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3 篇 经济学
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1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
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57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
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23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
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20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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962 篇 中文
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生长条件对MOCVD外延生长AlInN薄膜的影响

生长条件对MOCVD外延生长AlInN薄膜的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：卢国军朱建军赵德刚刘宗顺张书明杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术以GaN为衬底在不同生长温度和生长压力下生长了AlInN薄膜。利用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和在位检测系统对AlInN的生长和结构进行了研究。结果表明:随着生长温度的升高,AlInN的生长速率... 详细信息

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术以GaN为衬底在不同生长温度和生长压力下生长了AlInN薄膜。利用x射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和在位检测系统对AlInN的生长和结构进行了研究。结果表明:随着生长温度的升高,AlInN的生长速率降低,In含量降低;而随着生长压力的降低,AlInN的生长速率增大,In含量增加,且AlInN组分的不均匀性会减弱。AlInN的晶体质量随着生长温度的提高或生长压力的降低而提高,除了最低的生长压力外。此外,随着生长温度的提高或生长压力的降低,AlInN的表面会变平坦,这与表面吸附的Al原子的迁移能力增强有关。

关键词：化学气相沉积法外延生长 AlInN薄膜生长温度表面迁移能力

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GaN基LED外延片表面处理对器件漏电流的影响

GaN基LED外延片表面处理对器件漏电流的影响

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：王良吉张书明杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京 100083

通过研究分析GaN基发光二极管(LED)电极制作前用王水处理外延片表面对LED器件I-V特性曲线的影响,发现适当Ⅰ-Ⅴ的王水处理会使得Ni/Au电极与p-GaN的欧姆接触性能更好,但是太长时间的王水处理,会导致LED器件的漏电流明显增大。对LED外延... 详细信息

通过研究分析GaN基发光二极管(LED)电极制作前用王水处理外延片表面对LED器件I-V特性曲线的影响,发现适当Ⅰ-Ⅴ的王水处理会使得Ni/Au电极与p-GaN的欧姆接触性能更好,但是太长时间的王水处理,会导致LED器件的漏电流明显增大。对LED外延片表面在王水处理前和处理后的原子力显微镜扫描中,发现王水处理会使得外延片表面的V形坑尺寸扩大。经过分析发现,透明电极中金属原子沿着穿透位错管道的扩散是造成漏电流增加的一个主要原因。P-GaN表面V形坑的扩大,会导致透明电极中的金属原子更容易通过表面V形坑扩散进位错管道中,从而形成电流通道,对LED器件的电学性能、寿命等造成不利的影响。

关键词：漏电流穿透位错发光二极管外延片表面处理接触性能透明电极电学性能

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深紫外LED结构设计和外延生长

深紫外LED结构设计和外延生长

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：康俊勇李书平杨伟煌李金钗陈航洋刘达艺厦门大学教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心福建省半导体材料及应用重点实验室厦门 361005

本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度。通过生长氛围的优化、生长极性的控制、失配应力的释放、二... 详细信息

本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度。通过生长氛围的优化、生长极性的控制、失配应力的释放、二维生长的控制等MOVPE各项工艺摸索,掌握了较高质量AlN和高Al组分AlGaN外延生长技术,己制备出厚度超过1000nm不开裂、表面较粗糙度小于1nm的外延片。外延生长了完整结构深紫外LED实现了主波长从213nm到300nm电致发光。

关键词：外延生长第一性原理模拟设计量子结构注入效率超晶格空穴浓度发光二极管

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GaN基纳米柱LED的制备

GaN基纳米柱LED的制备

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：朱继红张书明王辉江德生朱建军刘宗顺赵德刚杨辉中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215123

以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制备出了直径在100-300nm之间,高度为700nm左右LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明纳米柱的PL强度是平面结构的4倍,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光... 详细信息

以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制备出了直径在100-300nm之间,高度为700nm左右LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明纳米柱的PL强度是平面结构的4倍,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光峰发生蓝移并且峰值半高宽(FWHM)有所降低。用化学腐蚀的方法对纳米柱进行了去损伤处理,发现去损伤后纳米柱的PL强度进一步增强,为处理前的3.5倍。最后用旋涂工艺对纳米柱进行了平坦化,进一步制作成为GaN纳米LED器件。

关键词：化学腐蚀发光二极管氮化镓纳米材料平面结构旋涂工艺

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异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点

异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：王鹏飞熊永华吴兵朋倪海桥黄社松牛智川中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室

GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。提出了在GaAs基InGaAs异变过渡层上生长InAs/GaAs/InAs双层耦合量子点结构,同时利用InGaAs盖层中引... 详细信息

GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。提出了在GaAs基InGaAs异变过渡层上生长InAs/GaAs/InAs双层耦合量子点结构,同时利用InGaAs盖层中引入Sb辅助生长的方法,通过改变生长温度、淀积量以及In组分等生长参数,最终得到了室温光致发光波长为1 533 nm的InAs量子点结构,谱线半高宽为28.6 meV,经原子力显微镜测试表明,其密度为（4～8）×10～9cm。预计进一步提高量子点密度后,此技术可应用于长波长量子点激光器材料的分子束外延生长。

关键词：分子束外延 InAs量子点异变过渡层光致发光谱

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高方阻AZO透明导电薄膜的制备和光电特性

高方阻AZO透明导电薄膜的制备和光电特性

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：叶家聪李清华贾芳朱德亮曹培江吕有明马晓翠深圳大学材料学院深圳市特种功能材料实验室

采用磁控溅射法,在Si和玻璃基片上制备了AZO(ZnO:Al)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、紫外/可见光分光光度计、荧光光谱仪和四极探针等仪器,研究了Al质量分数对薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明,AZO薄膜为纤锌矿结构且呈c... 详细信息

采用磁控溅射法,在Si和玻璃基片上制备了AZO(ZnO:Al)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、紫外/可见光分光光度计、荧光光谱仪和四极探针等仪器,研究了Al质量分数对薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明,AZO薄膜为纤锌矿结构且呈c轴择优取向,随着Al质量分数的增加,(002)衍射峰强度逐渐减弱;在掺Al质量分数小于4%时,薄膜在可见光范围内的平均透射率大于80%,方块电阻最小值达到514Ω/□,热稳定性小于20%;在室温下,观察到近带边发光峰和绿光发光带。

关键词：磁控溅射 AZO薄膜光电特性

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Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京 210016

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测... 详细信息

本文中采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-x制备了MSM结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经二轴X射线衍射(TAXRD)对外延材料进行测试,AlxGa1-x半峰宽(FWHM)为155 arcsec,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255nm和365nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。存6V偏压下255nm处响应度为0.1A/W,并以此推算出AlxGa1-xN材料的Al含量为0.66。

关键词： MSM结构紫外日盲探测器光电探测器化学气相沉积法半峰宽

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HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析

HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：赵璐冰于彤军陆羽李俊杨志坚张国义北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学北京 100871

异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。本实验利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭... 详细信息

异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。本实验利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量,发现(0002)面摇摆曲线的半宽有明显变化。通过计算和比较,采用标准狭缝测得的(0002)面摇摆曲线的展宽是由弯曲和位错共同引起的,而弯曲表现的更为显著。而小狭缝的展宽主要反应样品位错的信息。通过不同狭缝半宽的测量,我们同时得到了不同厚度GaN厚膜样品的曲率和位错密度。

关键词：氢化物气相外延厚膜弯曲外延生长位错密度

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高性能Si基Ge探测器的研制

高性能Si基Ge探测器的研制

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：薛海韵薛春来成步文王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京 100083

采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的Ge材料,利用该材料研制高速Ge光电探测器,吸收层Ge的厚度约为0.8μm。在0V和-1V偏压下,暗电流密度分别为0.37mA/cm2和29.4mA/cm2;测试结果表明探测器具有良好的光响应,在1.31μm波长... 详细信息

采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的Ge材料,利用该材料研制高速Ge光电探测器,吸收层Ge的厚度约为0.8μm。在0V和-1V偏压下,暗电流密度分别为0.37mA/cm2和29.4mA/cm2;测试结果表明探测器具有良好的光响应,在1.31μm波长下,0V和-1V偏压下响应度分别为0.37mA/W和0.38mA/W,1.55μm的光响应为0.21A/W。探测器的高频特性测试表明,台面直径30μm的探测器,0V,-1V和-3v 下 3dB带宽分别为4.72GHz,5.38GHz和6.28GHz。

关键词：硅基镓光电探测器外延生长暗电流密度高频特性测试

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Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究

Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：谢自力张荣崔旭高陶志阔修向前刘斌李弋傅德颐张曾宋黎红崔影超韩平施毅郑有炓南京大学物理系江苏省光电功能材料重点实验室

利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相的出现,当Mn... 详细信息

利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相的出现,当Mn的掺杂浓度达到3.9%时观察到了第二相。采用光学测试得到了由于Mn杂质引入杂质能级和缺陷而产生一个很宽的发射和吸收谱。

关键词：金属有机物化学气相沉积稀磁半导体锰掺杂 X射线衍射

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