检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议"

共 964 条记录，以下是221-230 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

晶片退火对掺Zn GaAs晶片结构和光电性能的影响

晶片退火对掺Zn GaAs晶片结构和光电性能的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：王元立北京通美晶体技术有限公司

研究了多步晶片退火(MWA)工艺对垂直梯度凝固(VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响。采用encor 6220表面缺陷分析仪和AccentRPM2000光致发光面分布系统对退火前后的晶片的结构和光学性能均匀性进行了表征,... 详细信息

研究了多步晶片退火(MWA)工艺对垂直梯度凝固(VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响。采用encor 6220表面缺陷分析仪和AccentRPM2000光致发光面分布系统对退火前后的晶片的结构和光学性能均匀性进行了表征,对MWA工艺改善晶片性能均匀性的原因进行了讨论。实验结果表明,MWA工艺处理大幅度提高了GaAs单晶片的结构和光电性能一致性,退火后晶片光致发光的强度均匀性小于2%,为在衬底上制备性能优异的光电器件打下了良好的基础。

关键词：砷化镓化合物半导体晶片退火光致发光分布砷沉淀

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

晶片退火对掺Zn的GaAs晶片结构和光电性能的影响

晶片退火对掺Zn的GaAs晶片结构和光电性能的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王元立北京通美晶体技术有限公司北京 101113

本文研究了多步晶片退火(Multi-step Wafer AnneaL-MWA)工艺对垂直梯度凝固(Vertical Gradient Freezing-VGF)方法生长的直径为100mm的掺Zn GaAs单晶的结构和光电性能的影响。采用Tencor 6220表面缺陷分析仪和Accent RPM2000光致发光mapping系统对退火前后的晶片的结构和光学性能均匀件进行了表征。实验结果表明MWA工艺处理大幅度提高了GaAs单晶片的结构和光电性能一致性。退火后晶片光致发光的强度均匀性小于2％,为在衬底上制备性能优异的光电器件打下了良好的基础。同时本文对MWA工艺改善晶片性能均匀性的原因进行了讨论。

关键词：砷化镓化合物半导体晶片退火光致发光砷沉淀晶片结构光电性能

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

砷化镓仍然是微波半导体的主流技术

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室中国电子科技集团公司南京电子器件研究所

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波... 详细信息

氮化镓技术的逐步实用化引起了微波半导体业界的高度关注。但是传统的砷化镓除了在手机等大规模市场继续领先之外,在高可靠微波毫米波器件电路、高效毫米波功率放大器等高端应用场合仍然占有优势。因此在未来几年内砷化镓将仍然足微波半导体的主流技术。文章对南京电子器件研究所的相关研究工作作了介绍。

关键词：砷化镓氮化镓微波半导体毫米波功率放大器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

光控电吸收调制器逻辑门的研制

光控电吸收调制器逻辑门的研制

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：廖栽宜赵玲娟潘教青周帆边静王圩中国科学院半导体材料重点实验室北京 100083

提出并制作了新型的PD～EAM光逻辑门，它有着极高的开关速度潜力并可以方便的用于光通信中的信息处理。我们在实验中证明了它的静态逻辑功能，并进行了622Mbit/s的高频逻辑功能测试，负载电阻为450Ω时，3dB带宽达到2.88GHz。

关键词：电吸收调制器单片集成光探测器化合物半导体光通信信息处理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性

ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：贺永宁张雯崔吾元崔万照王东朱长纯侯洵西安交通大学电子与信息工程学院 710049 西安交通大学理学院 710049 中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国家重点实验室西安交通大学电子与信息工程学院 710049 西安交通大学理学院710049

本文采用高纯锌粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到,形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明PVA不仅仅为ZnO半导体纳米线... 详细信息

本文采用高纯锌粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到,形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明PVA不仅仅为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑,而且光致发光结果显示这种复合结构膜不仅仅具有较强的紫外带边发射特性,同时由于聚合物的表面钝化作用使得由纳米线表面缺陷引起的深能级辐射发光峰得到抑制。这种半导体复合膜还具有易于移植、可图形化的工艺特点,因此对ZnO半导体纳米线光电器件的制作与开发具有重要价值。

关键词：纳米线聚合物复合膜紫外带边发光化合物半导体紫外发光特性光电器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响

GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵妙刘新宇袁婷婷庞磊中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室北京 100029

基于能带结构模拟的结果,讨论了GaN帽层引起的能带变化同AlGaN/GaN HEMT肖特基特性之间的关系,比较了有无GaN帽层的HEMT肖特基特性的变化,从模拟计算和实验结果来看,由于GaN帽层同势垒层之间的极化作用,器件的有效肖特基势垒高度增加,... 详细信息

基于能带结构模拟的结果,讨论了GaN帽层引起的能带变化同AlGaN/GaN HEMT肖特基特性之间的关系,比较了有无GaN帽层的HEMT肖特基特性的变化,从模拟计算和实验结果来看,由于GaN帽层同势垒层之间的极化作用,器件的有效肖特基势垒高度增加,对应的开启电压变大。

关键词：二维电子气能带结构模拟 GaN帽层 AlGaN GaN HEMT 肖特基特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

国产SiC衬底GaN HEMT外延材料研究进展

国产SiC衬底GaN HEMT外延材料研究进展

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：冯志宏尹甲运刘波王勇徐现刚冯震蔡树军专用集成电路国家级重点实验室石家庄 050051 山东大学晶体材料国家重点实验室济南 250000

利用国产2英寸半绝缘SiC单晶衬底,实现了高性能GaN HEMT外延材料。室温下最高二维电子气迁移率2138 cm2/V·s,平均方块电阻281.5Ω/U,标准偏差3.59％。2.5 mm栅宽GaN微波功率器件8 GHz最大连续波输出功率达到20 W,增益7 dB,附加效... 详细信息

利用国产2英寸半绝缘SiC单晶衬底,实现了高性能GaN HEMT外延材料。室温下最高二维电子气迁移率2138 cm2/V·s,平均方块电阻281.5Ω/U,标准偏差3.59％。2.5 mm栅宽GaN微波功率器件8 GHz最大连续波输出功率达到20 W,增益7 dB,附加效率达到42％,实现国产SiC衬底上的GaN HEMT器件。

关键词：迁移率功率密度外延材料功率器件微波器件输出功率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种应用于甚短距离光传输的高效编码

一种应用于甚短距离光传输的高效编码

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘博陈雄斌刘丰满杨宇陈弘达中国科学院半导体研究所光电研发中心北京 100083

本文通过对8b/10b编码协议的修改,构建了一种具有一定检错能力的直流平衡编码。并根据这种编码对VSR4-1.0建议进行改进,提出了一种更高效的甚短距离光传输方式。

关键词：直流平衡编码检错码甚短距离光传输编码协议

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

气相掺杂FZ单晶电阻率的控制

气相掺杂FZ单晶电阻率的控制

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：刘洪飞刘燕董军恒中国电子科技集团公司第四十六研究所

主要介绍了用气相掺杂的方法制备FZ单晶的基本技术条件和设计思路。采用此技术可使气相掺杂时既快速准确地实现目标电阻率。对单晶的轴向及径向电阻率均匀性进行调整,提高了气相掺杂FZ硅单晶的成品率。

关键词：气相掺杂电阻率区熔单晶

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

有机半导体材料薄膜特性及其在光电器件中的应用(邀请报告)

有机半导体材料薄膜特性及其在光电器件中的应用(邀请报告)

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：邱勇有机光电子与分子工程教育部重点实验室清华大学化学系北京 100084

不同的成膜方式、成膜条件对有机半导体材料薄膜特性有很大的影响。比较了真空蒸镀和采用熔融猝冷制备的N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphcnyl)bcnzidine(TPD)薄膜,熔融猝冷所得的TPD薄膜具有更好的热稳定性和更高的迁移率,... 详细信息

不同的成膜方式、成膜条件对有机半导体材料薄膜特性有很大的影响。比较了真空蒸镀和采用熔融猝冷制备的N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(3-methylphcnyl)bcnzidine(TPD)薄膜,熔融猝冷所得的TPD薄膜具有更好的热稳定性和更高的迁移率,而且熔融猝冷TPD迁移率随电场变化很小。讨论了真空沉积的并五对真空沉积的并五苯薄膜,在惰性氛围中将其退火,也观察到晶粒结合更紧密,提高场效应晶体管的性能。

关键词：有机半导体材料薄膜特性真空蒸镀熔融猝冷 TPD薄膜热稳定性场效应晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共97页 << < 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：