检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

948 篇 会议
15 篇 期刊文献
1 篇 学位论文

馆藏范围

964 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
2 篇 英文

检索条件"任意字段=全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议"

共 964 条记录，以下是331-340 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

高特征温度P型掺杂1.3μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器

高特征温度P型掺杂1.3μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：季海铭曹玉莲杨涛马文全曹青陈良惠中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京 100083

为了研制输出与温度无关可直接调制的1.3微米光通信系统光源,我们生长并制作了P型掺杂1.3 μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器。条宽2.5μm、腔长1200μm的边发射激光器在室温脉冲条件下测得的激射波长为1325nm,阈值电流为13mA,输出功率... 详细信息

为了研制输出与温度无关可直接调制的1.3微米光通信系统光源,我们生长并制作了P型掺杂1.3 μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器。条宽2.5μm、腔长1200μm的边发射激光器在室温脉冲条件下测得的激射波长为1325nm,阈值电流为13mA,输出功率达到30mW以上。为了研究器件的热稳定性,我们测试了器件在10℃-90℃温度范围内阈值电流密度随温度的变化情况。 1200μm腔长的激光器在10℃-60℃范围内的特征温度达到246K,表明对有源区进行P型调制掺杂有利于量子点激光器温度特性的提高。

关键词：量子点 P型掺杂量子点激光器光通信温度特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响

脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：桑立雯秦志新方浩代涛杨志坚沈波张国义张小平俞大鹏北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室宽禁带半导体研究中心北京大学电镜室

在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面... 详细信息

在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面之上的位错通过形成位错环互相湮灭或者直接终断于界面,使得在外延层中大量减少。研究表明,位错环的形成是由于在外延层的生长过程中侧向生长速率增加导致位错在镜像力的作用下互相吸引造成的。而位错在界面处的终断则被认为是由于界面上下应变发生变化引起的。

关键词：化合物半导体位错透射电镜蓝宝石氮化铝

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究

Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：谢自力宋黎红崔影超韩平施毅郑有炓张荣崔旭高陶志阔修向前刘斌李弋傅德颐张曾南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室南京 210093

稀磁半导体由于具有电子自旋输运和存储特性而倍受瞩目。近年来,稀磁半导体的III-V族氮化物研究取得了很大的进展。本文利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明。少量的锰... 详细信息

稀磁半导体由于具有电子自旋输运和存储特性而倍受瞩目。近年来,稀磁半导体的III-V族氮化物研究取得了很大的进展。本文利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明。少量的锰在样品表面起到活性作用。X射线衍射和拉曼散射研究表明,当Mn的浓度很低(<2.7％)时并没有观察到第二相的出现,当Mn的浓度达到3.9％时观察到了第二相。采用光学测试得到了由于Mn杂质引入杂质能级和缺陷而产生一个很宽的发射和吸收谱。

关键词：化学气相沉积法稀磁半导体材料锰掺杂 X射线衍射杂质能级

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究

MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：崔旭高张荣陶志阔李鑫修向前谢自力郑有炓江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系南京 210093

我们用MOCVD技术在(0001)取向的蓝宝石衬地上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7％时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1(LO)模的振动峰向低频方向移动。ESR结... 详细信息

我们用MOCVD技术在(0001)取向的蓝宝石衬地上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7％时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A1(LO)模的振动峰向低频方向移动。ESR结果表明二价的Mn离子替换了三价的Ga离子。尽管如此,薄膜还是仅仅表现出顺磁性。通过Brillouin函数拟合以及ESR结果综合考虑可得,Mn在GaN晶格巾的存在状态是孤立的二价顺磁性离子。

关键词：氮化稼磁学性能掺杂薄膜顺磁性离子金属有机物化学气相沉积

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

功率PHEMT器件大信号建模

功率PHEMT器件大信号建模

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：刘军孙玲玲吴颜明杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室

提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基PHEM/HEM/HFE器件大/小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区特性,且漏导精确,主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现连续... 详细信息

提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基PHEM/HEM/HFE器件大/小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区特性,且漏导精确,主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现连续、高阶可导且导数精确的基础上,满足电荷守恒规律。模型综合考虑了器件弱雪崩击穿以及热效应特性,对器件跨导频率分布效应也作了灵活的考虑。模型以Verilog-A语言描述,并开发为DesignKit形式嵌入ADS2005A中。给出了对一GaAs基PHEM器件建模结果,从大/小信号测量和仿真对比结果来看,模型已有较好精度,可供实用。

关键词： GaAs/GaN PHEMT/HEMT/HFET 大/小信号模型 Verilog-A,ADS2005A

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松蒋幼泉陈辰陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和删TC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 详细信息

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和删TC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8-3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32v时带内脉冲输出功率超过5w。SiC MMIC小信号特性达到了设计的预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MIM电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。进一步的优化工作正在进行中。

关键词：碳化硅外延材料微波功率器件无源器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN基垂直腔面发射激光器的研制及特性分析

GaN基垂直腔面发射激光器的研制及特性分析

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：张江勇蔡丽娥张保平尚景智余金中王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室北京 100083 厦门大学物理系/半导体光子学研究中心福建厦门 361005 厦门大学物理系/半导体光子学研究中心福建厦门 361005

以高反射率的SiO2/Ta2O5介质膜DBR作为反射镜,并利用激光剥离技术,制备了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在光泵条件下,实现了低阈值蓝光激射,阈值能量密度为6.5mJ/cm2,激射波长为449.5 nm,半商宽小于0.1 nm。重要性能指标达到了国际... 详细信息

以高反射率的SiO2/Ta2O5介质膜DBR作为反射镜,并利用激光剥离技术,制备了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在光泵条件下,实现了低阈值蓝光激射,阈值能量密度为6.5mJ/cm2,激射波长为449.5 nm,半商宽小于0.1 nm。重要性能指标达到了国际先进水平。

关键词：氮化镓垂直腔面发射激光器介质膜激光剥离能量密度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

AlGaN/GaN异质结场效应晶体管夹断电压与阈值电压的关系

AlGaN/GaN异质结场效应晶体管夹断电压与阈值电压的关系

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：吕元杰林兆军赵建芝张宇王占国山东大学物理学院济南 250100 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京 100083

本文我们首先通过AlGaN/GaN HFET栅源间的C-V曲线求出沟道的二维电子气浓度,然后利用C-V曲线的积分曲线求出阈值电压,进而通过薛定谔方程和泊松方程的自洽求解验证了当栅肖特基栅金属所加偏压为开启电压时,费米能级EF与异质界面处GaN导... 详细信息

本文我们首先通过AlGaN/GaN HFET栅源间的C-V曲线求出沟道的二维电子气浓度,然后利用C-V曲线的积分曲线求出阈值电压,进而通过薛定谔方程和泊松方程的自洽求解验证了当栅肖特基栅金属所加偏压为开启电压时,费米能级EF与异质界面处GaN导带底重合,最后我们利用薛定谔方程和泊松方程的自治计算,求解出了AlGaN/GaN HFET夹断电压,然后进一步验证得到了夹断电压和阈值电压的关系。

关键词：薛定谔方程泊松方程自治求解夹断电压阈值电压场效应晶体管异质结

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

宽光谱范围高响应度的InGaAs/InP光电探测器

宽光谱范围高响应度的InGaAs/InP光电探测器

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：归强裴为华陈弘达中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

报道了一种在0.6～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性... 详细信息

报道了一种在0.6～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特性的探测器。封装后光电探测器在0.6～1.0μm波段的响应度大于0.2 A/W,其中,在1.0μm～1.65μm波段的响应度超过0.8 A/W,5 V偏压下的暗电流小于2 nA。经过老化试验,探测器的寿命可以超过10～5h,器件的可靠性和稳定性已经达到商用标准。由于出色的工艺稳定性和器件性能的一致性,该探测器可做成适用于多通道甚短距离光传输用的探测器阵列。

关键词： InGaAs/InP 宽光谱响应高响应度光电探测器探测器阵列

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌

优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：杜江锋罗大为罗谦卢盛辉于奇杨谟华电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室

基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅... 详细信息

基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数调制沟道中二维电子气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅长0.5μm,栅漏间距2μm的GaN HEM器件,获得了场板长度与绝缘层厚度优值分别为1μm和0.5μm,其沟道电子峰值温度比无场板时下降了47%。并研究确定了场板长度优值与栅漏距以及绝缘层厚度与漏压的数学关系模型。

关键词： GaN高电子迁移率晶体管沟道电子温度场板电流崩塌

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共97页 << < 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：