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948 篇 会议
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 软件工程
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- 18 篇 化学
3 篇 经济学
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
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主题

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57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
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23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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962 篇 中文
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透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能研究

透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘星元李会斌刘晓新田苗苗王宁中科院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所长春 130033

采用经过改良的真空热蒸发法,在抛光玻璃衬底上制备出了掺铋的透明导电钢铋氧化物薄膜(IBO)。运用扫描电镜(SEM)及XMS对薄膜的形貌及其成分进行了分析及表征;通过紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪及四探针法对薄膜的光电性质进行了... 详细信息

采用经过改良的真空热蒸发法,在抛光玻璃衬底上制备出了掺铋的透明导电钢铋氧化物薄膜(IBO)。运用扫描电镜(SEM)及XMS对薄膜的形貌及其成分进行了分析及表征;通过紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪及四探针法对薄膜的光电性质进行了研究:并采用开尔文探针对IBO进行了功函数测试。结果表明IBO薄膜具有良好的表面形貌,较高的载流子迁移率;较高的功函数且其在可见光范围内的平均透光率超过82％。采用其作为阳极制作的有机电致发光器件(OLED)表现出良好的工作特性。我们的实验结果表明IBO是一种良好的光电器件阳极替代材料。

关键词：透明导电薄膜铋掺杂铟铋氧化物薄膜有机电致发光器件真空热蒸发法

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离子注入AlN单晶的荧光谱分析

离子注入AlN单晶的荧光谱分析

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李巍巍赵有文董志远杨俊胡炜杰中国科学院半导体研究所北京912信箱100083

对自成核生长的(0001)AlN单晶进行了高浓度Si、Zn离子注入掺杂。利用阴极荧光(CL)和光荧光(PL)谱分析了单晶的缺陷和发光特性。PL结果显示离子注入后AlN的带边发光峰变为位于200nm～254nm之间的宽峰,高温退火后注入产生的损伤缺陷消失,... 详细信息

对自成核生长的(0001)AlN单晶进行了高浓度Si、Zn离子注入掺杂。利用阴极荧光(CL)和光荧光(PL)谱分析了单晶的缺陷和发光特性。PL结果显示离子注入后AlN的带边发光峰变为位于200nm～254nm之间的宽峰,高温退火后注入产生的损伤缺陷消失,荧光强度显著增大,说明大量注入的杂质原子成为替位原子。CL结果表明一个位于457nm峰与Al空位有关。霍尔测试表明退火后样品的电阻率仍很高,说明杂质在AlN单晶中的电学激活效率较低。

关键词：离子注入氮化铝自成核生长单晶生长荧光谱分析发光特性荧光强度

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4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 210016

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法... 详细信息

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和镍硅化物等多种掩膜方法。其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。本论文通过对Ni、Al、镍硅化物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm的SiCMESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。

关键词：碳化硅金属掩膜微波功率器件干法刻蚀功率增益

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离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李春陈刚南京电子器件研究所五中心210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室210016

本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1];同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基... 详细信息

本文介绍了离了注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω·cm2[1];同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+离子注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要性。

关键词：离子注入 4H碳化硅器件欧姆接触肖特基势垒二极管隔离技术

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热氧化Ti膜制备TiO2-AlGaN/GaN结构的Ⅰ-Ⅴ特性

热氧化Ti膜制备TiO2-AlGaN/GaN结构的Ⅰ-Ⅴ特性

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：董志华王金延郝一龙文正王阳元北京大学微电子研究院宽禁带研究室

提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO绝缘栅的方法,制备出了MetalTiO-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO薄膜为金红石结构。分析了不同的Ti热氧化条件及不同的退火工艺对于MIS结构的漏电流影响。经过... 详细信息

提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO绝缘栅的方法,制备出了MetalTiO-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃时制备出的TiO薄膜为金红石结构。分析了不同的Ti热氧化条件及不同的退火工艺对于MIS结构的漏电流影响。经过工艺优化制备出的MIS结构漏电流密度可低至10A/cm数量级,击穿电压约为300V。实验数据表明,这种热氧化生成TiO绝缘栅的制备工艺简单、成本低,抑制栅漏电效果显著,有望应用于AlGaN/GaN基HEMT器件制备工艺中。

关键词： TiO2 AlGaN/GaN 热氧化泄漏电流

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GaN器件结构与二维电子气关系的研究

GaN器件结构与二维电子气关系的研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：郑惟彬孔月婵陈堂胜陈辰单片集成电路与模块国家重点试验室南京 210016

在详细分析GaN异质结构中自发极化和压电极化的基础上,本文利用Silvaco软件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,数值计算了GaN器件结构对2DEG影响。通过模拟计算,不仅研究了GaN HEMT器件中势垒层Al组分比、势垒层厚度和掺杂浓度对2DEG的影... 详细信息

在详细分析GaN异质结构中自发极化和压电极化的基础上,本文利用Silvaco软件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,数值计算了GaN器件结构对2DEG影响。通过模拟计算,不仅研究了GaN HEMT器件中势垒层Al组分比、势垒层厚度和掺杂浓度对2DEG的影响,而且还研究了AlN Spacer层对2DEG的影响;给出了GaN异质结构中2DEG分布、面密度、能带结构的变化关系。这将有助于GaN HEMT器件的结构设计。

关键词：氮化镓器件异质结构自发极化压电极化二维电子气

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有机发光器件中某些物理问题的研究

有机发光器件中某些物理问题的研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘式墉集成光电子国家重点联合实验室吉林大学实验区

回顾有机发光器件发展的历程,可以看出器件性能的提高是建立在材料的发展和对器件物理的深入了解的基础上的。目前有机发光器件无论在显示还是在照明领域都取得长足进步,但距人们的期望还有很大差距。因此,为了促进有机发光器件的发展,... 详细信息

回顾有机发光器件发展的历程,可以看出器件性能的提高是建立在材料的发展和对器件物理的深入了解的基础上的。目前有机发光器件无论在显示还是在照明领域都取得长足进步,但距人们的期望还有很大差距。因此,为了促进有机发光器件的发展,从制约当前有机发光器件发展的关键问题入手,深入开展物理问题的研究是十分重要的。对显示应用要求器件有：高亮度,高效率,低功耗,长寿命;对照明应用,要求器件在高亮度下有高功率效率,长寿命和高显色指数,为满足这些要求,本文介绍了目前关键的物理问题:超荧光物理、有机半导体掺杂物理、光传输物理等。

关键词：有机发光发光器件显色指数超荧光物理有机半导体光传输物理

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氮化镓基激光器研究

氮化镓基激光器研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杨辉张书明张立群曹青朱建军赵德刚刘宗顺季莲陈良惠中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083

利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响。计算结果说明,脊形高度增加可以增加限制因子,降低阈值电流,提高斜率效率,降低远场纵横比。通过测量具有不同脊形高度的激光器,证实了脊形高度增加,阈值电流降低、斜率效... 详细信息

利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响。计算结果说明,脊形高度增加可以增加限制因子,降低阈值电流,提高斜率效率,降低远场纵横比。通过测量具有不同脊形高度的激光器,证实了脊形高度增加,阈值电流降低、斜率效率增加,水平方向远场发散角增加,远场纵横比减小。

关键词：激光器脊形高度限制因子氮化镓光波导模型远场分布阈值电流

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6H-SiC体材料ICP刻蚀技术

6H-SiC体材料ICP刻蚀技术

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：丁瑞雪杨银堂韩茹西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安 710071

本文采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正... 详细信息

本文采用SF6+O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了光刻水平、ICP功率、偏置电压等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,2μm以上的各种图形都比较清晰,刻蚀深度与开口大小成正比,开口越窄,深度越浅。刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,XPS结果显示刻蚀表面残余的F元素只存在于表面10mm深度的部分。

关键词：碳化硅材料感应耦合等离子体刻蚀工艺光刻水平 ICP功率偏置电压

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高质量无应变InAlN/GaN异质结材料研究

高质量无应变InAlN/GaN异质结材料研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘波尹甲运李佳冯志宏冯震蔡树军专用集成电路国家级重点实验室石家庄 050051

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关系,外延生长出无应变的17％In组分InAlN材料。采用XRD、反射光谱、TEM和AFM等手段对材料进行测试分析。实... 详细信息

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关系,外延生长出无应变的17％In组分InAlN材料。采用XRD、反射光谱、TEM和AFM等手段对材料进行测试分析。实现了InAlN/GaN异质结室温下二维电子气浓度2.6×10 13cm-2、迁移率1150 cm2/V·s、方块电阻210Ω/□。本文是国内对InAlN/GaN异质结材料的首次报道。

关键词：金属有机物化学气相沉积异质结材料外延生长电子气浓度

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