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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

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学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
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- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
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F16CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善

F16CuPc掺杂NPB空穴注入层对有机电致发光器件的改善

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：关敏曹国华李林森曾一平中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083

实验中制备了一种F16CuPc掺杂NPB薄膜,它作为宅穴注入层相校于单纯的NPB薄膜对有机电致发光器件性能有所改善。例如,在2000 cd/m2下,第一个器件的效率是2.7cd/A,高于单独使用NPB薄膜的器件得到的1.6cd/A。另外,复合薄膜的热稳定性强于... 详细信息

实验中制备了一种F16CuPc掺杂NPB薄膜,它作为宅穴注入层相校于单纯的NPB薄膜对有机电致发光器件性能有所改善。例如,在2000 cd/m2下,第一个器件的效率是2.7cd/A,高于单独使用NPB薄膜的器件得到的1.6cd/A。另外,复合薄膜的热稳定性强于单纯的NPB薄膜,这有利于提高有机电致发光器件的寿命。

关键词： NPB薄膜空穴注入层有机电致发光器件热稳定性

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天线几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响

天线几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：崔利杰曾一平王保强朱战平石小溪黄振李淼赵国忠中国科学院半导体研究所材料中心首都师范大学物理系

研究了用飞秒激光激发低温生长的GaAs(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(Hz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3 THz,而且七种不同几何... 详细信息

研究了用飞秒激光激发低温生长的GaAs(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(Hz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3 THz,而且七种不同几何形状天线的THz发射谱与频率谱并没有太显著的差别。

关键词：太赫兹低温砷化镓薄膜光电导材料时域光谱测试

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ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性

ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：贺永宁张雯崔吾元崔万照王东朱长纯侯洵西安交通大学电子与信息工程学院西安交通大学理学院中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国家重点实验室

采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为ZnO半导体纳米线提供了隔... 详细信息

采用高纯Zn粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到了形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉;将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明,PVA为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑。而且光致发光结果显示这种复合结构膜具有较强的紫外带边发射特性,同时由于聚合物的表面钝化作用使得由纳米线表面缺陷引起的深能级辐射发光峰得到抑制。这种半导体复合膜还具有易于移植、可图形化的工艺特点,对ZnO半导体纳米线光电器件的制作与开发具有重要价值。

关键词：氧化锌半导体纳米线/聚合物复合膜紫外带边发光砷化镓,氮化镓

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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李春陈刚南京电子器件研究所五中心南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10Ω·cm;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子... 详细信息

介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10Ω·cm;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要作用。

关键词：离子注入 4H碳化硅欧姆接触肖特基势垒二极管隔离技术

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天线的几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响

天线的几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：崔利杰曾一平王保强朱战平石小溪黄振李淼赵国忠中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083 中国科学院半导体研究所材料中心北京10008 首都师范大学物理系北京 100087

本文研究了用飞秒激光激发低温生长的砷化镓(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3THz,而且七种不... 详细信息

本文研究了用飞秒激光激发低温生长的砷化镓(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3THz,而且七种不同几何形状天线的THz发射谱与频率谱并没有太显著的差别。

关键词： THz发射性能太赫兹波低温砷化镓薄膜天线几何结构光电导材料时域光谱

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MOCVD方法低温下外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究

MOCVD方法低温下外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：钟泽苏剑锋舒妲陈小庆傅竹西中国科学技术大学物理系合肥 230026

以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底上低温下成功了生长高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射,原子力显微镜,光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度,载气流量及反应源的流量等参数研究了生长条件对... 详细信息

以水汽作为氧源,二乙基锌为锌源,采用LP-MOCVD方法在Si(111)衬底上低温下成功了生长高质量的ZnO薄膜,使用X射线衍射,原子力显微镜,光致发光谱等手段表征了薄膜的性质。通过改变衬底温度,载气流量及反应源的流量等参数研究了生长条件对溥膜性质的影响。研究结果表明,在温度500℃时薄膜的取向性和结品性能最佳,但发光性质小如200℃生长的样品。随载气流量从1.2slm-2.0slm增加过程中薄膜的结晶和发光性能逐渐提高,此外合适的源流量对薄膜的质量提高起到关键作用。

关键词：化合物半导体金属有机物化学气相沉积氧化锌薄膜发光性能载气流量

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改进了渡越时间方程的InP DHBT模型

改进了渡越时间方程的InP DHBT模型

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：葛霁金智程伟苏永波刘新宇中国科学院微电子研究所

建立了一个改进了渡越时间方程的InP DHB大信号模型。从HB电荷方程出发,首先给出了InP DHB的耗尽电荷方程,接着分析了InP DHB集电极复合结构对载流子速度的影响,测试了集电极复合结构的InP DHB的渡越时间,提出了一个简单准确的渡越时间... 详细信息

建立了一个改进了渡越时间方程的InP DHB大信号模型。从HB电荷方程出发,首先给出了InP DHB的耗尽电荷方程,接着分析了InP DHB集电极复合结构对载流子速度的影响,测试了集电极复合结构的InP DHB的渡越时间,提出了一个简单准确的渡越时间方程,进而得到了扩散电荷方程。最后,建立了一个基于改进的电荷方程的新的InP DHB大信号模型。新的模型的直流,S参数在很宽的偏置范围下均与实际测试结果拟合完好,准确地预测了器件的特性。

关键词：磷化铟DHBT 大信号模型基于测试的渡越时间方程

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空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响

空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：曹国华关敏曹俊松李林森曾一平中国科学院半导体研究所新材料部

分别以CuPc、C和C/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq/LiF/Al结构有机电致发光器件（HIL是空穴注入层）。相比于单层C注入层器件,由于C/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96%和1... 详细信息

分别以CuPc、C和C/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq/LiF/Al结构有机电致发光器件（HIL是空穴注入层）。相比于单层C注入层器件,由于C/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96%和142%（10 V电压下）。尽管CuPc器件的电流密度和亮度最大,但是C/CuPc结构器件因改善了空穴和电子的注入平衡,器件的效率得到提高,最大效率为2.8 cd/A。C厚度从2 nm增加到5 nm后,器件性能急剧降低。

关键词：有机电致发光空穴注入异质结

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InP基共振遂穿二极管研究

InP基共振遂穿二极管研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：韩春林薛舫时高建峰陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RD）进行了优化设计,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6 kA... 详细信息

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RD）进行了优化设计,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6 kA/cm,峰谷电流比为8.6。通过MALAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。

关键词：共振遂穿二极管空气桥 MATLAB 电子束光刻分子束外延

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磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱

磁控溅射掺Er SiN薄膜的光致荧光谱

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：丁武昌郑军左玉华成步文余金中王启明郭亨群吕蓬申继伟中科院半导体研究所光电集成实验室华侨大学信息科学与工程学院

采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离... 详细信息

采用磁控溅射法生长了掺Er SiN薄膜,在高温退火后测试了薄膜的光致荧光谱。薄膜在可见光区域以及红外光区域都表现出了很强的光致发光,观察到了Er离子各高能级到基态的跃迁。对样品进行了RBS等物性分析,给出了薄膜的元素组成,并对Er离子的跃迁发光机制进行了讨论。

关键词：复合半导体材料氮化硅光效发光铒

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