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931 篇 工学
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- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
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- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

语言

962 篇 中文
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一个4-12GHZ三级宽带功率放大器

一个4-12GHZ三级宽带功率放大器

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：陈中子陈晓娟姚小江袁婷婷刘新宇李滨中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室北京 100083

本文设计并制作了一个宽带功率放大器,频率范围覆盖4-12GHZ。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用四指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大... 详细信息

本文设计并制作了一个宽带功率放大器,频率范围覆盖4-12GHZ。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用四指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大功率输出。整个功率放大器采用铝制腔体封装,在4-12GHZ频率范围内功率增益为30dB±3dB,输出功率在大于1W,部分频点处能达到5W以上。该功率放大器的驻波性能也较好,在全频段内小于-7dB。

关键词：宽带功率放大器平衡放大器兰格耦合器混合集成电路驻波性能

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四针状氧化锌晶须的制备及其吸波特性研究进展

四针状氧化锌晶须的制备及其吸波特性研究进展

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：马泽宇王晓亮中国科学院半导体研究所材料科学中心北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室中围科学院半导体研究所北京 100083

四针状氧化锌晶须以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。本文介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备以及其吸波特性的研究进展。指出改性氧化锌晶... 详细信息

四针状氧化锌晶须以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。本文介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备以及其吸波特性的研究进展。指出改性氧化锌晶须的制备和如何改善氧化锌晶须吸波特性已逐渐成为当前研究的重点,氧化锌晶须吸波机理有待进一步的研究,基于多层膜结构和角锥结构的吸波体的制备可能成为以后发展的重点方向。

关键词：氧化锌晶须吸波材料三维空间结构吸波特性

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宽光谱范围、高响应度的InGaAs/InP光电探测器

宽光谱范围、高响应度的InGaAs/InP光电探测器

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：归强裴为华陈弘达中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083

本文报道了一种适用于0.6μm～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸... 详细信息

本文报道了一种适用于0.6μm～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特件的探测器。封装后光电探测器在0.6μm～1.0μm波段的响应度大于0.2A/W。其中,在1.0μm到1.65μm波段的响应度超过0.8A/W。5V偏压下的暗电流小于2nA。经过老化测试实验,探测器的寿命可以超过10万个小时,器件的可靠性和稳定性已经达到商用标准。由于出色的工艺稳定性和器件性能的一致性,该探测器可做成适用于多通道甚短距离光传输用的探测器阵列。

关键词：宽光谱响应响应度平面结构光电探测器探测器阵列器件性能

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不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

不同高场应力下SiN钝化的AlGaN/GaN HEMT器件的性能退化

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：谷文萍郝跃张进城马晓华西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流I,跨导峰值g和阈值电压V等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明:高场应力后,在栅漏区高场作用... 详细信息

采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流I,跨导峰值g和阈值电压V等均发生了明显退化,而且这些退化还是可以完全恢复的。分析表明:高场应力后,在栅漏区高场作用下,表面和AlGaN势垒层的陷阱俘效应增加,使得器件参数漂移,从而导致器件电特性退化。偏置应力V=20 V,V=0 V后发现SiN钝化使得应力产生的I、退化从36%减少到了30%。这说明高场应力下,虽然SiN钝化一定程度上有助于阻挡电子陷落表面态和2DEG耗尽,但是它不能从根本上解决AlGaN/GaN HEM的高场退化问题。作者认为在钝化的基础上应当结合其他工艺方法例如帽层结构或者场板结构来改善高场下器件的退化问题。

关键词： AlGaN/GaN HEMT器件表面态势垒层陷阱高场应力

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应变对AlN薄膜价带结构及光学性质的调制作用

应变对AlN薄膜价带结构及光学性质的调制作用

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：傅德颐张荣刘斌张曾谢自立修向前郑有炓江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系中国·南京 210093

本文基于k·p微扰理论,系统计算了c面AlN薄膜的价带结构及带边光学跃迁偏振性质在受到面内各向同性应变调制作用下的演化过程。计算结果表明c面AlN在受到面内张应变或者小的面内压应变(|εxx|,|εyy|2.16％)时,面内发光效率将得到... 详细信息

本文基于k·p微扰理论,系统计算了c面AlN薄膜的价带结构及带边光学跃迁偏振性质在受到面内各向同性应变调制作用下的演化过程。计算结果表明c面AlN在受到面内张应变或者小的面内压应变(|εxx|,|εyy|<0.86％)条件下具有很低的发光效率,不利于制作面发射光子器件,而有利于降低边发射激光二极管的阈值电流。另一方面,c面AlN在受到较大的面内压应变(|εxx|,|εyy|>2.16％)时,面内发光效率将得到极大的提高,有利于制作面发射光子器件。这些结果对于应变操纵下的器件结构设计具有重要的指导意义。

关键词：氮化铝薄膜价带结构光学性质光学跃迁偏振性质光子器件阈值电流

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Mg含量对p型MgZnO性能的影响

Mg含量对p型MgZnO性能的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：姚斌李永峰盖延琴魏志鹏申德振中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院激发态重点实验室长春 130033

利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长出未掺杂和氮(N)掺杂MgZnO合金薄膜。研究了Mg含量对MgZnO的电子结构。 N掺杂浓度和N受主能级的影响规律和机制。发现随Mg含量的增加,MgZnO的带隙增宽,价带顶缓慢下移,但导带底快速上移;Mg含量... 详细信息

利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长出未掺杂和氮(N)掺杂MgZnO合金薄膜。研究了Mg含量对MgZnO的电子结构。 N掺杂浓度和N受主能级的影响规律和机制。发现随Mg含量的增加,MgZnO的带隙增宽,价带顶缓慢下移,但导带底快速上移;Mg含量的增加提高了N在MgZnO中的固溶度和N受主的离化能。利用第一原理计算给出产生这些影响的物理机制。通过优化生长方法和技术,制备出具有较好电学性能的N掺杂p型MgZnO合金薄膜。

关键词： p型掺杂半导体薄膜分子束外延合金薄膜固溶度物理机制电学性能

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功率PHEMT器件大信号建模

功率PHEMT器件大信号建模

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘军孙玲玲吴颜明杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州 310037

提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基pHEMT/HEMT/HFET器件大、小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区,以及亚阀值区特性;且漏导精确。主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实... 详细信息

提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基pHEMT/HEMT/HFET器件大、小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区,以及亚阀值区特性;且漏导精确。主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现连续、高阶可导、且导数精确的基础上,满足电荷守恒规律。模型综合考虑了器件弱雪崩击穿,以及热效应特性,对器件跨导频率分布效应也作了灵活的考虑。模型以Verilog-A语言描述,并开发为DesignKit形式嵌入ADS2005A中。给出了对-GaAs基pHEMT器件建模结果,从大、小信号测量和仿真对比结果来看,模型已有较好精度,可供实用。

关键词：等效电路电路模型沟道电流热效应特性弱雪崩击穿功率器件场效应晶体管

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区熔法Si单晶生长的电磁场仿真计算

区熔法Si单晶生长的电磁场仿真计算

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：庞炳远闫萍索开南张殿朝中国电子科技集团公司第四十六研究所

悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si单晶生长进行数值模拟。考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔Si... 详细信息

悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si单晶生长进行数值模拟。考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔Si单晶生长系统的组成,通过电磁场基本方程的推导建立了电磁场模型。利用软件进行了计算机建模,对模型的网格划分充分考虑了计算的关键部位,通过边界条件和载荷的选取完善了电磁场方程,最终通过计算机仿真计算得出电磁场的模拟结果。

关键词：区熔 Si 数值模拟电磁场

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PbTe/Pb1-zSrzTe多量子阱中红外发光二极管的研究

PbTe/Pb1-zSrzTe多量子阱中红外发光二极管的研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：斯剑霄吴惠桢翁斌斌何展蔡春锋浙江大学物理系固体光电子材料物理与器件实验室浙江杭州 310027 浙江师范大学数理与信息工程学院浙江金华 321004 浙江大学物理系固体光电子材料物理与器件实验室浙江杭州 310027

为了提高IV-VI族中红外激光器的工作温度,本文采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe /Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测量表明PbTe/Pb1-xSrxTe... 详细信息

为了提高IV-VI族中红外激光器的工作温度,本文采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe /Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨X衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测量表明PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱具有很好晶体质量和发光特性。制作的二极管I-V特性测量显示正向工作开启电压为0.35V左右。工作电流1.6mA。正向耐压特性表明二极管可承受注70mA的电流注入,表明二极管具有很好的正向开启电压和反向截止电压。

关键词：量子阱发光二极管红外激光器 IV-VI族半导体分子束外延生长

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金属气相沉积法生长氧化锌的电学性质研究

金属气相沉积法生长氧化锌的电学性质研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王晓峰段垚崔军朋曾一平中科院半导体所照明研发中心北京 100083

通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅施主能级,退火前样品的热激活能只有13meV;退火后为31meV。SIM... 详细信息

通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅施主能级,退火前样品的热激活能只有13meV;退火后为31meV。SIMS测试结果表明退火前后样品中没有出现新的杂质能级。退火前样品只有带边发光,退火后带边发光几乎消失,出现了强的绿光峰。结合SIMS和PL谱。我们认为31meV可能是氧空位(Vo)点缺陷的浅施主能级：530nm的绿光峰来自于Vo的深施主能级。而13meV的浅施主能级则可能是与位错等结构缺陷有关。

关键词：金属气相沉积法氧化锌薄膜生长电学性质施主能级位错结构

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