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- 3 篇 计算机科学与技术...
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
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57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
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23 篇 高电子迁移率晶体...
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20 篇 光电器件
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19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
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18 篇 x射线衍射
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机构

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43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

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61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
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21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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基于铕配合物的红色有机电致发光器件的研究

基于铕配合物的红色有机电致发光器件的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：薛钦鲁建华赵毅侯晶莹刘式墉张丽英集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院长春 130012 中科院长春光学精密机械与物理研究所激发态实验室长春 130033

稀土铕配合物具有高的光致发光效率,色纯度高等优点。本实验中,我们采用一种新型铕配合物作为红光染料来制备器件。我们将铕配合物掺入到母体材料CBP中作为发光层,并在起空穴阻挡作用的Bphen层中靠近发光层一侧掺杂同样的铕配合物染料,... 详细信息

稀土铕配合物具有高的光致发光效率,色纯度高等优点。本实验中,我们采用一种新型铕配合物作为红光染料来制备器件。我们将铕配合物掺入到母体材料CBP中作为发光层,并在起空穴阻挡作用的Bphen层中靠近发光层一侧掺杂同样的铕配合物染料,这样就可以充分利用扩散到空穴阻挡层中原本会经过无辐射跃迁而损失掉的激子,使器件的效率得到提高。在Bphen层中掺杂后的器件,其最大电流效率能达到4.0cd/A,比没有在Bphen层中掺杂的器件的效率提高了近47％,器件电流效率得以极大提高。

关键词：红色有机电致发光器件铕配合物掺杂器件电流效率空穴阻挡

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SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED

SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：朱学亮曲爽刘存志李树强夏伟沈燕任忠祥徐现刚山东华光光电子有限公司山东大学晶体材料国家重点实验室

利用MOCVD在SiC衬底上采用AlN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和(102)摇摆曲线分别是303″和311″,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度为0.19 nm,小于蓝宝石衬底上GaN... 详细信息

利用MOCVD在SiC衬底上采用AlN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和(102)摇摆曲线分别是303″和311″,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度为0.19 nm,小于蓝宝石衬底上GaN薄膜的粗糙度。采用不同厚度的AlN缓冲层外延GaN基蓝光LED,并研究了薄膜中的应变状态。当采用不同的AlN缓冲层时,倒易空间图证实InGaN/GaN量子阱区完全应变的外延在GaN层上,而AlN缓冲层则是弛豫的。外延片进行管芯工艺制备,得到高亮度的LED。

关键词：碳化硅氮化镓光电二极管

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GaN/BST单片集成紫外红外双色探测器的研制

GaN/BST单片集成紫外红外双色探测器的研制

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李献杰赵永林齐丽芳尹顺政蔡道民吴传贵张万里李言荣中国电子科技集团公司第十三研究所电子科技大学

采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）在蓝宝石上生长宽带隙半导体GaN和磁控溅射BST热释电薄膜,实现了一种单片集成紫外红外双色探测器。紫外探测部分采用GaN系金属-半导体-金属（MSM）器件结构,红外探测采用钛酸锶钡（BS）热释电电容结... 详细信息

采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）在蓝宝石上生长宽带隙半导体GaN和磁控溅射BST热释电薄膜,实现了一种单片集成紫外红外双色探测器。紫外探测部分采用GaN系金属-半导体-金属（MSM）器件结构,红外探测采用钛酸锶钡（BS）热释电电容结构,二者用多孔SiO实现热隔离。制作了紫外红外双色集成探测器测试单元和1×32和1×64线列线列器件。测试单元器件紫外和红外有源区面积均为500μm×500μm,紫外探测部分峰值波长360 nm,截止波长370 nm,响应度0.08 A/W;BST薄膜热释电系数为1×10C·cmK,红外热释电探测部分电压响应率为9.14 V/W,黑体探测率D为4.37×10～5cm·Hz·W。

关键词：紫外红外双色探测器热释电氮化镓钛酸锶钡

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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气（2DEG）面密度为1.0×... 详细信息

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气（2DEG）面密度为1.0×10cm,迁移率达1 880 cm/V·s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的AlGaN/GaNHEMT,小信号测试表明器件f为31.6 GHz,最高振荡频率f为36.8 GHz。研制的1 mm栅宽器件8 GHz、45 V工作电压下饱和输出功率为10.52 W,功率增益和功率附加效率分别为7.62 dB和45.8%。

关键词：氧化镓铝/氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌

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MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808nm无铝量子阱激光器

MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808nm无铝量子阱激光器

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李沛旭夏伟李树强张新汤庆敏任忠祥徐现刚山东大学晶体材料重点实验室济南 250100 山东华光光电子有限公司济南 250101 山东华光光电子有限公司济南 250101

设计制作了非对称宽波导结构的无铝量子阱激光器,降低了内部损耗,实现了低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,制作了100μm条宽,1500μm腔长的808nm激光器器件,镀膜... 详细信息

设计制作了非对称宽波导结构的无铝量子阱激光器,降低了内部损耗,实现了低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,制作了100μm条宽,1500μm腔长的808nm激光器器件,镀膜后阈值电流230.5mA,斜率效率1.31W/A。连续电流条件下,得到最大输出功率超过8W,并且计算得到内吸收系数为1.7cm-1。

关键词：量子阱激光器非对称结构金属有机物化学气相外延宽波导结构阈值电流外延生长

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基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器

基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌刘成谢正生中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器（VCSEL）。激光器谐振腔镜分别由SiO/TiO介质薄膜和GaAs/Al（Ga）As半导体分布布拉格反射镜（DBR）实现,由晶片直接键合方法进行InP基... 详细信息

以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器（VCSEL）。激光器谐振腔镜分别由SiO/TiO介质薄膜和GaAs/Al（Ga）As半导体分布布拉格反射镜（DBR）实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源谐振腔与GaAs基DBR材料的融合,经过选择性侧向腐蚀p-InP/n-InAlAs隧道结定义电流限制孔径等器件工艺,最后通过电子束蒸发沉积介质薄膜DBR制作出激光器件。单模VCSEL器件的室温阈值电流为0.75 mA,最高连续工作温度达到100℃;多模器件的最高光功率为1.9 mW。器件结果表明,InAsP/InGaAsP量子阱材料体系可用于高性能长波长VCSEL的研制。

关键词：垂直腔面发射激光器应变补偿多量子阱晶片键合

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平面纳米自开关器件灵敏度的研究

平面纳米自开关器件灵敏度的研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：许坤远王钢宋爱民华南师范大学物理与电信工程学院中山大学光电材料与技术国家重点实验室英国曼彻斯特大学电气与电子工程学院

运用二维系宗蒙特卡罗方法,模拟了平面纳米自开关器件的工作特性。结果表明,平面纳米自开关器件在加正向电压时是导通的,加负电压时是关闭的。但是在负偏压情况下并不是完全没有电流通过而是存在一不随电压变化的恒定漏电流。这使得电... 详细信息

运用二维系宗蒙特卡罗方法,模拟了平面纳米自开关器件的工作特性。结果表明,平面纳米自开关器件在加正向电压时是导通的,加负电压时是关闭的。但是在负偏压情况下并不是完全没有电流通过而是存在一不随电压变化的恒定漏电流。这使得电流电压关系曲线在零电压附近具有很强的非线性特性,因此可以把该器件运用于电磁波探测。通过多项式拟合方法获得了电流电压关系曲线的解析表达式,从而求得该器件的灵敏度。进一步分析表明通过改变表面态密度能够改变漏电流的大小,而小的漏电流有利于获得高的灵敏度。

关键词：自开关器件蒙特卡罗纳米灵敏度

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检验GaN基外延材料质量的简易方法

检验GaN基外延材料质量的简易方法

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李诚瞻魏珂郑英奎刘果果庞磊刘新宇中国科学院微电子研究所

研究了GaN基外延材料对AlGaN/GaN HEM电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与AlGaN/GaN HEM电流崩塌效应的对应关系,提出了一种检验GaN基外延材料的简便方法。实验观察到,背对背肖特基结I-V特性对称性好的外延材料,所对应... 详细信息

研究了GaN基外延材料对AlGaN/GaN HEM电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与AlGaN/GaN HEM电流崩塌效应的对应关系,提出了一种检验GaN基外延材料的简便方法。实验观察到,背对背肖特基结I-V特性对称性好的外延材料,所对应的AlGaN/GaN HEM器件电流崩塌程度更小,反之亦然。缺陷俘获电子是引起背对背肖特基结I-V特性不对称的根本原因,这些缺陷也是产生AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的重要原因,因此利用背对背肖特基I-V特性的对称性是定性地评价GaN基外延材料质量优劣的一种有效方法。

关键词：氮化镓外延材料背对背肖特基结电流崩塌缺陷

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GaN薄膜的太赫兹光谱研究

GaN薄膜的太赫兹光谱研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：方贺男张荣谢自力刘斌修向前陆海韩平郑有炓江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系 210093

太赫兹(Terahenz,THz)光谱技术是基于飞秒技术的远红外波段光谱测量新方法。太赫兹时域光谱技术在很多领域具有广阔的应用前景。本文采用太赫兹时域光谱(THz-TDs)技术测量了非故意掺杂的GaN薄膜在0.4～1.0THz波段的透射光谱,该样品采用... 详细信息

太赫兹(Terahenz,THz)光谱技术是基于飞秒技术的远红外波段光谱测量新方法。太赫兹时域光谱技术在很多领域具有广阔的应用前景。本文采用太赫兹时域光谱(THz-TDs)技术测量了非故意掺杂的GaN薄膜在0.4～1.0THz波段的透射光谱,该样品采用金属有机物化学汽相淀积系统生长在蓝宝石衬底上。本文通过对双层膜的光学传输的研究,利用透射光谱的实验数据,由计算机程序计算得到了生长在蓝宝石衬底上的GaN薄膜在室温氮气环境下太赫兹波段的折射率与消光系数的数值解。

关键词：氮化镓薄膜时域光谱太赫兹光谱光谱测量透射光谱金属有机物化学汽相淀积消光系数

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MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究

MOCVD生长Mn掺杂GaN薄膜的结构与磁学性能研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：崔旭高张荣陶志阔李鑫修向前谢自力郑有炓南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室

用MOCVD技术在[0001]取向的蓝宝石衬底上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7%时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A（LO）模的振动峰向低频方向移动。ESR结果表明... 详细信息

用MOCVD技术在[0001]取向的蓝宝石衬底上生长出Mn掺杂的GaN薄膜。测试结果表明,Mn掺杂浓度小于2.7%时没有第二相物质出现。Raman谱结果表明,由于Mn离子的介入,替换了Ga位的阳离子,从而使得A（LO）模的振动峰向低频方向移动。ESR结果表明,二价的Mn离子替换了三价的Ga离子,尽管如此,薄膜还是仅仅表现出顺磁性。通过Brillouin函数拟合以及ESR结果综合考虑可得,Mn在GaN晶格中的存在状态是孤立的二价顺磁性离子。

关键词：锰掺杂氮化稼金属有机化学气相淀积磁性

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