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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

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学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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InP基RTD制备与特性分析

InP基RTD制备与特性分析

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王伟孙浩田彤艾立鹍谈惠祖齐鸣孙晓玮中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室上海 200050 中国科学院研究生院北京 100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术实验室上海 200050

通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电流密度为26KA/cm2.峰谷电流比1.56,与模拟结果进行了比较与分... 详细信息

通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电流密度为26KA/cm2.峰谷电流比1.56,与模拟结果进行了比较与分析,为进一步改善器件性能奠定了基础。

关键词：共振隧穿二极管 I-V特性磷化铟器件模拟

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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器研究

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈建新徐庆庆周易金巨鹏林春何力红外成像材料与器件重点实验室中国科学院上海技术物理研究所上海200083

本文报道了分子束外延技术生长InAs/GaSb超晶格探测器材料及其结构、表面和光学性能研究。我们采用相衬光学显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、X-射线双晶衍射等方法全面研究和分析了InAs/Gasb薄膜的性能,在此基础上优化了InAs/Gas... 详细信息

本文报道了分子束外延技术生长InAs/GaSb超晶格探测器材料及其结构、表面和光学性能研究。我们采用相衬光学显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、X-射线双晶衍射等方法全面研究和分析了InAs/Gasb薄膜的性能,在此基础上优化了InAs/Gasb超晶格材料的分子束外延生长参数,获得了具原子级平整的、与Gasb衬底完美匹配的InAs/Gasb超晶格材料。获得了截止波长分别为中波和长波的红外探测器材料。最后,进行了器件验证。

关键词： InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器分子束外延

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稀土元素离子注入法制备GaN基稀磁半导体薄膜材料的研究

稀土元素离子注入法制备GaN基稀磁半导体薄膜材料的研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘超孙莉莉李建明徐嘉东曾一平中国科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083

采用离子注入法在MOCVD外延生长的GaN薄膜上制备了稀土元素Sm、Eu、Tb、Dy两种离子共注入或单一离子双能态注入的GaN基稀磁半导体(DMSs)材料样品,并对上述样品的微结构、表面形貌和磁学性能进行了初步分析。结果表明上述掺杂稀土金属元... 详细信息

采用离子注入法在MOCVD外延生长的GaN薄膜上制备了稀土元素Sm、Eu、Tb、Dy两种离子共注入或单一离子双能态注入的GaN基稀磁半导体(DMSs)材料样品,并对上述样品的微结构、表面形貌和磁学性能进行了初步分析。结果表明上述掺杂稀土金属元素的GaN基样品在室温下均表现出铁磁性能,在X射线衍射的检测极限范围内未发现样品中有任何第二相出现。这为探索和制备新型的GaN基高Tc稀磁半导体材料提供了新途径。

关键词：离子注入氮化镓稀磁半导体室温铁磁性

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AlN阻挡层生长温度对InGaN沟道异质结材料电特性的影响

AlN阻挡层生长温度对InGaN沟道异质结材料电特性的影响

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈珂王昊马俊彩付小凡张进成郝跃西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071

采用MOCVD方法在蓝宝石村底上生长了A10.3Ga0.7N/ALN/In0.03Ga0.97N/GaN双异质结构,其中AIN阻挡层生长温度分别采用800℃低温和1050℃高温两种进行了对比。霍尔测试显示,AIN阻挡层低温生长和高温生长的样品的室温电子迁移率分别为625cm2... 详细信息

采用MOCVD方法在蓝宝石村底上生长了A10.3Ga0.7N/ALN/In0.03Ga0.97N/GaN双异质结构,其中AIN阻挡层生长温度分别采用800℃低温和1050℃高温两种进行了对比。霍尔测试显示,AIN阻挡层低温生长和高温生长的样品的室温电子迁移率分别为625cm2/V·s和439cm2/V·s,方块电阻分别为787Ω/口和939Ω/口。实验结果表明,采用低温生长AIN阻挡层有助于改善后续势垒层高温生长对异质结界面粗糙度的恶化,从而有利于提高二维电子气的迁移率。

关键词： InGaN沟道异质结低温A1N生长

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双沟道AlGaN/GaN异质结构

双沟道AlGaN/GaN异质结构

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：付小凡王昊林志宇马俊彩刘子扬张进成郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071

采用多层异质结形成多沟道结构,以降低AlGaN/GaN异质结构方块电阻,提高其电特性。本文以双沟道为主,讨论势垒层不同掺杂情况下外延结构的电特性。实验中,样品A两层AlGaN势垒层均未掺杂;样品B在第二势垒层做δ掺杂,Si掺杂浓度为2×10... 详细信息

采用多层异质结形成多沟道结构,以降低AlGaN/GaN异质结构方块电阻,提高其电特性。本文以双沟道为主,讨论势垒层不同掺杂情况下外延结构的电特性。实验中,样品A两层AlGaN势垒层均未掺杂;样品B在第二势垒层做δ掺杂,Si掺杂浓度为2×1018cm-3;样品C在第二势垒层做δ掺杂,Si掺杂浓度为3×1019cm-3。霍尔效应测量结果三样品方块电阻分别是:样品A为336Ω/口:样品B为225Ω/口;样品C为145Ω/口,表明采用势垒层掺杂的多沟道结构可有效降低AlGaN/GaN HEMT方块电阻。

关键词： AlGaN/GaN 多沟道异质结构

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GaN基纳米柱LED中的应力弛豫

GaN基纳米柱LED中的应力弛豫

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：朱继红张书明王辉江德生朱建军刘宗顺赵德刚杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123

以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制各出了直径在100—300nm之间,高度为700nm左右的LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明在纳米柱LED中存在明显的应力弛豫,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL... 详细信息

以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制各出了直径在100—300nm之间,高度为700nm左右的LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明在纳米柱LED中存在明显的应力弛豫,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光峰有3nm的蓝移,发光强度增强了4倍。我们通过计算和模拟证实了纳米柱中存在的蓝移现象是由于应力弛豫而不是量子限制效应导致的。

关键词：纳米LED 氮化镓化学腐蚀

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MBE生长太阳电池用立方相n—CdSe薄膜及其性能分析

MBE生长太阳电池用立方相n—CdSe薄膜及其性能分析

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵杰刘超崔利杰曾一平中国科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083

以ZnCl2为掺杂源,采用MBE工艺在SI—GaAs衬底上生长了一系列不同ZnCl2源炉温度T(ZnCl2)和VI/II束流压强比的n—CdSe薄膜。所有样品均具有立方相闪锌矿结构。掺入适量的Cl能提高外延层的结晶质量和光学质量,但掺杂过饱和以后薄膜质量迅... 详细信息

以ZnCl2为掺杂源,采用MBE工艺在SI—GaAs衬底上生长了一系列不同ZnCl2源炉温度T(ZnCl2)和VI/II束流压强比的n—CdSe薄膜。所有样品均具有立方相闪锌矿结构。掺入适量的Cl能提高外延层的结晶质量和光学质量,但掺杂过饱和以后薄膜质量迅速下降。T(Zncl2)等于140℃时得到最高的电子浓度(3.8×1018cm-3)。降低Ⅵ/Ⅱ比能进一步提高掺杂浓度,当VI/II比减小到1.0时n达到9.5×1018cm-3,同时电子迁移率(μ)并没有减小,仍保持在100cm2/V·s左右.

关键词：分子束外延 n型掺杂 X射线衍射 Hall测试光致发光 CdSe薄膜

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硅表面陷光结构初探

硅表面陷光结构初探

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘德伟朱小宁黄永光马丽陈明华赵利朱洪亮中国科学院半导体研究所中科院材料科学重点实验室北京 100083 清华大学电子工程系北京 100084 中国科学院半导体研究所中科院材料科学重点实验室北京 100083 清华大学电子工程系北京 100084 复旦大学表面物理国家重点实验室上海 200433

利用化学腐蚀和飞秒脉冲激光辐照的方法在单晶硅表面制备了金字塔、多孔硅和黑硅三种陷光结构。测量了这些结构的光反射率和吸收率,并结合扫描电镜对表面情况进行了分析对比。结果表明,所制备的材料均具有较理想的陷光效果,黑硅材料在30... 详细信息

利用化学腐蚀和飞秒脉冲激光辐照的方法在单晶硅表面制备了金字塔、多孔硅和黑硅三种陷光结构。测量了这些结构的光反射率和吸收率,并结合扫描电镜对表面情况进行了分析对比。结果表明,所制备的材料均具有较理想的陷光效果,黑硅材料在300-2500nm波段内具有90％以上的光吸收率。

关键词：金字塔多孔硅黑硅陷光结构

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X射线成像质量下降的研究

X射线成像质量下降的研究

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李鹏包生祥范荣魁电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都 610054 成都虹波实业股份有限公司四川成都 610100

针对医用x射线成像质量降低的问题,运用扫描电子显微镜(SEM)及其附带的能谱仪(EDS)对产生X射线的阳极靶进行了分析,结果表明:阳极靶在叠层烧结过程中,压坯之间隔层用氧化铝粉高温下熔融渗入靶材的W基体中,致使靶面受到污染,阳极靶发射X... 详细信息

针对医用x射线成像质量降低的问题,运用扫描电子显微镜(SEM)及其附带的能谱仪(EDS)对产生X射线的阳极靶进行了分析,结果表明:阳极靶在叠层烧结过程中,压坯之间隔层用氧化铝粉高温下熔融渗入靶材的W基体中,致使靶面受到污染,阳极靶发射X射线质量下降,成像质量降低。根据分析结果。提出了解决意见:通过更换隔层用氧化铝粉为钨粉,生产出纯W靶面的靶材,很好的解决了X射线成像质量下降的问题。

关键词： X射线阳极靶扫描电子显微镜能谱仪

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关态应力下AlGaN/GaN HEMT的Kink效应研究

关态应力下AlGaN/GaN HEMT的Kink效应研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：马骥刚焦颖贺强马晓华王冲郝跃西安电子科技大学技术物理学院西安710071 西安电子科技大学技术物理学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

采用短时间关态应力,对AlGaN/GaN HEMT器件的Kink效应进行研究。短时间应力未导致器件发生明显的退化,因此它可以作为Kink效应的电学表征手段。我们发现,关态应力(Vds20v&Vgs=20v&Vs=OV)后,pre-kink区的电流减小了28％,***增大... 详细信息

采用短时间关态应力,对AlGaN/GaN HEMT器件的Kink效应进行研究。短时间应力未导致器件发生明显的退化,因此它可以作为Kink效应的电学表征手段。我们发现,关态应力(Vds20v&Vgs=20v&Vs=OV)后,pre-kink区的电流减小了28％,***增大一倍,Kink效应明显增强。应力前后的研究表明,碰撞电离不是导致Kink效应的主要原因:短时间关态应力后Kink效应增强的主导机制是关态应力激活了陷阱的电子捕获,使得陷阱效应增强,从而导致了Kink效应的增强。另外,Vdg对于电子的释放有辅助作用。

关键词： Kink效应 AlGaN/GaN HEMT 短时间关态应力

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