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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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948 篇 会议
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- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 软件工程
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3 篇 经济学
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
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57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
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22 篇 发光二极管
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19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

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61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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应变Si沟道nMOSFET阈值电压特性研究

应变Si沟道nMOSFET阈值电压特性研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张志锋张鹤鸣胡辉勇宣荣喜宋建军两安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

本文在研究分析驰豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系。分析结果表明:阈值电压... 详细信息

本文在研究分析驰豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系。分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低。该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考。

关键词：应变硅器件驰豫SiGe衬底 nMOSFET阈值电压模型

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6H-SiC体材料ICP刻蚀技术

6H-SiC体材料ICP刻蚀技术

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：丁瑞雪杨银堂韩茹西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

采用SF+O作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,... 详细信息

采用SF+O作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,开口越窄,深度越浅。刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,XPS结果显示刻蚀表面残余的F元素只存在于表面10 nm深度的部分。

关键词：碳化硅感应耦合等离子体刻蚀速率 XPS

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SiGe/Si分步布拉格反射镜材料的研究

SiGe/Si分步布拉格反射镜材料的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：于丽娟 J.Zhang 中国科学院半导体所北京 100083 Imperial College London UK

引入应力平衡的概念,成功地设计了真实衬底,模拟了Si/Si0.68Ge0.32的反射谱,并用MBE的方法在真实衬底上生长了高反射率Si/Si0.68Ge0.32反射镜,效率可达78％。X-ray双晶摇摆曲线表明,所得材料具有较高的质量,而倒易空间扫描图表明外延Si... 详细信息

引入应力平衡的概念,成功地设计了真实衬底,模拟了Si/Si0.68Ge0.32的反射谱,并用MBE的方法在真实衬底上生长了高反射率Si/Si0.68Ge0.32反射镜,效率可达78％。X-ray双晶摇摆曲线表明,所得材料具有较高的质量,而倒易空间扫描图表明外延Si、Si0.68Ge0.32和Si0.853Ge0.147的中心并不在一条直线上,发现理论设计的应力平衡,在实际当中并没完全达到,生长参数还需要做进一步的调整。

关键词：分步布拉格反射镜材料双晶摇摆曲线应力平衡

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F16CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善

F16CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：关敏曹国华李林森曾一平中国科学院半导体研究所材料中心

实验中制备了一种FCuPc掺杂NPB薄膜,它作为空穴注入层相对于单纯的NPB薄膜对有机电致发光器件性能有所改善,在2 000 cd/m下,第一个器件的效率是2.7 cd/A,高于单独使用NPB薄膜器件得到的1.6 cd/A。另外,复合薄膜的热稳定性强于单纯的NPB... 详细信息

实验中制备了一种FCuPc掺杂NPB薄膜,它作为空穴注入层相对于单纯的NPB薄膜对有机电致发光器件性能有所改善,在2 000 cd/m下,第一个器件的效率是2.7 cd/A,高于单独使用NPB薄膜器件得到的1.6 cd/A。另外,复合薄膜的热稳定性强于单纯的NPB薄膜,这有利于提高有机电致发光器件的寿命。

关键词：空穴注入十六氟代酞菁铜有机电致发光器件

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SiGe衬底离子注入模拟研究

SiGe衬底离子注入模拟研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李强乔颖杨杰于民王金延黄如张兴北京大学微电子学研究院

运用分子动力学的研究方法,通过对SiGe衬底建立模型,开发出了针对于Ge和SiGe衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及SiGe衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证。在此基础上,... 详细信息

运用分子动力学的研究方法,通过对SiGe衬底建立模型,开发出了针对于Ge和SiGe衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及SiGe衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证。在此基础上,针对不同组分的SiGe衬底进行了离子注入模拟,模拟了Ge组分的变化对于SiGe衬底离子注入的影响。

关键词：锗硅离子注入分子动力学模拟

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As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究

As掺杂ZnO薄膜的光电子能谱研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：管和松李万成高福斌吴国光夏小川杜国同吉林大学集成光电子国家重点实验室

利用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO（ZnO:As）薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的AlO衬底上（ZnO:As:A）;另一种是直接生长在GaAs衬底上（ZnO:As:G）。X射线光电子能谱（XPS）的研究发现,两种方式生长... 详细信息

利用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在两种衬底上制备了As掺杂的ZnO（ZnO:As）薄膜:一种是生长在溅射了一层GaAs的AlO衬底上（ZnO:As:A）;另一种是直接生长在GaAs衬底上（ZnO:As:G）。X射线光电子能谱（XPS）的研究发现,两种方式生长的ZnO薄膜中均有As存在,紫外光电子能谱（UPS）的结果显示,这两种方式生长的薄膜中均有受主As-2V存在,从而说明采用这种方法有利于形成p型掺杂。

关键词： ZnO GaAs XPS 受主

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高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及热电效应谱测量

高阻ZnO单晶的热激发光、热激电流及热电效应谱测量

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李成基李弋洋曾一平中国科学院半导体研究所北京 100083

我们对水热法生长的高阻ZnO单晶,在进行热激电流(TSC)和热电效应谱(TEES)测量的同时,也进行了的热激发光(TL)的测量。在80-400K的温度范围内,测出多达13个深能级。热激电流所测的深能级大部分为空穴陷阱。热激电流与热激发光的温度谱有... 详细信息

我们对水热法生长的高阻ZnO单晶,在进行热激电流(TSC)和热电效应谱(TEES)测量的同时,也进行了的热激发光(TL)的测量。在80-400K的温度范围内,测出多达13个深能级。热激电流所测的深能级大部分为空穴陷阱。热激电流与热激发光的温度谱有很大差别。它们呈互补行为,可能是非平衡载流子在不同的温度下,其寿命不同所致。

关键词：高阻氧化锌单晶陷阱能级热激电流热电效应谱热激发光水热法生长

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Ga和Mn共掺ZnO薄膜的结构和光学特性

Ga和Mn共掺ZnO薄膜的结构和光学特性

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：吴孔平顾书林朱顺明南京大学物理系微结构国家实验室中国南京 210093

我们研究了高质量的Ga、Mn共掺ZnO外延薄膜的电子、结构特性,这些薄膜通过MOCVD沉积在宝石(0001)面上。结果显示单Mn掺杂时的样品呈现高阻P型,Ga和Mn共掺时呈现n型,而载流了浓度出现一个最大值,随后随着Ga的掺杂量增人而下降,反映... 详细信息

我们研究了高质量的Ga、Mn共掺ZnO外延薄膜的电子、结构特性,这些薄膜通过MOCVD沉积在宝石(0001)面上。结果显示单Mn掺杂时的样品呈现高阻P型,Ga和Mn共掺时呈现n型,而载流了浓度出现一个最大值,随后随着Ga的掺杂量增人而下降,反映了高浓度掺杂Ga会出现Ga代O位的补偿效应。光致发光潜(PL)带边和吸收谱发生红移,并且衍射峰向大角度偏移,可能Ga的掺杂会导致带隙变窄;应用第一性原理软件对Ga、Mn共掺的ZnO体系的电子结构进行理论计算,结果表明共掺杂样品相比单Mn掺杂的ZnO体现出了半金属特性。

关键词：氧化锌薄膜化合物半导体稀磁半导体半金属薄膜光学特性金属有机物化学气相沉积

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紫外光激发的GaAs表面氧化反应研究

紫外光激发的GaAs表面氧化反应研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：任殿胜吴怡荆学建北京通美晶体技术有限公司

用X射线光电子能谱仪（XPS）系统研究了紫外光（UV/Ozone）激发下GaAs表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成、厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验数据,探讨紫外光激发下GaAs的表面氧化反应机理以及动力学历程。结果表明,紫外... 详细信息

用X射线光电子能谱仪（XPS）系统研究了紫外光（UV/Ozone）激发下GaAs表面的氧化反应。分析了表面氧化层的组成、厚度及其随时间的变化情况。利用大量的实验数据,探讨紫外光激发下GaAs的表面氧化反应机理以及动力学历程。结果表明,紫外光激发的氧化反应不同于热氧化反应,反应主要生成GaO和AsO,二者比例几乎相等。氧化过程可以分为两个不同阶段,初始阶段为线性生长,随后变为抛物线生长。

关键词：砷化镓紫外光表面氧化 X射线光电子能谱仪

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稀磁半导体TiMnO2(Mn:TiO2)分子束外延生长和磁学性质

稀磁半导体TiMnO2(Mn:TiO2)分子束外延生长和磁学性质

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李树玮李新宇吴曙翔许灵敏刘雅晶邢祥军中山大学光电材料与技术国家重点实验室广州 510275

本文用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn2+离了与缺陷之间存在相互作用。与具有缺陷... 详细信息

本文用分子束外延生长的Mn掺杂的宽带半导体TiO2薄膜研究了结晶质量与磁性质的关系。以慢速率生长的外延薄膜具有好的晶体结构,而以快速率生长的外延薄膜具有很多空位。X射线光电子能谱显示Mn2+离了与缺陷之间存在相互作用。与具有缺陷的Mn:TiO2薄膜不同的是,具有盘了的结晶质量的Mn:TiO2薄膜没有磁性。得出结论,室温稀磁性质与材料的结构缺陷具有很大的联系。

关键词：稀磁半导体二氧化钛薄膜分子束外延室温铁磁性锰掺杂晶体结构

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