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高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 周建军 张继华 陈堂胜 任春江 焦刚 李忠辉 陈辰 杨传仁 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 电子科技大学微电子与固体电子学院
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BS材料作为栅绝缘层,研制了BS/AlGaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度SiN MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对AlGaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响。使... 详细信息
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脉冲缓冲层对蓝宝石衬底上生长的AlN位错密度的影响
脉冲缓冲层对蓝宝石衬底上生长的AlN位错密度的影响
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 桑立雯 秦志新 方浩 代涛 杨志坚 沈波 张国义 张小平 俞大鹏 北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室 北京大学宽禁带半导体研究中心 北京 100871 北京大学电镜室 北京 100871
在蓝宝石衬底上采用交替通铝源和氨气的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界... 详细信息
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一种具有提高输入电流动态范围的单元读出电路设计
一种具有提高输入电流动态范围的单元读出电路设计
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 程亮 于奇 王向展 杨谟华 宁宁 朱雁翎 徐晋 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
本文设计了一个由CMOS差分放大器构成的电容反馈跨阻型紫外焦平面单元读出电路。该电路在传统的读出电路基础上进行改进,大幅度的提高了输入电流的动态范围。该单元读出电路可应用于工作在快照模式下的128×128 FPA读出电路,像素输... 详细信息
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非极性a面p型GaN:Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质
非极性a面p型GaN:Mn薄膜的结构、形貌和铁磁性质
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 孙莉莉 闫发旺 张会肖 王军喜 曾一平 王国宏 李晋闽 中科院半导体研究所半导体照明研发中心
采用离子注入和快速退火技术制备了稀磁非极性a面p型GaN:Mn薄膜。通过高分辨X射线衍射、原子力显微镜和超导量子干涉仪等测试手段,对样品的结构、形貌和磁性质进行了分析。测试分析结果表明,在退火过程中生成了对样品的铁磁性质起重要... 详细信息
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HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析
HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 赵璐冰 于彤军 陆羽 李俊 杨志坚 张国义 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室
异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1 mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测... 详细信息
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Ku波段开关固态功放模块的研制
Ku波段开关固态功放模块的研制
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 袁婷婷 陈晓娟 陈中子 陈高鹏 李滨 刘新宇 中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室 北京 100029
本文实现了Ku波段开关固态功放模块,根据系统指标中的技术难点,重点分析如何提高微带型开关电路的隔离度,通过采用含有多个子单元电路的拓扑结构以及合理优化子单元电路参数,所研制的开关电路在15.75GHz至16.25GHz频段范围内,隔离度大于... 详细信息
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基于Ratchet效应的平面纳米二极管
基于Ratchet效应的平面纳米二极管
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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议
作者： 许坤远 王钢 宋爱民 华南师范大学物理与电信工程学院 中山大学光电材料与技术国家重点实验室 英国曼彻斯特大学电气与电子工程学院
采用二维系综蒙特卡罗方法对平面纳米结构的电响应特性进行了详细地研究。计算结果表明纳米结构加工过程所带来的表面电荷能够用来改变纳米沟道中的电场分布,从而使得纳米沟道中的电势分布呈现出空间不对称。由于Ratchet效应,此时通过... 详细信息
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超高频InP基电子器件和电路
超高频InP基电子器件和电路
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 刘新宇 金智 张海英 中国科学院微电子研究所 北京 100029
本文介绍了国际、国内超高频InP基电子器件和电路的发展。重点介绍了我们制作成功的超高频InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结构双极晶体管(HBT)的特性。采用自主研发的材料结构、工艺,研制成功栅长为120 nm的InP基HEMT器件,ft石达... 详细信息
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InGaN肖特基接触的研究
InGaN肖特基接触的研究
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 孙苋 刘文宝 江德生 赵德刚 刘宗顺 朱建军 张书明 段俐宏 杨辉 中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 苏州 215125
采用MOCVD方法生长出非故意掺杂InGaN薄膜,在此外延层上制作Ni/Au金属接触。通过测量器件的I-V曲线发现存在明显的整流特性,表明Ni/Au和n-InGaN之间形成了Schottky接触。为了进一步确认Schottky接触的存在,对Ni/Au/n-InGaN/GaN结构的截... 详细信息
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GaN/BST单片集成紫外红外双色探测器的研制
GaN/BST单片集成紫外红外双色探测器的研制
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
作者： 李献杰 赵永林 齐丽芳 尹顺政 蔡道民 吴传贵 张万里 李言荣 中国电子科技集团公司第13研究所 石家庄 050051 电子科技大学 成都 610054
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上生长宽带隙半导体GaN和磁控溅射BST热释电薄膜,实现了一种单片集成紫外红外双色探测器。紫外探测部分采用GaN系金属-半导体-金属(MSM)器件结构,红外探测采用钛酸锶钡(BST)热释电电容结... 详细信息
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