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半导体量子级联激光器材料及其器件应用
半导体量子级联激光器材料及其器件应用
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 王占国 刘峰奇 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
本报告共分四部分,首先分别对基于InGaAs/InAIAs/lnP、AlGaAs/GaAs等材料体系的半导体子带跃迁量子级联激光器(QCLs)和基于InAs/AISb/GalnSb的锑化物Ⅱ型超晶格能带结构的带间跃迁激光器的工作原理做简单的描述。第二部分着重介绍实验... 详细信息
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线性区内AlGaN/AlN/GaN HFETs迁移率的理论研究
线性区内AlGaN/AlN/GaN HFETs迁移率的理论研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Yingxia Yu 于英霞 Zhaojun Lin 林兆军 Chongbiao Luan 栾崇彪 Hong Chen 陈弘 Zhanguo Wang 王占国 School of Physics Shandong University Jinan.250100 China 山东大学物理学院 济南 250100 Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics Chinese Academy of Sciences Beijing1O0080 中国科学院凝聚态物理北京国家重点实验室 北京 100083 Laboratory of Semiconductor Materials science.Institute of Semiconductors Chinese Academy of Scienc 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京 100083
本文考虑到电场对AlGaN/AlN/GaN HFETs中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,对低场迁移率模型进行了修正。基于quasi-2-D模型,对AlGaN/AlN/GaN HFETs的I-V特性进行了模拟计算,结果表明,使用修正后的迁移率模型计算得到的I-V特性与测试曲线... 详细信息
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硅中硫和磷元素重掺杂引发的子带隙红外光吸收特征对比
硅中硫和磷元素重掺杂引发的子带隙红外光吸收特征对比
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Xiao Cui 崔晓 Yongguang Huang 黄永光 Dewei Liu 刘德伟 Xiyuan Wang 王熙元 Xiaoning Zhu 朱小宁 Hongliang Zhu 朱洪亮 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of S 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 北京 100083 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of S 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 北京 100083 郑州轻工业学院技术物理系 郑州 450002
本文利用离子注入单晶硅表面的方法分别研制了硫和磷重掺杂的硅材料，并对比了二者在准分子激光退火和热退火前后的光吸收率变化特征。对低于硅带隙的1100～2600nm的近红外光波段吸收率的考察发现，准分子激光退火后，磷和硫重掺杂硅材... 详细信息
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利用低温GaN插入层提升AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构中2DEG迁移性质
利用低温GaN插入层提升AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构中2DEG迁移性质
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 丁杰钦 Jieqin Ding Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 Cuimei Wang 王翠梅 Chun Feng 冯春 Hong Chen 陈竑 Haobo Yin 殷海波 Lijuan Jiang 姜丽娟 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 Key Laboratory of Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beiji Key Laboratory of Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beiji 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 Key Laboratory of Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beiji ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for lnformatics Beging10083 China 国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049
本文通过生长AlGaN/InAlN/AlN/GaN结构,研究了升温过程对该结构的表面形貌和2DEG迁移性质的影响。实验表明,由于AlGaN的反向极化和InAlN的晶体质量的退化,结构中2DEG的浓度和迁移率都明显降低。低温GaN插入层能够有效缓解InAlN在高温下... 详细信息
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基于AlGaN/GaN异质结构的肖特基整流器制备及其特性
基于AlGaN/GaN异质结构的肖特基整流器制备及其特性
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 康贺 He Kang Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 王翠梅 Cuimei Wang 姜丽娟 Lijuan Jiang Chun Feng 冯春 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈竑 Defeng Lin 林德峰 Jianping Li 李建平 刘宏新 Hongxin Liu 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics Beijing 10083 Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049
利用金属有机化学气相沉淀设备外延生长了AlGaN/GaN异质结构材料,基于其研制出GaN基肖特基平面二极管。测量结果显示,室温下器件的反向击穿电压达大于1100V,反向偏压1100V时器件的反向漏电流低于30nA;计算得出器件的比导通电阻为9mΩ... 详细信息
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渐变AlGaN沟道层对AlGaN/AlN/AlGaN/GaN HEMT结构电子气的影响
渐变AlGaN沟道层对AlGaN/AlN/AlGaN/GaN HEMT结构电子气的影响
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 渠慎奇 Shenqi Qu Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 Cuimei Wang 王翠梅 Lijuan Jiang 姜丽娟 Chun Feng 冯春 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈竑 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 Chi Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 Chi 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 Chi ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Dewces for lnformatics Beijing 100083 Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049
本文通过一维Poisson-Schrōdinger自洽求解，计算了AlGaN/AlN/AlGaN/GaN异质结导带结构和电子气的分布。研究了AlGaN渐变沟道层对能带结构和电子气分布的影响，并对不同条件下电子在不同子带上的分布进行了计算与分析。从计算结果可以... 详细信息
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电泵浦n-ZnO微米棒/p-GaN异质结回音壁模微激光器阵列
电泵浦n-ZnO微米棒/p-GaN异质结回音壁模微激光器阵列
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 朱刚毅 理记涛 田正山 徐春祥 东南大学生物电子学国家重点实验室 南京 210096
ZnO的宽直接带隙和强激子结合能的特性使其成为一种理想紫外激光材料,在随机激光、法布里-珀罗(F-P)腔激光、回音壁模(WGM)激光中,ZnO回音壁模式激光由于其有极低的阈值和极高得到品质因子激励着人们去研究。课题组利用ZnO单晶微米棒良... 详细信息
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回音壁模ZnO激光器
回音壁模ZnO激光器
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 徐春祥 朱刚毅 戴俊 东南大学生物电子学国家重点实验室 南京 210096
ZnO的宽直接带隙和强激子结合能的特性使其成为一种理想紫外激光材料。目前，光泵激光已经在ZnO单晶、外延多晶薄膜、粉体、纳米线以及纳米棒等微纳结构中被实现。按照腔体结构，可将光泵激光分为随机激光、法布里-珀罗(F-P)腔激光和回... 详细信息
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场板对GaN基电力电子器件电学性能的影响
场板对GaN基电力电子器件电学性能的影响
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 林德峰 Defeng Lin Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 王翠梅 Cuimei Wang 康贺 He Kang Lijuan Jiang 姜丽娟 Chun Feng 冯春 Haibo Yin 殷海波 Hong Chen 陈竑 Jianping Li 李建平 刘宏新 Hongxin Liu 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 Key Lab of Semiconductor Materials Science Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for lnformatics Beijing 10083 Chi 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049
基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和特征通态电阻影响较小,对器件的击穿电压影响较大。通过优化场板长... 详细信息
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SiC衬底弯曲度与GaN外延片弯曲度关系研究
SiC衬底弯曲度与GaN外延片弯曲度关系研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 冯春 Chun Feng Xiaoliang Wang 王晓亮 Hongling Xiao 肖红领 Cuimei Wang 王翠梅 Jianping Li 李建平 Hongxin Liu 刘宏新 Lijuan Jiang 姜丽娟 Hong Chen 陈竑 Haibo Yin 殷海波 王占国 Zhanguo Wang Xun Hou 侯洵 中国科学院半导体所材料科学重点实验室 北京 100083 Key Laboratory of Materials Science Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences Beijin Key Laboratory of Materials Science Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences Beijin 中国科学院半导体所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所 西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049 中国科学院半导体所材料科学重点实验室 北京 100083 中国科学院半导体研究所 西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 Key Laboratory of Materials Science Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences Beijin ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for lnformatics.Beijing 10083 Chin 中国科学院半导体研究所 西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083 西安交通大学电子与信息工程学院 西安 710049
采用MOCVD技术在SiC衬底上生长了GaN基外延材料，并研究了衬底弯曲度与外延弯曲度的关系，结果表明GaN外延材料弯曲度随着SiC衬底弯曲度的增大而增大。利用弹性动力学模型，计算了外延不同GaN层厚度时通过外延所引入的弯曲度，以及不同... 详细信息
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