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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
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931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
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- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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基于3—5μm波段子带间跃迁的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究

基于3—5μm波段子带间跃迁的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生...

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：黄呈橙许福军闫晓东宋杰苗振林岑龙斌潘建海王新强沈波北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京 100871

@@半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁，其在光探测器，电光调制器和光开关等光电器件方面有巨大的应用前景。

关键词：半导体多量子阱结构子带间跃迁材料生长

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MOCVD选择区域外延和对接生长研究

MOCVD选择区域外延和对接生长研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孔端花梁松潘教青刘扬汪洋朱洪亮中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京 100083

采用低压MOCVD技术,研究了选择区域外延(SAG)和对接生长(BJ)技术。掩模宽度、闻距和生长条件对波长偏移量和材料质量的影响具有一定的规律,灵活运用SAG和BJ技术是实现单片光电子集成器件的关键。

关键词： MOCVD InGaAsP材料选择区域外延对接生长

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MO-PPV导电聚合物的微波合成及光电性能研究

MO-PPV导电聚合物的微波合成及光电性能研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：史兴武丁文朱保荣朱江西安交通大学陕西省信息光子重点实验室西安 710049

微波条件下台成了导电聚合物2-甲氧基-5-辛氧基-1,4-亚苯基亚乙烯(MOOOPPV),确定了MOOOPPV的微波合成工艺。通过红外吸收谱(IR谱)和光致发光谱(PL谱)表征材料的结构特征和性能。合成的MOOOPPV溶液的发射峰在550加左右,其薄膜的发射峰在6... 详细信息

微波条件下台成了导电聚合物2-甲氧基-5-辛氧基-1,4-亚苯基亚乙烯(MOOOPPV),确定了MOOOPPV的微波合成工艺。通过红外吸收谱(IR谱)和光致发光谱(PL谱)表征材料的结构特征和性能。合成的MOOOPPV溶液的发射峰在550加左右,其薄膜的发射峰在600nm左右。利用旋涂的方法制备了单层聚合物电致发光器件,对其电致发光性能进行了简单的研究。

关键词：微波加热导电聚合物 PPV衍生物

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新型无应变InAlN/GaN外延生长及器件制备

新型无应变InAlN/GaN外延生长及器件制备

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：薛军帅郝跃欧新秀史林玉张进成马晓华王冲西安电子科技大学微电子学院西安 710071 宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071

作为新型的无应变异质结材料,InAlN/GaN非常适合于毫米波功率器件的制备。通过采用脉冲式金属有机物化学气相淀积方法,外延生长得到高输运特性的InAlN/GaN异质结。其二维电子气密度达到2.0×1013cm-2,室温电子迁移率达到1400 cm2/V... 详细信息

作为新型的无应变异质结材料,InAlN/GaN非常适合于毫米波功率器件的制备。通过采用脉冲式金属有机物化学气相淀积方法,外延生长得到高输运特性的InAlN/GaN异质结。其二维电子气密度达到2.0×1013cm-2,室温电子迁移率达到1400 cm2/V.s,此结果显示了该方法在高质量InAlN薄膜生长中的显著优势.同时制备的InAlN/CaN HEMT器件表现出优越的性能,最大跨导为320mS/mm,最大漏极饱和电流为1A/mm。

关键词： InAlN CaN HEMTs 化合物半导体

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高阻GaN薄膜的准霍尔测量技术

高阻GaN薄膜的准霍尔测量技术

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李弋洋李成基曾一平中国科学院半导体研究所北京 100083

建立了高阻GaN薄膜材料的电学性质测量装置。开展了高阻GaN薄膜材料的欧姆接触制作与检测技术的研究工作。进行了高阻GaN薄膜材料的薄层电阻、高温变温霍尔及光霍尔等测量工作。可以测出高达1015欧姆的方块电阻。高温变温霍尔测量表明高... 详细信息

建立了高阻GaN薄膜材料的电学性质测量装置。开展了高阻GaN薄膜材料的欧姆接触制作与检测技术的研究工作。进行了高阻GaN薄膜材料的薄层电阻、高温变温霍尔及光霍尔等测量工作。可以测出高达1015欧姆的方块电阻。高温变温霍尔测量表明高阻GaN在高温工作时的导电性质是由1.04ev深施主能级决定的。

关键词：高阻GaN 薄层电阻高温变温霍尔光霍尔

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MoO3掺杂CuPc缓冲层对有机太阳能电池的影响

MoO3掺杂CuPc缓冲层对有机太阳能电池的影响

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹国华关敏李林森曾一平中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083

本文采用氧化钼掺杂有机给体材料酞菁铜(MoO3:CuPc)做为缓冲层制备了一种有机太阳能电池。采用该缓冲层后,器件的稳定性得到改善,在空气中放置30分钟后,器件的效率降低了20％,而未采用缓冲层的器件效率降低了7％。MoO3:CuPc缓冲层改善... 详细信息

本文采用氧化钼掺杂有机给体材料酞菁铜(MoO3:CuPc)做为缓冲层制备了一种有机太阳能电池。采用该缓冲层后,器件的稳定性得到改善,在空气中放置30分钟后,器件的效率降低了20％,而未采用缓冲层的器件效率降低了7％。MoO3:CuPc缓冲层改善了阳极ITO与有机给体层(CuPc)的界面状态。

关键词：有机太阳能电池氧化钼掺杂 CuPc缓冲层

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ZnO单晶的P,As和Sb离子注入研究

ZnO单晶的P,As和Sb离子注入研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：谢辉赵有文董志远杨俊中国科学院半导体研究所北京912信箱10083

本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO单晶的性质。为了得到均匀的掺杂层,我们首先使用SRIM软件进行了模拟计算,确定了注入的能量和剂量,以便实现方形离子注入层。对注入的样品进行了初步的Raman测试,发现不同离子注入产生的峰相似。... 详细信息

本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO单晶的性质。为了得到均匀的掺杂层,我们首先使用SRIM软件进行了模拟计算,确定了注入的能量和剂量,以便实现方形离子注入层。对注入的样品进行了初步的Raman测试,发现不同离子注入产生的峰相似。另外,我们进行了室温的光致发光测试,只能观察到微弱的发光点,但无法探测到发光峰。测试结果表明注入产生了晶格损伤,并引入了缺陷态.

关键词： ZnO单晶离子注入拉曼散射

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宽可调谐取样光栅分布布拉格反射激光器与半导体光放大器的单片集成

宽可调谐取样光栅分布布拉格反射激光器与半导体光放大器的单片集...

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘扬周代兵潘教青赵玲娟王圩中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京 100083

具有高出光功率和宽调谐范围的取样光栅分布布拉格反射(salpled grating distribute Bragg reflector ,SG-DBR)激光器与半导体光放大器(semiconductor optical amplifier,SOA)单片集成器件被成功制备。倾斜的SOA波导以及前后端面的增透... 详细信息

具有高出光功率和宽调谐范围的取样光栅分布布拉格反射(salpled grating distribute Bragg reflector ,SG-DBR)激光器与半导体光放大器(semiconductor optical amplifier,SOA)单片集成器件被成功制备。倾斜的SOA波导以及前后端面的增透膜成功的抑制了端面反射对于器件性能的影响。我们制备的集成SOA的SG-DDBR激光器调谐范围大于38nm,且波长覆盖良好,并实现调谐范围内光输出功率均大于9mW.

关键词：取样光栅 DBR激光器 SOA 单片集成

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原位Si3N4 AlGaN/GaN HEMT特性研究

原位Si3N4 AlGaN/GaN HEMT特性研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：解露郝跃王昊马晓华张进城王冲西安电子科技大学宽禁带半导体国防重点实验室西安 710071

本文介绍了一种新型的以MOCVD原位生长的InmSi3N4为帽层的AlGaN/GaN HEMT。通过与普通的没有Si3N4帽层器件的对比,分析了原位SiN4帽层对器件性能的影响。Si3N4帽层作为栅绝缘层,增加了栅与2DEG沟道的距离,导致器件的阈值电压负漂。由其... 详细信息

本文介绍了一种新型的以MOCVD原位生长的InmSi3N4为帽层的AlGaN/GaN HEMT。通过与普通的没有Si3N4帽层器件的对比,分析了原位SiN4帽层对器件性能的影响。Si3N4帽层作为栅绝缘层,增加了栅与2DEG沟道的距离,导致器件的阈值电压负漂。由其制得的Si3N4/AIG/GaN HEMT 的最大电流密度(IDmax)为928 mA/mm,峰值跨导(gmnax)为209 ms/mm,截止频率为22GHz。

关键词：原位SiN4帽层半导体器件 MOCVD技术

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硅基光子器件和光电子集成

硅基光子器件和光电子集成

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：余金中中国科学院半导体研究所北京 100083

硅基光子器件及光电子集成已经成为当前世界上的热门研究项目和重大开发领域。本文将对硅基光子器件,包括硅基激光器、探测器和光波导器件及光电予集成的现状其发展趋势进行综合评述,重点是介绍硅基光波导器件的最新进展,包括对光互连... 详细信息

硅基光子器件及光电子集成已经成为当前世界上的热门研究项目和重大开发领域。本文将对硅基光子器件,包括硅基激光器、探测器和光波导器件及光电予集成的现状其发展趋势进行综合评述,重点是介绍硅基光波导器件的最新进展,包括对光互连的波长选择.SOI的优势、高速率、低功耗、集成化、调制器和光开关的现状等热门问题进行深入讨论。提出应该集中研究1.55和1.3微米波段、SOI基波导、硅基发射和探测的器件以及它们的单片和混合集成光子回路。同时还报道我们研制的速率为11.9G-bit/s的光调制器、时间为300/380 ps的光开关和效率达70％的光栅耦合器等最新进展。

关键词：光子学光波导光调制器光开关光电集成

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