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931 篇 工学
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- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
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- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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962 篇 中文
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InP基共振遂穿二极管(RTD)研究

InP基共振遂穿二极管(RTD)研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：韩春林薛舫时高建峰陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：... 详细信息

我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为8.6。并通过MATLAB软件对器件Ⅰ-Ⅴ测试曲线进行了数值拟合,拟合结果与实验数据吻合的很好。

关键词：共振遂穿二极管优化设计外延材料电子束光刻光刻工艺空气桥互连电学特性

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高压高温下Zn气氛处理对ZnO单晶紫外发光的影响

高压高温下Zn气氛处理对ZnO单晶紫外发光的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：徐小秋林碧霞孙利杰邬小鹏钟泽傅竹西中国科学技术大学物理系合肥 230026

通过变温PL光谱和Hall测试研究高压掺Zn对ZnO单品紫外发光的影响。在Zn气氛及高压高温条件下,Zn可以扩散进入ZnO单晶。室温PL谱显示,经Zn气氛处理后的样品,其紫外发光强度较未处理的样品增强了近一个数量级。在10 K低温PL谱中观察到多... 详细信息

通过变温PL光谱和Hall测试研究高压掺Zn对ZnO单品紫外发光的影响。在Zn气氛及高压高温条件下,Zn可以扩散进入ZnO单晶。室温PL谱显示,经Zn气氛处理后的样品,其紫外发光强度较未处理的样品增强了近一个数量级。在10 K低温PL谱中观察到多个紫外发光谱线。其中位于3.362 eV的中性舒服激子(D0X)占主导地位。值得注意的是D0X和它的双电子发射(TES)较未处理的ZnO均有很大增强。同时,Hall测试结果表明经Zn气氛处理样品的电子浓度较未处理样品提高了50％。作者认为Zn扩散进入ZnO形成Zn(1)缺陷增强了ZnO紫外发光强度,提高了电子浓度。

关键词：氧化锌单晶化合物半导体紫外发光发光强度电子浓度

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基于虚拟仪器的HBT器件自动测试系统

基于虚拟仪器的HBT器件自动测试系统

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：欧阳思华武锦李艳奎刘新宇中国科学院微电子研究所北京 100029

由它的材料特性和结构特点决定,HBT(异质结双极型晶体管)具有高的开关速度、截止频率、电流增益和输出功率。但是,在实际测量的过程中,涉及多台仪器间的协同工作,仪器的手动操作,测试数据的采集、保存和共享成为横亘在评估HBT器件性能... 详细信息

由它的材料特性和结构特点决定,HBT(异质结双极型晶体管)具有高的开关速度、截止频率、电流增益和输出功率。但是,在实际测量的过程中,涉及多台仪器间的协同工作,仪器的手动操作,测试数据的采集、保存和共享成为横亘在评估HBT器件性能间的一道障碍。本文正是在改进传统测试的基础上,通过搭建基于LAN的虚拟仪器构架,介绍一种自动化整体评估HBT器件性能的办法。这套系统很好的解决了测试数据的快捷传输,实现了测试过程的自动化,加快了测试速度。

关键词：一键式测量虚拟仪器自动测试系统 InP HBT器件异质结双极型晶体管

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基于虚拟仪器的HBT器件自动测试系统

基于虚拟仪器的HBT器件自动测试系统

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：欧阳思华武锦李艳奎刘新宇中国科学院微电子研究所

由材料特性和结构特点所决定,异质结双极型晶体管(HB)具有高的开关速度、截止频率、电流增益和输出功率。但是,在实际测量的过程中,涉及多台仪器间的协同工作,仪器的手动操作、测试数据的采集、保存和共享成为横亘在评估HB器件性能间的... 详细信息

由材料特性和结构特点所决定,异质结双极型晶体管(HB)具有高的开关速度、截止频率、电流增益和输出功率。但是,在实际测量的过程中,涉及多台仪器间的协同工作,仪器的手动操作、测试数据的采集、保存和共享成为横亘在评估HB器件性能间的一道屏障。在改进传统测试的基础上,通过搭建基于LAN的虚拟仪器构架,介绍了一种自动化整体评估HB器件性能的方法。这套系统很好地解决了测试数据的快捷传输,实现了测试过程的自动化,加快了测试速度。

关键词：一键式测量虚拟仪器自动测试系统磷化铟异质结双极型晶体管

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MOCVD制备MgZnO薄膜及其紫外光电探测器

MOCVD制备MgZnO薄膜及其紫外光电探测器

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：鞠振刚张吉英单崇新姚斌吕有明申德振范希武中国科学院激发态物理重点实验室吉林长春 130033 中国科学院研究生院北京 100049 中国科学院激发态物理重点实验室吉林长春 130033

利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MsM)结构,实现了太阳盲MgZnO导弹羽焰... 详细信息

利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MsM)结构,实现了太阳盲MgZnO导弹羽焰光电探测器,在10V偏压下,器件的探测峰值位于250nm,截止边为273nm。已经从截止波长和覆盖波段上满足军事上的要求。

关键词：太阳盲光电探测器金属有机物化学气相沉积低温生长合金薄膜湿法刻蚀

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通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟

通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：文于华范冰丰骆思伟王钢刘扬中山大学光电材料与技术国家重点实验室

使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对... 详细信息

使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对由两栅指结构扩展得到的多栅指结构HFET进行了模拟。结果表明,衬底材料、衬底厚度、栅间距和通孔深度对器件的热特性均有明显的影响,选择合适的参数有利于改善器件的性能;当栅指数目增加时,器件的峰值温度增大,散热趋向于困难。

关键词：铝镓氮/氮化镓异质结场效应管 ANSYS 通孔结构

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空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响

空穴注入结构对有机电致发光器件性能影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹国华关敏曹俊松李林森曾一平中国科学院半导体研究所新材料部北京 100083

本文分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被... 详细信息

本文分别以CuPc、C60和C60/CuPc为空穴注入结构制备了ITO/HIL/NPB/Alq3/LiF/Al结构有机电致发光器件(HIL是空穴注入层)。相比于单层C60注入层器件,由于C60/CuPc结构器件中增加了CuPc作为空穴传输的能量阶梯,器件的电流密度和亮度分别被提高了96％和142％(10V电压下)。尽管CuPc器件的电流密度和亮度最大,但是C60/CuPc结构器件因改善了空穴和电子的注入平衡。器件的效率得到提高,最大效率为2.8 cd/A。C60厚度从2nm增加到5 nm后,器件性能急剧降低。

关键词：有机电致发光器件空穴注入结构异质结 CuPc器件电流密度

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谐振隧穿晶体管数字集成电路述评

谐振隧穿晶体管数字集成电路述评

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李效白专用集成电路国家重点实验室石家庄 050051

谐振隧穿器件具有高频高速、低功耗、双稳自锁的特点,能构成与非门、或非门、流水线逻辑门、择选逻辑门、D触发器、静态存储器、单稳双稳逻辑转换电路、多值逻辑等数字单片集成电路,它具有多值逻辑、节点少、节省器件、简化电路等鲜明... 详细信息

谐振隧穿器件具有高频高速、低功耗、双稳自锁的特点,能构成与非门、或非门、流水线逻辑门、择选逻辑门、D触发器、静态存储器、单稳双稳逻辑转换电路、多值逻辑等数字单片集成电路,它具有多值逻辑、节点少、节省器件、简化电路等鲜明的优势,将是数字集成电路后续小型化最有希望的代表。但是,它在材料生长和工艺制作等方面的瓶颈问题给工业化生产造成很大的障碍。在美国已经有一些高水平的谐振隧穿晶体管数字单片电路问世,我国正在开展少量的的研究工作。

关键词：集成电路谐振隧穿器件数字电路晶体管材料生长单片电路

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用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪

用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：许铭真马金源谭长华谭映王洁靳磊北京大学微电子研究院北京 100871 北京市北信通微电子系统公司北京 100871 北京大学微电子研究院北京 100871 北京市北信通微电子系统公司北京 100871

比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术-比例差值谱技术[专利号:ZL90 1 04535.7;2专利号:00100121.3],实现了半导体器件的关键的电学特征参数(饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流了迁移率等)的直接、准确、便捷提取和薄... 详细信息

比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术-比例差值谱技术[专利号:ZL90 1 04535.7;2专利号:00100121.3],实现了半导体器件的关键的电学特征参数(饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流了迁移率等)的直接、准确、便捷提取和薄膜材料的缺陷分析。该产品是基于Windows操作系统计算机程控的适用于半导体器件表征和可靠性评估应用的集成化分析仪器。该谱仪的设计结构、产品硬件性能和分析平台可满足各种半导体器件的测试需求。随着纳米电子器件的研制进展,它将在纳电子器件关键参数测试领域发挥优势。

关键词：半导体器件参数检测比例差值谱仪集成电路纳米尺度器件在线综合检测

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SiC/SiN/Si材料的APCVD生长及表征

SiC/SiN/Si材料的APCVD生长及表征

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：贾护军杨银堂柴常春李跃进西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安 710071

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在PECVD Si/SiN复合衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)测量分析了高温预处理前后衬底表面结构的变化,及其对SiC生长层结晶质量的影响... 详细信息

采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在PECVD Si/SiN复合衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)测量分析了高温预处理前后衬底表面结构的变化,及其对SiC生长层结晶质量的影响。研究结果表明,高温处理会导致SiN由多晶相向准单晶转变,晶化的SiN表面不利于SiC成核生长,适当降低薄膜生长温度可以抑制SiN的相变,此时得到的是<111>晶向择优生长的多晶SiC薄膜,并含有少量多晶硅的混合物。

关键词：化学汽相淀积常压化学气相淀积多晶碳化硅薄膜 X射线衍射

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