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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
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43 篇 半导体器件
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23 篇 高电子迁移率晶体...
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18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
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17 篇 制备工艺

机构

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32 篇 南京大学
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30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
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17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
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14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
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11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

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61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
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27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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基于MOS结构的氧化锌发光器件的研究

基于MOS结构的氧化锌发光器件的研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵旺赵龙夏晓川史志锋王辉董鑫杜国同集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连 116024 集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院辽宁大连 116024

用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,制备了Au/MgO/ZnO/MgO/ITO以及Au/MgO/ZnO/ITO两种基于MOS结构的发光器件。两种器件的伏安特性曲线都表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约为5V。采用安德森模型画出了两种器件在正向偏压下的... 详细信息

用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,制备了Au/MgO/ZnO/MgO/ITO以及Au/MgO/ZnO/ITO两种基于MOS结构的发光器件。两种器件的伏安特性曲线都表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约为5V。采用安德森模型画出了两种器件在正向偏压下的能带图。从能带图出发,通过对两种结构的对比,阐述了其电致发光机理。对比了两种结构器件在电注入情况下的发光光谱,发现MgO绝缘层的引入可以显著提高器件的紫外发光效率。

关键词：金属有机化学气相沉积 MOS结构氧化锌发光器件

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500W准连续波双量子阱半导体激光器

500W准连续波双量子阱半导体激光器

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张普王警卫熊玲玲房艳李小宁彭晨辉刘兴胜中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室陕西西安 710119 西安炬光科技有限公司陕西西安 710119 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室陕西西安 710119 西安炬光科技有限公司陕西西安 710119

作为一种新型的半导体激光器件,双量子阱半导体激光器可以在同样电流下输出相当于单量子阱半导体激光器两倍的光功率。本文主要进行了双量子阱结构高功率半导体激光器的研制开发。首先研究并优化了器件的热管理和热应力管理,设计了一种... 详细信息

作为一种新型的半导体激光器件,双量子阱半导体激光器可以在同样电流下输出相当于单量子阱半导体激光器两倍的光功率。本文主要进行了双量子阱结构高功率半导体激光器的研制开发。首先研究并优化了器件的热管理和热应力管理,设计了一种新型的双面散热封装结构,开发了双面散热技术,显著降低了双量子半导体激光器有源区的温度。制备了波长808nm输出激光功率高达514.8W的准连续波双量子阱半导体激光器,该激光器的斜率效率达到2.73W/A,电光转换效率接近56％,上述参数均优于传统的单量子阱半导体激光器。

关键词：半导体激光器准连续波双量子阱

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基于p-Si/Zn1-xMgxO/n—ZnO异质结发光器件的研究

基于p-Si/Zn1-xMgxO/n—ZnO异质结发光器件的研究

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：史志锋赵龙夏晓川王辉赵旺董鑫杜国同集成光电子国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院大连 116023 集成光电子国家重点实验室吉林大学电子科学与工程学院长春 130012 大连理工大学物理与光电工程学院大连 116023

采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在p-Si(111)衬底上制备出具有Zn1-xMgxO电子阻挡层的p-Si/Zn1-xMgxO/n-ZnO异质结器件。电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的p-n结特性,其开启电压为3.5V,反向击穿电压约为-8.0V... 详细信息

采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在p-Si(111)衬底上制备出具有Zn1-xMgxO电子阻挡层的p-Si/Zn1-xMgxO/n-ZnO异质结器件。电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的p-n结特性,其开启电压为3.5V,反向击穿电压约为-8.0V。在正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱包括紫外和可见两部分,它们分别是由ZnO一侧的近带边和深能级上的辐射复合引起的。相比于传统的p-Si/n-ZnO结构,Zn1-xMgxO(x=0.1)阻挡层的引入,使得异质结的电致发光效率有了很大的提高。并通过ZnO的光致发光(PL)谱对异质结器件的发光机制进行了分析。

关键词： MOCVD方法异质结 Ⅰ-Ⅴ特性电致发光

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AlGaN/GaN HEMT的高温特性研究

AlGaN/GaN HEMT的高温特性研究

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杨丽媛潘才渊马骥刚郝跃王冲马晓华西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体教育部重点实验室西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体教育部重点实验室西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071

对AlGaN/GaN HEMT器件进行了高温测试,得到了器件直流、交流特性随着环境温度升高而退化的规律。实验发现,200℃下器件的主要参数如饱和电流和峰值跨导等均发生明显退化。分析表明,器件直流特性的退化主要源于高温下2DEG迁移率的明显降... 详细信息

对AlGaN/GaN HEMT器件进行了高温测试,得到了器件直流、交流特性随着环境温度升高而退化的规律。实验发现,200℃下器件的主要参数如饱和电流和峰值跨导等均发生明显退化。分析表明,器件直流特性的退化主要源于高温下2DEG迁移率的明显降低,此外2DEG密度的降低也是直流特性退化的另一因素。通过对器件肖特基特性的变温测试发现,高温下器件栅泄漏电流明显增大。研究表明,随着温度的升高,势垒层陷阱活性增强,电子能量增大,陷阱辅助遂穿机制成为除热电子发射机制外的另一种重要的栅泄漏机制。而陷阱活性的增强与电子能量的增大,也使被势垒层陷阱捕获的电子更容易逃离陷阱,在脉冲测试中不能有效地对二维电子气产生耗尽作用,导致器件电流崩塌效应的减弱。

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件高温特性势垒层陷阱

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薄势垒增强型器件的制备与特性分析

薄势垒增强型器件的制备与特性分析

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：于惠游杨丽媛全思马晓华王冲张进城郝跃西安电子科技大学技术物理学院西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体料与器件重点实验室西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071

研制出蓝宝石衬底的15nm势垒层的F注入增强犁AlGaN/GaNHEMT。薄势垒耗尽型器件阈值电压为-1.7V,而常规的22nm器件阈值电压为-3.5V,因此薄势垒器件更易于实现增强型。栅长0.5μm,源漏间距4μm,器件在150W 100s的F等离子体处理的条件下,... 详细信息

研制出蓝宝石衬底的15nm势垒层的F注入增强犁AlGaN/GaNHEMT。薄势垒耗尽型器件阈值电压为-1.7V,而常规的22nm器件阈值电压为-3.5V,因此薄势垒器件更易于实现增强型。栅长0.5μm,源漏间距4μm,器件在150W 100s的F等离子体处理的条件下,阈值达到1.3V。退火可以有效恢复等离子体处理诱导的损伤提高二维电子气的迁移率。器件在N2气氛中300℃2min退火后饱和电流达到300mA/mm,最大跨导177 mS/mm。C—V测试表明等离子体处理可以减少器件栅下势垒层的厚度,降低二维电子气浓度,增加栅控,从而提高器件阈值电压。

关键词：高电子迁移率晶体管薄势垒增强型器件 F等离子体处理阈值电压

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凹栅型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的功率特性研究

凹栅型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的功率特性研究

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杨凌贺强郝跃马晓华王冲西安电子科技大学宽带隙国防重点实验室西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071 西安电子科技大学宽带隙国防重点实验室西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071

本文主要对比研究了常规AlGaN/GaN MOS-HEMT器件与凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件,其界面态密度对器件性能的影响。通过进行槽栅刻蚀,制备出了1.02nm深的凹栅AlGaN/GaNMOS-HEMT器件,使界面态密度从1.25×1012cm12cV-1减少到5.47×1... 详细信息

本文主要对比研究了常规AlGaN/GaN MOS-HEMT器件与凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件,其界面态密度对器件性能的影响。通过进行槽栅刻蚀,制备出了1.02nm深的凹栅AlGaN/GaNMOS-HEMT器件,使界面态密度从1.25×1012cm12cV-1减少到5.47×1011cm-2eV-1,而器件阈值电压从-5.15V增加到-5.02V,跨导峰值从160mS/mm增加到173mS/mm,使输出饱和电流从974mA/mm增加到1010mA/mm。由于栅槽深度较浅,保证了凹栅MOS器件具有较高的击穿电压。在4GHz,30V的工作电压下,由于具有较低的界面态密度,100μm栅宽凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件能将最大输出功率密度和最高功率附加效率从3.4W/mm和33.17％提高到4.39W/mm和42.27％。

关键词：凹栅AlGaN/GaN MOS-HEMT 低界面态密度高功率密度

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研究不同槽栅深度Al2O3 MOS—HEMTs器件特性

研究不同槽栅深度Al2O3 MOS—HEMTs器件特性

引用

第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：潘才渊杨丽媛杨凌马晓华张进城郝跃西安电子科技大学技术物理学院西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体教育部重点实验室西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体教育部重点实验室西安 710071

为了解决MOS结构high-k介质引入的界面态问题和栅控能力降低,本文通过F基刻蚀si3N4和Cl基刻蚀AlGaN形成槽栅结构的MOS-HEMT8器件(Cl基刻蚀时间分别为15S,17s和19s)。常规MDS-HEMTs器件的肖特基反向漏电比常规HEMTs器件小三个量级。... 详细信息

为了解决MOS结构high-k介质引入的界面态问题和栅控能力降低,本文通过F基刻蚀si3N4和Cl基刻蚀AlGaN形成槽栅结构的MOS-HEMT8器件(Cl基刻蚀时间分别为15S,17s和19s)。常规MDS-HEMTs器件的肖特基反向漏电比常规HEMTs器件小三个量级。通过槽栅刻蚀后,器件的跨导有较大的提高。用变频C-F法测量MOS结构的界面态,我们发现当槽栅深度为1.02nm时。界面特性最佳,界面时常数τit=(0.20-1.59)μs,密度Du=(0.55-1.08)1012cm-2eV-1。在槽栅刻蚀后,界面态密度明显减小了,而且没产生新的界面陷阱类型。这是由于Cl基刻蚀了AlGaN层的天然氧化层,减小了界面态。这氧化层由于AlOx和GaOx氧化物的形成使得N原子的缺失,从而形成了N空位,同时AlGaN亚表面区域也有其他杂质(如C,O,Si等)。研究不同槽栅深度的MOS-HEMTs的电流崩塌特性,发现短时间低功率的Cl基刻蚀造成的损伤基本没有加剧器件的电流崩塌.

关键词： MOS-HEMTs器件 C-F 膝点电阻

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F等离子体处理功率对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

F等离子体处理功率对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：全思于惠游郝跃马晓华张进城西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071 西安电子科技大学技术物理学院西安 710071

通过分步光刻技术将不同功率F等离子体处理HEMT(高电子迁移率晶体管)和常规耗尽型HEMT制备在同一原片上。通过对比得出。F等离子体处理功率越岛。器件阈值电压越高,最大跨导及最大电流越低。为了研究F等离子体处理功率对器件可靠性的影... 详细信息

通过分步光刻技术将不同功率F等离子体处理HEMT(高电子迁移率晶体管)和常规耗尽型HEMT制备在同一原片上。通过对比得出。F等离子体处理功率越岛。器件阈值电压越高,最大跨导及最大电流越低。为了研究F等离子体处理功率对器件可靠性的影响,对不同功率F处理的器件施加漏台阶应力。结果显示F等离子体处理的器件应力后阈值电压均有负漂,F处理功率越大t阈值电压漂移量越小。同时,F等离子体处理的栅漏二极管电应力可靠性比未进行F等离子体处理的栅漏二极管可靠性高,且处理功率越大,可靠性越好。因此,F等离子体处理功率应折中选择,功率过小,器件可靠性差,功率过大,器件直流特性差。

关键词： AlGaN/GaN HEMT 光刻技术 F等离子体处理功率

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《半导体技术》第二届理事会成员

《半导体技术》第二届理事会成员

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

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ZnO薄膜p型掺杂及ZnO-LED室温电致发光

ZnO薄膜p型掺杂及ZnO-LED室温电致发光

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：叶志镇潘新花浙江大学硅材料国家重点实验室杭州 310027

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有许多优异的性能。其p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题。本课题组经过多年来不断的探索与研究,目前已取得重大进展。主要表现在以下两个方面：发明了多... 详细信息

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有许多优异的性能。其p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题。本课题组经过多年来不断的探索与研究,目前已取得重大进展。主要表现在以下两个方面：发明了多种p型掺杂方法：在获得性能较好的p型ZnO薄膜的基础上,结合ZnO/ZnMgO多量子阱结构,研制ZnO-LED原型器件,在室温下实现了较好的近带边电致发光。

关键词：氧化锌薄膜 p型掺杂电致发光半导体材料光电器件量子阱

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