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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
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931 篇 工学
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- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
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- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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高性能InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究

高性能InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杨晓光杨涛王科范季海铭谷永先徐鹏飞王占国半导体材料科学重点实验室中科院半导体研究所北京 100083

本文旨在突破常规材料太阳能电池性能的瓶颈,结合先进的量子点技术,设计并制备了一种新型PIN结构的InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池。实验证明,与单节PIN结构GaAs体材料太阳能电池相比,InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池具有吸收波... 详细信息

本文旨在突破常规材料太阳能电池性能的瓶颈,结合先进的量子点技术,设计并制备了一种新型PIN结构的InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池。实验证明,与单节PIN结构GaAs体材料太阳能电池相比,InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池具有吸收波段宽(>1330nm)、短路电流高(提高约53％)、抗辐射能力强等特点.

关键词：太阳能电池 InAs/GaAs量子点中间能带

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高密度InAlGaAs/AlGaAs量子点的光致发光性质研究

高密度InAlGaAs/AlGaAs量子点的光致发光性质研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：梁德春李新坤金鹏王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京 100083

利用分子束外延技术制备了InAlGaAs/AIGaAs高密度(1.21×1011cm-2)量子点,并对其变温(4～320K)和变激发功率(0.05～50mW)光致发光性质进行了研究。实验发现,随着激发光功率的增加,量子点发光峰位发生大幅蓝移。该现象源于紧密相邻... 详细信息

利用分子束外延技术制备了InAlGaAs/AIGaAs高密度(1.21×1011cm-2)量子点,并对其变温(4～320K)和变激发功率(0.05～50mW)光致发光性质进行了研究。实验发现,随着激发光功率的增加,量子点发光峰位发生大幅蓝移。该现象源于紧密相邻量子点间的势垒降低导致的载流子在量子点间的直接转移。

关键词： InAlGaAs量子点光致发光载流子转移

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V族离子注入ZnO体单晶的初步研究

V族离子注入ZnO体单晶的初步研究

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：谢辉赵有文董志远杨俊中国科学院半导体研究所北京912信箱10083

我们采用离子注入的方法对ZnO体单晶进行掺杂。本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO的性质。为了得到均匀的掺杂层。我们使用SRIM软件进行模拟,对晶体进行多种能量和剂量的注入,希望实现方形离子注入层。我们对注入的样品进行了初步... 详细信息

我们采用离子注入的方法对ZnO体单晶进行掺杂。本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO的性质。为了得到均匀的掺杂层。我们使用SRIM软件进行模拟,对晶体进行多种能量和剂量的注入,希望实现方形离子注入层。我们对注入的样品进行了初步的Raman测试,发现不同离子注入产生的峰相似。另外,我们进行了室温的光致发光测试,只能观察到微弱的发光点,但无法探测到发光峰。测试结果表明注入产生了晶格损伤,并引入了缺陷态。

关键词： ZnO单晶离子注入拉曼散射

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具有埋层结构的4H—SiC混合PiN/Schottky二极管的研究

具有埋层结构的4H—SiC混合PiN/Schottky二极管的研究

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：黄健华吕红亮张玉明张义门汤晓燕陈丰平宋庆文西安电子科技大学宽禁带半导体技术国防重点学科实验室西安 710071

碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky 二极管(MPS)是一种理想的整流器件。本文利用二维半导体器件模拟软件ISE—DESSIS讨论了一种具有埋层的4H—SiC MPS的新犁结构,分析表明埋层的加入能... 详细信息

碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky 二极管(MPS)是一种理想的整流器件。本文利用二维半导体器件模拟软件ISE—DESSIS讨论了一种具有埋层的4H—SiC MPS的新犁结构,分析表明埋层的加入能有效降低反向漏电流的大小。并详细研究了埋层的掺杂浓度、深度以及间距对器件反向漏电流和正向压降的影响.

关键词： 4H-SiC 混合PiN/Scllottky二极管埋层结构反向漏电流

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GaAs HBT超高速2分频器的设计与仿真

GaAs HBT超高速2分频器的设计与仿真

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：程和远张玉明吕红亮汤晓燕张义门西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室西安 710071

采用Foundry lum InGaP/GaAs HBT工艺实现超高速2分频器,设计过程在速度和功耗之间进行了折中,仿真结果表明,电源电压为5V,最高工作频率可达到25.2GHz,工作范围从Dc到25.2Ghz。该分频器可应用于中规模超高速N级级联的2M分频器和无线收... 详细信息

采用Foundry lum InGaP/GaAs HBT工艺实现超高速2分频器,设计过程在速度和功耗之间进行了折中,仿真结果表明,电源电压为5V,最高工作频率可达到25.2GHz,工作范围从Dc到25.2Ghz。该分频器可应用于中规模超高速N级级联的2M分频器和无线收发机中的锁相环式频率综合器。

关键词： GaAa HBT 超高速2分频器仿真技术

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高功率顶发射垂直腔面发射激光器列阵的研制

高功率顶发射垂直腔面发射激光器列阵的研制

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：韦欣王青宋国峰陈良惠中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京 100083

本文报道了850nm高功率垂直腔面发射激光器列阵的制备工作。为了避免衬底吸收的影响,器件采用顶发射的方式。单元器件采用六方密堆积的方式进行排列。列阵单元中心距120 μm,台面直径70 μm,分别制备了91个单元和217单元的器件,对其功... 详细信息

本文报道了850nm高功率垂直腔面发射激光器列阵的制备工作。为了避免衬底吸收的影响,器件采用顶发射的方式。单元器件采用六方密堆积的方式进行排列。列阵单元中心距120 μm,台面直径70 μm,分别制备了91个单元和217单元的器件,对其功率输出特性、光谱特性、功率转换效率进行了研究。在室温连续条件下,91个单元的器件功率转换效率可达23.4％;217个单元在6A下输出功率可达2184mW。这是国内首次报道顶发射的高功率垂直腔面发射激光器列阵输出功率超过2W,转换效率超过20％的实验结果。

关键词：垂直腔面发射激光器顶发射功率转换效率

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InGaN垒对氮化物LED多量子阱质量及光电性能影响

InGaN垒对氮化物LED多量子阱质量及光电性能影响

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张宁姬小利刘乃鑫刘喆王军喜中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心北京海淀区清华东路甲35号100083

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统,在蓝宝石衬底上分别外延生长以InGaN和GaN为垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特性及电学性能,结果表明,有源区材料界面质量明显得到改善,样品... 详细信息

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统,在蓝宝石衬底上分别外延生长以InGaN和GaN为垒的多量子阱蓝光发光二极管(LED)材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特性及电学性能,结果表明,有源区材料界面质量明显得到改善,样品中V坑的数目及相应的位错减少。并且利用InGaN做垒的样品光致发光的峰值强度增强、峰位蓝移。对两种结构的LED进行电学测量得知,InGaN垒样品的droop现象得到较大的改善。这表明阱垒之间的应力减小,降低了由此产生的压电电场,增大了载流子的复合几率,提高了量子效率。

关键词： InGaN垒高分辨X射线衍射光致发光量子效率发光二极管

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1×4多模干涉型光功分器的设计与仿真

1×4多模干涉型光功分器的设计与仿真

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：马丽孔端花刘德伟朱小宁陈明华朱洪亮中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京市海淀区清华东路甲35号北京 100083 清华大学电子工程系北京 100084 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京市海淀区清华东路甲35号北京 100083 清华大学电子工程系北京 100084

利用二维有限差分光束传播方法(FD-BPM)仿真设计了一种具有强限制作用的1×4多模干涉(MMI)功分器,仿真结果表明,该器件在设计长度处只有0.07dB的附加损耗、0.04dB的光均衡度,同时具有较宽的波长带宽和均匀的输出光场分布。

关键词：多模干涉功分器强限制波导束传播方法

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MoO3掺杂CuPc空穴注入层对有机电致发光器件的改善

MoO3掺杂CuPc空穴注入层对有机电致发光器件的改善

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：关敏李林森曹国华李弋洋曾一平中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083

我们研究了MoO3掺杂CuPc薄膜作为空穴注入层对有机电致发光器件性能的改善,得到了低压、高流明效率的发光器件.其中器件ITO/50％MoO3:CuPc 5nm/NPB 75nm/296 C545T:Alq3 30nm/Alq3 30nm/LiF/Al,在100cd/m2亮度下的操作电压是4.4V,效率是... 详细信息

我们研究了MoO3掺杂CuPc薄膜作为空穴注入层对有机电致发光器件性能的改善,得到了低压、高流明效率的发光器件.其中器件ITO/50％MoO3:CuPc 5nm/NPB 75nm/296 C545T:Alq3 30nm/Alq3 30nm/LiF/Al,在100cd/m2亮度下的操作电压是4.4V,效率是4.3 lm/W。紫外可见光谱显示MoO3和CuPc之间形成的电荷转移产物对有机电致发光器件性能的改善起着关键作用。

关键词：空穴注入 MoO3掺杂有机电致发光器件 CuPc缓冲层

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厚膜PLED电致发光器件的制备

厚膜PLED电致发光器件的制备

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：朱保荣丁文史兴武朱江西安交通大学电子与信息工程学院 710049

聚对苯撑乙烯(PPV)是最早发现的聚合物电致发光材料,其优良的光电性能受到人们广泛关注。碳纳米管是一种性能优异的纳米材料,许多研究将碳纳米管引入PPV聚合物中,希望得到性能优异的复合材料。本文在超声波场下进行MO-PPV/MWNTs复合材... 详细信息

聚对苯撑乙烯(PPV)是最早发现的聚合物电致发光材料,其优良的光电性能受到人们广泛关注。碳纳米管是一种性能优异的纳米材料,许多研究将碳纳米管引入PPV聚合物中,希望得到性能优异的复合材料。本文在超声波场下进行MO-PPV/MWNTs复合材料的合成。制备了不同含量碳纳米管的复合材料,对其结构性能进行了表征。利用复合材料制备出厚膜器件,对器件性能进行了进一步研究.结果表明,随着复合材料中碳纳米管的加入,材料的载流子迁移率的到了提高,利于厚膜器件的制备。

关键词：共轭聚合物碳纳米管电致发光器件

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