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948 篇 会议
15 篇 期刊文献
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931 篇 工学
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- 6 篇 化学工程与技术
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- 3 篇 计算机科学与技术...
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- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

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CZT单晶生长过程中的Zn分凝现象研究

CZT单晶生长过程中的Zn分凝现象研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李新磊赵北君朱世富邱春丽王智贤丁群何知宇陈宝军四川大学材料科学系

采用改进的Bridgman法生长出φ20 mm×40 mm、外表无裂纹的CdZnTe（CZT）单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2 cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,随晶体生长过程呈现递减趋势,分析表明是由于Zn的分凝... 详细信息

采用改进的Bridgman法生长出φ20 mm×40 mm、外表无裂纹的CdZnTe（CZT）单晶体。沿晶锭轴向每隔1.2 cm取点,进行EDX、XRD测试。在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,随晶体生长过程呈现递减趋势,分析表明是由于Zn的分凝所引起。对XRD粉末衍射测试的结果进行结构分析,计算出上述不同位置的晶胞常数变化规律呈现递增趋势,表明Zn含量呈现递减趋势,与EDX实验结果一致。

关键词：碲锌镉电子能谱分析锌分凝晶格常数

来源：评论

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AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征

AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：闫鹏飞隋曼龄中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室

对用金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石（AlO）衬底上生长的紫外光发光二极管（UV-LED）圆晶片进行了透射电子显微镜（EM）观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽300～700nm、长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存... 详细信息

对用金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石（AlO）衬底上生长的紫外光发光二极管（UV-LED）圆晶片进行了透射电子显微镜（EM）观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽300～700nm、长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGaN组成的多层量子阱区,它还能作为位错发射源在（0001）面和{1122}面上产生大量的位错环。对材料的发光性能造成严重影响。根据位错滑移和多层膜的成分来看,这种缺陷是由于拉应力引起的。

关键词：氮化镓位错带状缺陷拉应力

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GaN薄膜材料TEM样品的制备

GaN薄膜材料TEM样品的制备

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈雷英陈贵锋赵勇明白云娜马晓薇李养贤河北工业大学材料学院信息功能材料研究所

研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面EM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(EM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有... 详细信息

研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面EM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(EM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有关半导体GaN材料横截面的薄区图像,加以分析整理从而寻求到了一种透射电镜截面样品的最佳制备工艺。

关键词：氮化镓透射电子显微镜样品制备薄膜材料

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宽带可调谐激光器与电吸收调制器的单片集成

宽带可调谐激光器与电吸收调制器的单片集成

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵玲娟刘泓波潘教青周帆边静朱洪亮王圩中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京 10083

光网络正在向高速大容量、良好的扩展性和智能化的方向发展。宽带可调谐器件以及组件将是构建智能光网络的基石。宽带可调谐半导体激光器由于具有可单片集成性、纳秒级的调谐速度、体积小、功耗低等优点,备受关注。本文采用低压金... 详细信息

光网络正在向高速大容量、良好的扩展性和智能化的方向发展。宽带可调谐器件以及组件将是构建智能光网络的基石。宽带可调谐半导体激光器由于具有可单片集成性、纳秒级的调谐速度、体积小、功耗低等优点,备受关注。本文采用低压金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)选择区域外延和量子阱混杂技术相结合的方法,研制了宽带可调谐激光器和电吸收调制器的单片集成器件,输出功率3.6mW器件的波长调谐范围达30nm,边模抑制比大于30dB,在整个调谐范围内电吸收调制器的消光比大于14dB。

关键词：可调谐激光器电吸收调制器量子阱混杂外延生长光网络半导体激光器

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真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化

真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒中国电子科技集团公司第四十六研究所

介绍了生长电阻率1×10～4～2×10～4Ω·cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～40 mm... 详细信息

介绍了生长电阻率1×10～4～2×10～4Ω·cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～40 mm的低寿命区,之后随着生长的继续,寿命又会有明显的升高。此种现象在相同条件、相同原料生长的气氛单晶中就没有出现。利用金相电子显微镜对所发现的低寿命区进行了缺陷分析,结果在低寿命区的断面处均未发现漩涡、位错等对寿命影响较为严重的缺陷。

关键词：真空区熔少子寿命漩涡位错

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P型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质

P型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：汤琨顾书林朱顺明南京大学物理系南京微结构国家实验室

通过采用O与NO按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O与NO流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比较分析了MOCVD系统中非故意掺杂... 详细信息

通过采用O与NO按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O与NO流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比较分析了MOCVD系统中非故意掺杂碳元素及其相关杂质对薄膜的作用。实验结果和讨论为解决ZnO的p型掺杂难题提供了一条途径。

关键词：氧化锌金属有机物化学气相沉积 p型氮掺杂

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双声子共振有源区GaAs/AlGaAs量子级联激光器

双声子共振有源区GaAs/AlGaAs量子级联激光器

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘俊岐李路刘峰奇王利军王占国中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京 100083

量子级联激光器的器件性能在很大程度上取决于有源区结构的设计,有源区结构设计的两个关键因素是激光跃迁高能态电子的有效注入和低能态电子的有效抽取。对于后者本文利用四阱耦合结构在GaAs/AlGaAs量子级联激光器有源区形成双声子共振... 详细信息

量子级联激光器的器件性能在很大程度上取决于有源区结构的设计,有源区结构设计的两个关键因素是激光跃迁高能态电子的有效注入和低能态电子的有效抽取。对于后者本文利用四阱耦合结构在GaAs/AlGaAs量子级联激光器有源区形成双声子共振的电子驰豫机制并进一步通过优化粒子数反转条件和波导结构,获得了波长11.3μm(频率26.5 THz)的量子级联激光器83 K温度下峰值功率超过100 mW的激射。此项工作的成功为THz波段量了级联激光器的研究打下坚实的基础。

关键词：量子级联激光器等离子体波导器件性能激光跃迁耦合结构电子驰豫双声子共振

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生长源流量对SiC外延生长的影响

生长源流量对SiC外延生长的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李赟李哲洋董逊陈辰中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室

使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)... 详细信息

使用水平热壁式化学气相沉积系统,固定生长源碳硅比(C/Si),改变生长源流量,在偏向〈1120〉方向8°的4H-SiC(0001)衬底上进行了一系列同质外延实验,研究了生长源流量对外延速率和掺杂浓度的影响。样品表面形貌通过原子力显微镜(AFM)进行表征,在不影响薄膜质量的条件下成功将生长速率提高至12μm/h。

关键词： 4H-SiC 水平热壁式化学气相沉积碳硅比生长速率掺杂浓度

来源：评论

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AlXGa1-XN/GaN异质结构中二维电子气的自旋光电流效应

AlXGa1-XN/GaN异质结构中二维电子气的自旋光电流效应

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：贺小伟沈波陈涌海尹春明张琦许福军北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京 100871 中国科学院半导体研究所材料物理开放实验室北京 100083

GaN基宽禁带半导体作为第三代半导体材料是目前国际半导体科学与技术研究的前沿,在自旋电子学领域的研究也正受到越来越多的重视。本文利用自旋光电流效应(CPGE)对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的自旋性质进行了研究,主要包... 详细信息

GaN基宽禁带半导体作为第三代半导体材料是目前国际半导体科学与技术研究的前沿,在自旋电子学领域的研究也正受到越来越多的重视。本文利用自旋光电流效应(CPGE)对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的自旋性质进行了研究,主要包括该体系中CPGE的物理机制,对称破却引起的能带Rashba自旋分裂以及由逆自旋霍尔效应(RSHE)形成的涡旋状反常CPGE电流。

关键词：异质结构自旋轨道耦合逆自旋霍尔效应光电流效应宽禁带半导体物理机制氮化镓自旋性质

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PbTe/Pb1-xSrxTe多量子阱中红外发光二极管的研究

PbTe/Pb1-xSrxTe多量子阱中红外发光二极管的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：斯剑霄吴惠桢翁斌斌何展蔡春锋浙江大学物理系固体光电子材料物理与器件实验室浙江师范大学数理与信息工程学院

为了提高Ⅳ-Ⅵ族中红外激光器的工作温度,采用分子束外延生长技术,在CdZnTe（111）衬底上外延生长了以PbTe/PbSrTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射（HRXRD）和光致发光谱（PL）测量表明,PbTe/PbSrTe量子阱具有很好... 详细信息

为了提高Ⅳ-Ⅵ族中红外激光器的工作温度,采用分子束外延生长技术,在CdZnTe（111）衬底上外延生长了以PbTe/PbSrTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射（HRXRD）和光致发光谱（PL）测量表明,PbTe/PbSrTe量子阱具有很好晶体质量和发光特性。制作的二极管I-V特性测量显示正向工作开启电压为0.35 V左右,工作电流1.6 mA。正向耐压特性表明二极管可承受70 mA的电流注入,表明二极管具有很好的正向开启电压和反向截止电压。

关键词： PbTe 量子阱发光二极管

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