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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
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931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
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主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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962 篇 中文
2 篇 英文

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基于ZnO半导体纳米线的声表面波小波紫外探测器

基于ZnO半导体纳米线的声表面波小波紫外探测器

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：彭文博文常保贺永宁西安交通大学电子与信息工程学院西安 710049 长安大学电子与控制工程学院西安 710064

随着对声表面波器件的不断深入研究,人们提出了用声表面波器件作为高明敏度传感器的构想。基于ZnO半导体纳米线对紫外光良好的紫外光电效应,我们提出了一种将ZnO纳米线和声表面波滤波器结构结合起来的高精度紫外探测器。这种紫外探测器... 详细信息

随着对声表面波器件的不断深入研究,人们提出了用声表面波器件作为高明敏度传感器的构想。基于ZnO半导体纳米线对紫外光良好的紫外光电效应,我们提出了一种将ZnO纳米线和声表面波滤波器结构结合起来的高精度紫外探测器。这种紫外探测器是通过在以128°YX-LiNbO3为基底的声表面波滤波器传输卢路上涂覆一层ZnO纳米线紫外敏感膜制备而成。声表面波滤波器的中心频率为50.882MHz,涂膜后的声表面波滤波器与一个紫外光源和一台网络分析仪构成了整个紫外探测器的测试系统。实验测试结果表明,在波长分别为365nm和254nm的紫外光照射下,紫外探测器的频移最大可达到3KHz,响应时间小于10s,重复特性较好。研究结果显示于基于ZnO半导体纳米线的声表面波紫外探测器在近紫外到中紫外波段的应用潜力。

关键词： ZnO纳米线声表面波紫外探测器

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采用脉冲方式驱动霍尔元件的可行性研究

采用脉冲方式驱动霍尔元件的可行性研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈学磊赵柏秦郑一阳韩海中国科学院半导体研究所北京 100083

针对霍尔元件响应迅速而灵敏度较低的特点,结合目前工程应用中广泛使用的采样保持及AD转换的数据处理方式,讨论了采用脉冲方式驱动霍尔元件,在峰值电压时取样的方式增加霍尔元件磁灵敏度的可行性。分别从热功耗限制和强场效应两方面进... 详细信息

针对霍尔元件响应迅速而灵敏度较低的特点,结合目前工程应用中广泛使用的采样保持及AD转换的数据处理方式,讨论了采用脉冲方式驱动霍尔元件,在峰值电压时取样的方式增加霍尔元件磁灵敏度的可行性。分别从热功耗限制和强场效应两方面进行考察。从理论上分析了脉冲驱动时霍尔元件的温升情况,给出了脉冲与直流供电的温升等效关系。实验结果表明,强电场效应是影响目前常见的霍尔元件脉冲驱动性能的主要限制条件。在管芯尺寸为490×490μm的霍尔器件上,当输入峰值电压达到24V时,由于热电子引起的电子迁移率下降将影响到霍尔输出的继续增大。在强电场效应的限制下。热功耗基本不构成对霍尔元件应用的限制。可通过增加管芯尺寸以降低有源区场强来克服强电场效应带来的限制。

关键词：霍尔元件脉冲方式强电场效应热效应

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封装中引线键合强度降低的原因分析

封装中引线键合强度降低的原因分析

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李鹏包生祥张德政马丽丽吕德春电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

微电子封装中,对分离电子元器件的封装多采用引线键合的方式实现基板与管脚引线的互连,即引线键合技术。在相当长的一段时间内,人们认为紫斑效应是键合工艺中最常见的失效形式。而现在众多研究表明影响键合强度的是克根达尔效应形成的... 详细信息

微电子封装中,对分离电子元器件的封装多采用引线键合的方式实现基板与管脚引线的互连,即引线键合技术。在相当长的一段时间内,人们认为紫斑效应是键合工艺中最常见的失效形式。而现在众多研究表明影响键合强度的是克根达尔效应形成的克根达尔空洞,我们以型号为SOT23的晶体管为研究对象,分别对150℃、175℃下作高温存储(HTSL)1000小时后的晶体管取样,再与20℃的晶体管对比,采用Multiplcxcr测试机作电参分析;通过制作截面切片,并将样品的截面镀金后用SEM作微观结构分析,对引线键合中的克根达尔空洞形成进行相关的研究。

关键词：微电子封装金铝键合克根达尔空洞:SOT23晶体管

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从AlGaN/GaN异质结肖特基二极管正向I-V特性中提取势垒高度的方法

从AlGaN/GaN异质结肖特基二极管正向I-V特性中提取势垒高度的方法

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：栾崇彪林兆军孟令国吕元杰曹芝芳王占国山东大学物理学院济南 250100 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京 100083

在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型为基础,分析了Ni肖特基接触势垒高度,并通过薛定谔方程和泊松... 详细信息

在AlGaN/GaN异质结构上制作Ni肖特基接触,一个样品未做退火处理,另一个样品在700℃下退火半小时,样品的势垒高度经过光电流谱测试得到。以测试得到的I-v特性以及双二极管模型为基础,分析了Ni肖特基接触势垒高度,并通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解计算得到制备样品零偏压下势垒高度:又依据导出的AlGaN/GaN异质结构中零电场下的势垒高度同零偏压下势垒高度之间的关系,计算得到所制备样品零电场下的势垒高度,其数值与通过光电流谱测试得到的势垒高度结果一致。

关键词：肖特基势垒高度 AlGaN/GaN异质结构正向I-v特性

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高质量化合物InP、GaSb和InAs开盒即用单晶衬底制备

高质量化合物InP、GaSb和InAs开盒即用单晶衬底制备

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵有文杨凤云段满龙孙文荣董志远杨俊胡炜杰刘刚王俊王应利中国科学院半导体研究所北京 100083

通过对液封直拉法热场和生长条件的优化控制,降低晶体生长过程所受的热应力,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,获得了高质量的2英寸和3英寸直径InP、GaSb和InAs单晶。用X-射线衍射摇摆曲线分析了晶体的完整性,其中... 详细信息

通过对液封直拉法热场和生长条件的优化控制,降低晶体生长过程所受的热应力,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,获得了高质量的2英寸和3英寸直径InP、GaSb和InAs单晶。用X-射线衍射摇摆曲线分析了晶体的完整性,其中InP单晶的衍射半峰宽为9-16弧秒,GaSb单晶的衍射半峰宽为12-15弧秒,InAs单晶的衍射半峰宽为12-18弧秒,表明这些晶体具有相当好的完整性。利用机械化学抛光技术获得了表面无损伤的单晶抛光片,通过化学腐蚀清洗的方法去除残留在抛光片表面的颗粒、杂质和损伤层,获得了表面洁净、无损伤、满足外延生长要求的开盒即用单晶衬底并取得很好的使用效果,实现商品化批量生产。

关键词： InAs单晶 GaSb单晶 InP单晶单晶衬底

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纳米折叠InGaN/GaN多量子阱发光二极管

纳米折叠InGaN/GaN多量子阱发光二极管

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：谭小动陈贵锋郝秋艳朱建军刘宗顺赵德刚张书明河北工业大学材料学院天津 300130 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083

以自组织Ni掩膜制作了高约1um,直径约100-300nm,柱间距约130-300nm的n-GaN纳米柱模板,并利用MOCVD法在纳米柱模板上外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的LED材料,并对其进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明折... 详细信息

以自组织Ni掩膜制作了高约1um,直径约100-300nm,柱间距约130-300nm的n-GaN纳米柱模板,并利用MOCVD法在纳米柱模板上外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的LED材料,并对其进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的LED材料光致发光(PL)谱强度是常规平面结构的2倍。测试了该外延片上制作的LED的电致发光谱,随着注入电流增加,未发现明显蓝移,表明纳米柱上外延生长的多量子阱具有较低的压电极化电场。

关键词： n—GaN 纳米柱光致发光电致发光发光二极管

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一氧化氮气体探测用1.79-μm InGaAs/InGaAsP多量子阱分布反馈激光器的制备

一氧化氮气体探测用1.79-μm InGaAs/InGaAsP多量子阱分布反馈激...

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：于红艳赵玲娟王圩潘教青杨田林邵永波边静安欣王宝军周代兵朱洪亮中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京 100083 山东大学空间科学与物理学院威海 264209 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京 100083 山东大学空间科学与物理学院威海 264209

采用低压金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)生长并制作了波长为1.7945微米的大应变InGaAs/InGaAsP多量子阱(MQW)分布反馈(DFB)激光器。采用生长中断技术改善了阱的质量,引入载流子阻挡层提高了器件的温度稳定性。工作温度在-20℃—50℃时... 详细信息

采用低压金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)生长并制作了波长为1.7945微米的大应变InGaAs/InGaAsP多量子阱(MQW)分布反馈(DFB)激光器。采用生长中断技术改善了阱的质量,引入载流子阻挡层提高了器件的温度稳定性。工作温度在-20℃—50℃时,腔长为300微米未镀膜管芯的阈值电流范围为10mA-35mA。20℃时阈值电流为19.7 mA,输出光功率每支管芯在连续注入电流为100 mA时可达到9.9mw。器件在很大的电流范围内保持单模工作,波长调制率为0.012 nm/mA。激光器的特征温度为58K,与传统通讯用1.55微米InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当。本实验中制作的DFB激光器适合作为一氧化氮传感系统的光源。

关键词： LP-MOCVD 一氧化氮气体探测多量子阱分布反馈激光器

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偏4°碳化硅衬底厚膜同质外延生长研究

偏4°碳化硅衬底厚膜同质外延生长研究

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘兴昉李晋闽孙国胜吴海雷闫果果王雷赵万顺董林郑柳曾一平中国科学院半导体研究所北京 100083

使用国产低压化学气相沉积设备(LPCVD)在小偏角(朝方向偏4°)碳化硅衬底上进行了厚膜同质外延生长研究。通过优化外延工艺,我们获得了高质量、低缺陷密度的同质厚膜外延生长工艺窗口,经Raman散射对外延样品结晶质量测试及断面SEM描... 详细信息

使用国产低压化学气相沉积设备(LPCVD)在小偏角(朝<11-20>方向偏4°)碳化硅衬底上进行了厚膜同质外延生长研究。通过优化外延工艺,我们获得了高质量、低缺陷密度的同质厚膜外延生长工艺窗口,经Raman散射对外延样品结晶质量测试及断面SEM描对生长厚度测试发现,外延层结晶不仅与生长温度有关,还与生长速率有关。对在1650°c下生长的结晶质量良好的4H—SiC外延层进行了厚度分析、原子力显微镜(AFM)测试,发现低碳硅比(<0.5)条件有利于改善厚度均匀性,而且表面形貌比较平整,5μm×5μm区域内表面粗糙度(Rms)为0.8nm。我们得到在LPCVD系统上进行4H-SiC快速同质外延生长的最佳生长条件为生长温度1650°c,碳硅比0.48～0.54,TCS流量40 sccm,生长速率可达40 μm/h,表面形貌平整,可以满足器件制作的要求。

关键词：碳化硅同质外延功率器件

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碳化硅外延石墨烯分子动力学模拟

碳化硅外延石墨烯分子动力学模拟

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：詹晓伟张玉明郭辉张义门王党朝程和远洪朴西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室西安710071

本文通过分子动力学软件模拟研究了6H—SiC(000—1)面在1500K高温条件下表面碳原子退火后自组织形成石墨烯结构物理过程。通过对关联函数比较发现随着表面碳原子的覆盖层数的增加,石墨烯数量逐渐增加,说明表面碳原子的覆盖层数影响石墨... 详细信息

本文通过分子动力学软件模拟研究了6H—SiC(000—1)面在1500K高温条件下表面碳原子退火后自组织形成石墨烯结构物理过程。通过对关联函数比较发现随着表面碳原子的覆盖层数的增加,石墨烯数量逐渐增加,说明表面碳原子的覆盖层数影响石墨烯生长结构和形貌。模拟碳化硅碳面和硅面在表面为双层碳原子时生长情况,结果发现碳面生长好于硅面,和报道的实验结果相符,并利用碳化硅表面对碳原子吸附能解释这一现象。从分子水平了解石墨烯生长形貌和机理。

关键词：碳化硅外延生长石墨烯分子动力学

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溶液方法制备空穴注入层改善有机电致发光器件的稳定性

溶液方法制备空穴注入层改善有机电致发光器件的稳定性

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：吴朝新张新稳王栋东焦博侯洵陕西省信息光子技术重点实验室电信学院西安交通大学西安 720049

用溶液旋涂的方法制备小分子材料4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine(m-MTDATA)作为空穴传输层,在两种不同表面粗糙度的氧化铟锡(ITO)玻璃基板上制备四种对比有机电致发光器件。实验发现用旋涂方法制的空穴注入... 详细信息

用溶液旋涂的方法制备小分子材料4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine(m-MTDATA)作为空穴传输层,在两种不同表面粗糙度的氧化铟锡(ITO)玻璃基板上制备四种对比有机电致发光器件。实验发现用旋涂方法制的空穴注入层表面形貌明显好于真空蒸镀薄膜的表面形貌,旋涂方法制备的小分子空穴传输层能有效地减小ITO的表面形貌对器件发光性能和稳定性的影响,器件寿命增加到40 900个小时,是相应蒸镀空穴传输层器件的2.7倍。我们把器件发光性能和稳定性的提高归因于旋涂工艺提高了有机层表面形貌,减小了漏电流和黑点的形成。

关键词：有机电致发光器件溶液方法稳定性

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