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Si掺杂InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究
Si掺杂InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Xiaoguang Yang 杨晓光 Tao Yang 杨涛 Kefan Wang 王科范 Zhanguo Wang 王占国 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of S 半导体材料科学重点实验室 中科院半导体研究所北京 100083
本文通过Si掺杂技术大幅提高了InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的性能。与同结构、无掺杂的参比电池相比,采用合适的Si掺杂技术,InAs/GaAs量子点中间能带太阳能电池的开路电压由0.67V提升至0.84V,效率由11.3％显著提升至17.0％。这... 详细信息
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高特性GaAs基异变谐振腔增强型1.55μmInGaAs光电探测器
高特性GaAs基异变谐振腔增强型1.55μmInGaAs光电探测器
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Shaoqing Liu 刘少卿 Qin Han 韩勤 Xiaohong Yang 杨晓红 Haiqiao Ni 倪海桥 Jifang He 贺继方 Xin Wang 王欣 Bin Li 李彬 牛智川 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sc 中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京 100083 中科院半导体研究所 半导体超晶格国家重点实验室
本文报道了一种GaAs基顶部入射的异变谐振腔增强型(RCE)1.55μm InGaAs部分耗尽吸收探测器(PDA-PD)。器件的外延结构由分子柬外延系统(MBE)生长。底镜和顶镜分别是由20对AlAs/GaAs分布布拉格反射器(DBR)和两对Ta2Os/SiO2 DBR组成,腔内In... 详细信息
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石墨烯基半导体光电探测器研究进展
石墨烯基半导体光电探测器研究进展
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Weihong Yin 尹伟红 Qin Han 韩勤 Xiaohong Yang 杨晓红 State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京 100083
石墨烯具有高载流子迁移率，零带隙和高热导率以及常温下可观测的量子霍尔效应等优良特性，由于其独特的光吸收机制，对于制备高速，宽带的半导体光电器件有着很大的吸引力。随着光纤通信向着全光网络发展，探测器作为光纤通信的重要组... 详细信息
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基于WOx阻变材料的RRAM电路设计
基于WOx阻变材料的RRAM电路设计
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Jie Yu 于杰 Bin Jiao 焦斌 Wenjun Zhang 张文俊 The Institute of Microelectronics of Tsinghua University Beijing 100084 China 清华大学微电子所 北京 100084
本文采用HHNEC0.18um标准CMOS工艺设计实现了多个1Kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特性特点，提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路，实现了Unipolar与Bipolar兼容操作的需求的同时提高了读操作的成功率。引入位... 详细信息
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高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Liang Li 李亮 Zhonghui Li 李忠辉 Weike Luo 罗伟科 Xu Dong 董逊 Daqing Peng 彭大青 Dongguo Zhang 张东国 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京电子器件研究所南京210016 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanjing Electronics Device InstituteNaning210016 China
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租... 详细信息
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Ⅲ族氮化物能量光电子技术的现状及面临的若干问题
Ⅲ族氮化物能量光电子技术的现状及面临的若干问题
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 郑有炓 南京大学电子科学与工程学院
1993年第一只高亮度GaN基蓝光LED诞生,随即在全球掀起III族氮化物半导体研发热潮。经历20年的发展,III族氮化物半导体以其独特的光电性质,突破传统半导技术的局限,已经发展成为半导体的新一代技术—Ill族氮化物技术,在光电子和微电子领...
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1.3-2.4微米InP基低维InAs材料的MOVPE生长
1.3-2.4微米InP基低维InAs材料的MOVPE生长
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： 季海铭 罗帅 杨涛 王占国 中国科学院半导体材料科学重点实验室 中国科学院半导体研究所北京 100083
基于金属有机物气相外延(MOVPE)系统设计并生长了发光波长涵盖1.3-2.4微米范围的InP基InAs量子点材料和InAs量子阱材料。通过调节InP基InAs量子点的外延生长参数，实现了室温光致发光谱(PL)峰值波长在1.30-1.87微米的InAs量子点材料。通... 详细信息
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光栅形貌分析及矩形光栅的制作研究
光栅形貌分析及矩形光栅的制作研究
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Can Zhang 张灿 Li Ma 马丽 Song Liang 梁松 Baojun Wang 王宝军 Hongliang Zhu 朱洪亮 Wei Wang 王圩 Key Laboratory of Semiconductors Materials Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences 中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室 北京 100083
研究了光栅形貌(形状、深度、占空比等)对DFB激光器性能的影响，通过比较分析选择矩形光栅进行相关工艺的摸索。实验中采用电子束曝光技术在DFB激光器上波导层直接扫描曝光制作周期为240 nm均匀光栅，然后采用反应离子刻蚀(RIE)和化学... 详细信息
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Sb基高电子迁移率晶体管外延材料生长
Sb基高电子迁移率晶体管外延材料生长
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Yang Zhang 张杨 张雨溦 Yuwei Zhang Yanbo Li 李彦波 Chengyan Wang 王成艳 Min Guan 关敏 Lijie Cui 崔利杰 Baoqiang Wang 王宝强 朱战平 Zhanping Zhu Yiping Zeng 曾一平 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of S 中国科学院半导体研究所 材料重点实验室北京100083
采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电子气迁移率的影响。研究发现,一个较厚的沟道对提高二维电子气迁移率有很大的作用。研制的AlSb/InAs HEMT室温... 详细信息
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自开关器件电学特性模拟
自开关器件电学特性模拟
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
作者： Chenglei Nie 聂诚磊 Xiaohong Yang 杨晓红 Shaoqing Liu 刘少卿 Bin Li 李彬 Weihong Yin 尹伟红 Qin Han 韩勤 State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室北京 100083
为了进一步理解自开关器件的基本工作原理和电学特性，本文对自开关器件进行了器件和电学特性的模拟。通过对器件施加不同偏压，得到了沟道内部电势分布图，分析了器件的整流特性，从电势的角度解释了器件的工作原理。同时分析了不同器... 详细信息
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