去除InAs抛光片表面氧化层，同时减缓表面氧化，实现表面钝化，以(NH4)2SX/NH4SCN溶液为主要研究对象，通过对比试验得出了钝化与非钝化样品的区别。利用X射线光电子能谱仪(XPS)和椭偏仪测试了表面钝化情况，结果表明InAs表面氧化... 详细信息

为了去除InAs抛光片表面氧化层，同时减缓表面氧化，实现表面钝化，以(NH4)2SX/NH4SCN溶液为主要研究对象，通过对比试验得出了钝化与非钝化样品的区别。利用X射线光电子能谱仪(XPS)和椭偏仪测试了表面钝化情况，结果表明InAs表面氧化层明显减少，表面质量有所提高。

关键词：砷化铟半导体抛光片表面氧化层钝化处理

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