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948 篇 会议
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
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49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
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19 篇 半导体激光器
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18 篇 异质结
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17 篇 稀磁半导体
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机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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WN肖特基势垒高功率高效率GaN HEMT

WN肖特基势垒高功率高效率GaN HEMT

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：陈堂胜南京电子器件研究单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、抗辐照等特点,GaN HEMT的出现为固态微波功率器件向更高的输出功率、更高的效率、更宽的工作带宽发展奠定了基础。尽管GaN HEMT的微波性能优势得到了充分体现,但进一步提高器件的可靠... 详细信息

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、抗辐照等特点,GaN HEMT的出现为固态微波功率器件向更高的输出功率、更高的效率、更宽的工作带宽发展奠定了基础。尽管GaN HEMT的微波性能优势得到了充分体现,但进一步提高器件的可靠性,全面满足应用要求仍然是必须解决的问题。本报告报道了基于WN肖特基势垒的GaN HEMT,通过难熔金属势类的采用提高GaN HEMT的可靠性。WN金属与AIGaN势垒层接触所形成的界面具有良好的稳定性,实现的肖特基势垒在500℃下保持势垒特性稳定,结合V型结构场板工艺技术,研制的1.25mm栅宽0.5mm GaN HEMT在2.2GHz、28V工作最佳效率匹配输出功率密度3.3W/mm,对应的功率增益(Gp)和功率附加效率(PAE)分别为14dB和75％。针对1.25mm栅宽GaN HEMT进行275℃,300℃,325℃三个结温下的高温加速寿命试验,以饱和电流Idss下降20％作为失效判据。加速寿命实验表明该器件在150℃结温下的平均失效间隔时间(MTTF)为1.8×107小时,激活能1.5eV。采用2个12mm栅宽管芯研制的GaN功率管在1.14-1.24GHz带内连续波输出功率大于90W,Gp大于14dB,PAE典型值70％。

关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓半导体工作效率功率分析加速寿命实验

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InGaN太阳能电池的研制

InGaN太阳能电池的研制

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：邓庆文 Qingwen Deng Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领王翠梅 Cuimei Wang 姜丽娟 Lijuan Jiang Chun Feng 冯春 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈竑 Liang Jing 井亮 Zhidong Li 李志东 Jianping Li 李建平刘宏新 Hongxin Liu 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 10083 西安交通大学电子与信息工程学院西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 10083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences LSCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics Beijing 10083 Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 10083 西安交通大学电子与信息工程学院西安 710049

在(0001)单面抛光蓝宝石衬底上,用MOCVD外延生长了n-GaN/GaN-InGaN MQWs/p-aN结构材料,并研制出了太阳能电池原型器件,25℃-AMl.5光谱辐照下电池转换效率为0.25％.较低的转换效率主要归因于电池较大的串联电阻,较低的开路电压和较小的... 详细信息

在(0001)单面抛光蓝宝石衬底上,用MOCVD外延生长了n-GaN/GaN-InGaN MQWs/p-aN结构材料,并研制出了太阳能电池原型器件,25℃-AMl.5光谱辐照下电池转换效率为0.25％.较低的转换效率主要归因于电池较大的串联电阻,较低的开路电压和较小的短路电流。

关键词：太阳能电池半导体材料异质结构量子阱

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低温AlN插入层生长Si衬底高阻GaN漏电流特性分析

低温AlN插入层生长Si衬底高阻GaN漏电流特性分析

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Zhiyuan He 贺致远倪毅强 Yiqiang Ni Fan Yang 杨帆 Yao Yao 姚尧 Zhen Shen 沈震 Peng Xiang 向鹏张佰君 Baijun Zhang Yang Liu 刘扬 School of Physics and Engineering Sun Yat-sen University Guangzhou 510006 China 中山大学物理科学与工程技术学院广州 510006

本文分析了以低温AlN插入层(700℃)作为应力缓冲层生长高阻Si衬底GaN外延的漏电流特性。通过对比两组不同结构的GaN外延层两端横向击穿测试，发现引入低温AlN插入层后，体材料漏电流显著上升，从而导致击穿电压下降。进一步的变温霍尔... 详细信息

本文分析了以低温AlN插入层(700℃)作为应力缓冲层生长高阻Si衬底GaN外延的漏电流特性。通过对比两组不同结构的GaN外延层两端横向击穿测试，发现引入低温AlN插入层后，体材料漏电流显著上升，从而导致击穿电压下降。进一步的变温霍尔测试和二次离子质谱测试可以证实低温AlN插入层自身具有n型导电特性。这种11型导电特性导致了外延层漏电流上升而造成GaN层的提前导通。最后，通过空间电荷限制电流模型分析了低温AlN插入层对漏电流特性的影响。发现由于Si衬底上生长高阻GaN层不完美，使得这种高漏电流特性体现为软击穿而非雪崩击穿。而这种击穿特性与低温AIN上层GaN(Top-GaN)厚度密切相关。所以，对于这种外延结构，增加Top-GaN的厚度是比较有效的提高击穿电压的方法。

关键词：半导体材料高阻氮化镓硅衬底低温AlN插入层漏电流特性

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基于AlGaN/GaN异质结的新型电力电子器件研究

基于AlGaN/GaN异质结的新型电力电子器件研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Hongling Xiao 肖红领王晓亮 Xiaoliang Wang Cuimei Wang 王翠梅 Lijuan Jiang 姜丽娟 Defeng Lin 林德峰 He Kang 康贺王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Seraiconductors Chinese Academy of Science 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院西安 710049 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Seraiconductors Chinese Academy of Science 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Seraiconductors Chinese Academy of Science ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Information Beijing 10083 Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院西安 710049

随着新一代电力电子系统对电力电子器件提出了越来越高的要求，基于GaN材料的新型电力电子器件逐渐成为当前世界上的研究热点。本文对GaN基新型电力电子器件的研究意义和现状进行了评述，同时还介绍了几年来在该领域所取得的一些成果，... 详细信息

随着新一代电力电子系统对电力电子器件提出了越来越高的要求，基于GaN材料的新型电力电子器件逐渐成为当前世界上的研究热点。本文对GaN基新型电力电子器件的研究意义和现状进行了评述，同时还介绍了几年来在该领域所取得的一些成果，包括基于AlGaN/GaN异质结的电力电子材料设计与生长、器件设计以及工艺研究，这些成果也为中国在该领域进一步研制高性能新型GaN电力电子器件打下了一定基础。

关键词：场效应半导体电力电子器件异质结构

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C波段AlGaN/GaN基逆F类功率放大器的设计

C波段AlGaN/GaN基逆F类功率放大器的设计

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Weijun Li 李卫军 Mengyi Cao 曹梦逸 Huilong Zhang 张会龙 Weiwei Chen 陈伟伟 Bin Hou 侯斌 Xiaohua Ma 马晓华 School of Technical Physics Xidian UniversityXi'an 710071China Key Laboratory for Wide Band-Gap 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071 西安电子科技大学宽禁带半导体教育部重点实验室西安 710071 Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices Xidian University Xi'an 710071 西安电子科技大学宽禁带半导体教育部重点实验室西安 710071

功率放大器是无线通讯收发系统中最消耗功率的器件之一,设计一款高效率的功率放大器对于提高无线收发系统的效率具有重要意义。根据本实验室的AlGaN/GaN HEMI器件的测量结果,利用Agilent lCCAP软件对器件进行了小信号和大信号的提参和建... 详细信息

功率放大器是无线通讯收发系统中最消耗功率的器件之一,设计一款高效率的功率放大器对于提高无线收发系统的效率具有重要意义。根据本实验室的AlGaN/GaN HEMI器件的测量结果,利用Agilent lCCAP软件对器件进行了小信号和大信号的提参和建模,并根据建立的模型利用Agilent ADS仿真软件设计了一款基于AlGaN/GaN HEMT器件的逆F类功率放大器。设计过程中,提出了在输入端加入一种新颖的用来调谐晶体管内部反馈参数的网络,使得效率进一步提高。根据仿真结果可知,放大器工作在4GHz时,功率附加效率达到81.4％,输出功率密度为8.3W/ram,适合在较高功率和较高电压下无线通讯系统的应用。

关键词：功率放大器异质结构 C波段结构设计性能评价无线通讯系统

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AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEMT结构电子限制特性研究

AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEMT结构电子限制特性研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：彭恩超 Enchao Peng Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 Cuimei Wang 王翠梅 Chun Feng 冯春 Lijuan Jiang 姜丽娟 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈弘王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for lnformatics Beifing 10083 Chi 中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院西安 710049

通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程模拟计算了AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEHT结构。采用AlGaN缓冲层代替传统的GaN缓冲层，有效地消除了传统AlGaN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道结构中的第二导电沟道，同时又保持了主沟道中2DEG良好的限制... 详细信息

通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程模拟计算了AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEHT结构。采用AlGaN缓冲层代替传统的GaN缓冲层，有效地消除了传统AlGaN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道结构中的第二导电沟道，同时又保持了主沟道中2DEG良好的限制能力。研究了该结构的能带和电子限制特性，并从极化角度阐明其物理机制是由于GaN/AlN/AlGaN异质界面附近净的负极化电荷对第二沟道2DEG的捧斥作用。

关键词：场效应器件高电子迁移率晶体管氮化物半导体异质结构

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AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及特性研究

AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及特性研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Fanna Meng 孟凡娜 Jincheng Zhang 张进成 Hao Zhou 周昊 Peishui Cui 崔培水 Huijuan Wen 温慧娟 Yue Hao 郝跃 State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology School of Microelectronic 西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室西安 710071

通过一维Poisson-Schrǒdinger方程自洽求解,得出AlGaN/GaN/AlGaN双异质结导带结构和二维电子气的分布。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构大大提高了GaN沟道层下方的势垒高度,使得二维电子气的限域性显著提高。为了提高材料的... 详细信息

通过一维Poisson-Schrǒdinger方程自洽求解,得出AlGaN/GaN/AlGaN双异质结导带结构和二维电子气的分布。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构大大提高了GaN沟道层下方的势垒高度,使得二维电子气的限域性显著提高。为了提高材料的结晶质量和电学特性,文中采用AlGaN和GaN相结合作为缓冲层,即先生长700nm GaN缓冲层再生长600rim Al0.07Ga0.93N缓冲层。高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜测试结果表明,材料的结晶质量和表面形貌均得到了显著的提高。同时,通过室温霍尔和方阻测试得出,双异质结材料的二维电子气迁移率达到1821cm2/Vs,方块电阻平均值338.5Ω/□,方阻均一性0.85％。最后,利用变温霍尔测试,对AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料的二维电子气密度和迁移率随温度变化进行了研究。与单异质结相比,AlGaN/GaN/AlGaN双异质结具有更好的高温特性。

关键词：半导体材料双异质结二维电子气生长特性

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红外量子级联探测器研究

红外量子级联探测器研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：刘峰奇刘俊岐翟慎强王利军张锦川梁平胡颖王占国中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室北京100083

量子级联探测器(Quantum Cascade Detector-QCD)是一种新型的光伏型探测器。其工作原理是基于光激发的电子在耦合量子阱中子带间的跃迁以及不同量子阱之间的台阶状子带结构,从而允许吸收了红外光子而跃迁到激发态的电子通过隧穿和声子... 详细信息

量子级联探测器(Quantum Cascade Detector-QCD)是一种新型的光伏型探测器。其工作原理是基于光激发的电子在耦合量子阱中子带间的跃迁以及不同量子阱之间的台阶状子带结构,从而允许吸收了红外光子而跃迁到激发态的电子通过隧穿和声子辅助驰豫形成单方向输运。QCD的优点：(1)这种光伏型探测器不需外加电场,因此没有暗电流,从而没有暗电流噪声,由于热噪声要比外加电场引起的暗电流的噪声小很多,因而QCD具有极好的噪声特性;(2)量子阱中束缚态之间的光学跃迁受到较小的界面散射而具有窄线宽,正是由于这种窄线宽,使得这种器件感知到的背景辐射降至很低,从而减小了背景辐射的干扰,进一步提高了QCD的噪声性能;(3)由于没有暗电流,可以延长读出电路的积分时间从而提高灵敏度,由于消除了暗电流产生的热量,原则上可以制作小能耗的阵列、具有更高的热分辨率。这种从红外至THz波段的低功耗、低噪声QCD在深空探测方面具有重要的应用前景。
　　中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室已经研制出峰值响应波长从4.1微米到18.8微米的一系列QCDs,该报告以半导体所的研究进展作为实例,简要介绍QCD相关的物理过程、设计思路、材料生长、器件研制所涉及的关键因素。

关键词：红外量子级联探测器半导体材料物理过程设计思路

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基于Agilent VEE的GaN HEMT内匹配微波测试系统

基于Agilent VEE的GaN HEMT内匹配微波测试系统

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Sihua Ouyang 欧阳思华 Qin Ge 戈勤 Yingkui Zheng 郑英奎 Xiaojuan Chen 陈晓娟 Xinyu Liu 刘新宇 Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences Beijing 100029 中国科学院微电子研究所北京 100029

GaN HEMI微波内匹配大功率器件，因其具有体积小、重量轻、输出功率大、工作温度高等方面的优势，将在各类通信、雷达、导航等设备中得到了广泛的应用，特别是在航空、航天、相控阵雷达等特殊领域要求整机小型化方面，具有较大的应用前... 详细信息

GaN HEMI微波内匹配大功率器件，因其具有体积小、重量轻、输出功率大、工作温度高等方面的优势，将在各类通信、雷达、导航等设备中得到了广泛的应用，特别是在航空、航天、相控阵雷达等特殊领域要求整机小型化方面，具有较大的应用前景。然而，在内匹配测试过程中涉及到的步骤繁琐，牵连到的设备众多且需要实时记录各类数据，致使其测试严重的滞后整个流程。因此，该文章描述了一种自行研制的自动化的，针对于GaN HEMT内匹配的微波测试系统。
　　内匹配技术是指将有源器件和阻抗匹配电路一同封装在管壳内部，使之成为输入阻抗和输出阻抗达到一定要求的器件阻抗匹配技术。然而，由于系统中涉及到太多的微波设备，仪器的手动设置以及数据的存储问题严重滞后了测试进度，加重了测试任务。自动化测试系统很好的解决了测试过程出现的问题，实现了测试自动化。操作简便，测试结果快捷存储是本系统的特色。由于测试系统很好的协调测试过程中多台仪器间时序问题，免除了测试过程中的仪器互连和繁琐的设置问题，使用户把更多的专注力集中在测试上。测试软件贴近实际操作，人性化的界面，可拓展的功能使之具有很大的实用潜力。

关键词：高电子迁移率晶体管内匹配技术微波测试系统氮化镓材料

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基于MOCVD生长的N极性与Ga极性GaN材料穿透位错的对比性研究

基于MOCVD生长的N极性与Ga极性GaN材料穿透位错的对比性研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Hao Zhou 周昊 Jincheng Zhang 张进成 Fanna Meng 孟凡娜 Zhiyu Lin 林志宇 Yue Hao 郝跃 National Key Discipline Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of Mi 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件国家重点学科实验室西安 710071

本文通过结合透射电子显微镜,高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜等表征检测手段,对于在蓝宝石衬底上,采用高温AlN成核层MOCVD异质外延生长的N极性和Ga极性GaN进行了对比研究。发现,Ga极性材料中的穿透位错随着厚度的增加有明显的弯折,... 详细信息

本文通过结合透射电子显微镜,高分辨率X射线衍射仪和原子力显微镜等表征检测手段,对于在蓝宝石衬底上,采用高温AlN成核层MOCVD异质外延生长的N极性和Ga极性GaN进行了对比研究。发现,Ga极性材料中的穿透位错随着厚度的增加有明显的弯折,合并成环和湮灭现象,而N极性材料中,大部分穿透位错并没有明显地随着外延层厚度的增加而产生合并,弯折和湮灭,而是向上延伸。并且,N极性材料的AIN成核层与GaN外延层之间界面处并未产生如Ga极性材料中AlN与GaN界面间那样高的位错密度。结合原子力显微镜的结果,对这些现象提出了可能的解释,认为不同于通常Ga极性GaN的由三维生长逐渐转变为二维的生长模式,N极性材料在生长初期就遵循一种二维的生长模式,再加上N极性GaN生长过程中大量的螺旋式生长,所以造成了两者的位锚密度差异较大。

关键词：氮化镓材料穿透位错生长模式金属有机化学气相沉积

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