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15 篇 期刊文献
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931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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962 篇 中文
2 篇 英文

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氮化镓结型器件的EBIC和CL研究

氮化镓结型器件的EBIC和CL研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：刘文宝孙苋江德生赵德刚刘宗顺张书明朱建军段俐宏杨辉中科院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州 215125

本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBIC的数据拟合得到不同GaN材料层的少了扩散长度。P区GaN中少子扩散长度为0.1μm左右,... 详细信息

本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBIC的数据拟合得到不同GaN材料层的少了扩散长度。P区GaN中少子扩散长度为0.1μm左右,N区GaN中少子扩散长度约为0.6μm,非故意掺杂GaN中少子扩散长度大于1μm。通过对同一位置获得的SEM、EBIC、CL图像的比较,发现耗尽区的EBIC电流信号最强,而CL荧光信号较弱,二者信号强度大小呈互补关系。根据耗尽区的内建电场模型对这种现象做出很好的解释。

关键词：氮化镓电子束感生电流阴极荧光少子扩散长度结型器件荧光信号

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PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析

PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：董志远赵有文杨俊胡炜杰中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083

我们用钨丝网加热物理气相传输法(PVT)制备了直径45-50毫米的氮化铝(AlN)晶体。通过湿法腐蚀,X-射线双晶衍射(XRD),电子能量色散X-射线荧光光谱(EDX)和红外吸收谱对大尺寸AlN单晶晶粒的完整性、杂质及缺陷进行了分析。腐蚀后AlN单晶的(0... 详细信息

我们用钨丝网加热物理气相传输法(PVT)制备了直径45-50毫米的氮化铝(AlN)晶体。通过湿法腐蚀,X-射线双晶衍射(XRD),电子能量色散X-射线荧光光谱(EDX)和红外吸收谱对大尺寸AlN单晶晶粒的完整性、杂质及缺陷进行了分析。腐蚀后AlN单晶的(0001)Al面形成规则的六方形位错腐蚀坑,密度约为4000cm-2。XRD半峰宽为35弧秒,表明晶体的品格完整性很好。EDX测试结果表明晶体中局部区域存在C,O杂质,红外吸收测量得到了分别位于1780cm-1,1850 cm-1,2000 cm-1,2900cm-1的吸收峰,这些吸收峰分别与晶体中的杂质O,C,Si或氧的复合体有关。

关键词：氮化铝晶体物理气相传输法湿法腐蚀单晶生长

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T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展

T-ZnOw的制备及其吸波特性研究进展

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：马泽宇王晓亮中国科学院半导体研究所材料科学中心半导体材料科学重点实验室

四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性氧化锌晶... 详细信息

四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)以其独特的三维空间结构及优良的特性,在吸波材料等诸多领域有着广泛的应用前景,引起众多学者的关注。介绍了氧化锌晶须的结构和基本特性,着重综述了氧化锌晶须的制备及其吸波特性的研究进展;指出改性氧化锌晶须的制备和如何改善氧化锌晶须吸波特性已逐渐成为当前研究的重点,氧化锌晶须吸波机理有待进一步的研究,基于多层膜结构和角锥结构的吸波体的制备可能成为以后发展的重点方向。

关键词：氧化锌晶须吸波特性

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SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件

SiC衬底GaN基HEMT结构材料与器件

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：王晓亮陈堂胜唐健肖红领王翠梅李晋闽王占国侯洵中国科学院半导体研究所材料科学中心中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室中国科学院半导体研究所西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室南京电子器件研究所

使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50 mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEM)材料。50 mmHEM外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此材料研制的单管2 mm栅宽HEM,其饱和漏极电流为1.36A/... 详细信息

使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在50 mm半绝缘6H-SiC衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEM)材料。50 mmHEM外延片平均方块电阻为305.3Ω/□,不均匀性为3.85%。使用此材料研制的单管2 mm栅宽HEM,其饱和漏极电流为1.36A/mm,跨导为460 mS/mm。利用内匹配技术对两个2 mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8 GHz,脉冲下输出功率为34.1 W,功率增益为6.1 dB,功率附加效率为37.3%。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率器件

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AlGaN/GaN异质结气体传感器对低浓度CO的响应研究

AlGaN/GaN异质结气体传感器对低浓度CO的响应研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：冯春王占国侯洵王晓亮杨翠柏肖红领王翠梅侯奇峰马泽宇王军喜李晋闽中国科学院半导体研究所材料中心北京 100083 中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室北京 100083

本文研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于200ppm到1000ppm范围内CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至200ppm的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO浓度的升高,器件的电流变化愈加明显... 详细信息

本文研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于200ppm到1000ppm范围内CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至200ppm的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO浓度的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。我们对器件在不同浓度CO下的灵敏度与外加偏压的关系也做了研究,在正向偏压下,器件的灵敏度随着CO浓度的升高血增大。当CO气体撤销时,器件表现出了迅速的恢复性能,2V的恒定电压下,器件的恢复速度约为3mA/min。

关键词：肖特基气体传感器异质结二极管正向偏压

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宽禁带MgxZn1-xO薄膜的制备和性能研究

宽禁带MgxZn1-xO薄膜的制备和性能研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：盛国浩贾芳朱德亮曹培江吕有明马晓翠深圳大学深圳市特种功能材料重点实验室

采用磁控溅射法,通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgZnO薄膜。研究了Mg原子含量对MgZnO薄膜结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明,MgZnO薄膜在（0002）方向有明显的c轴择优取向。随着Mg原子含量的提高,薄膜由六角单相转化... 详细信息

采用磁控溅射法,通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgZnO薄膜。研究了Mg原子含量对MgZnO薄膜结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明,MgZnO薄膜在（0002）方向有明显的c轴择优取向。随着Mg原子含量的提高,薄膜由六角单相转化为六角相和立方相的混合相。MgZnO合金薄膜的透射谱表明,薄膜的透射率略有下降,但在可见光区域的平均透射率仍大于85%,吸收边逐渐蓝移,最短的吸收边为283 nm。能隙宽度图表明,MgZnO薄膜的能隙宽度从3.36 eV增加到4.27 eV。

关键词： MgxZn1-xO薄膜 X射线衍射透射光谱

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a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究

a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究

引用

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：崔影超谢自力赵红李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室南京 210093

对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电了束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示：非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝IB046, IYL∝... 详细信息

对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电了束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示：非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝IB046, IYL∝IB0.45,这主要是由于饱和效应引起的,与以往c面GaN报道对比,表明带边相对于黄光受到了一定抑制;改变加速电压可以看出,黄带部分随加速电压的变化关系相对于带边要复杂很多,这主要是由黄带本身形成原因的复杂多样性与自吸收,自由载流子和应力的综合作用引起的。

关键词：氮化镓薄膜阴极荧光激发强度金属有机物化学气相淀积自由载流子

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Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响

Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂AlGaN外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型AlGaN中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×10cm和12 cm/V·s。载流子浓... 详细信息

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂AlGaN外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型AlGaN中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×10cm和12 cm/V·s。载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Si掺杂AlGaN薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH流量的变化。随着SiH流量的增大,AlGaN薄膜的晶格常数c变小同时E声子峰发生红移,这表明掺Si后AlGaN薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词： AlGaN Si掺杂金属有机化学气相淀积蓝宝石衬底外延薄膜

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通过退火研究ZnGeP2晶体中点缺陷与红外透过率的关系

通过退火研究ZnGeP2晶体中点缺陷与红外透过率的关系

引用

第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：程江朱世富赵北君赵欣陈宝军何知宇杨慧光孙永强张羽四川大学材料科学系

以富P2‰配比合成的ZnGeP多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和Ⅰ-Ⅴ曲线表明,生长的ZnGeP晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×10～6Ω·cm。经定向切割后,得到10 mm×10 mm×2 mm的ZnGeP晶片... 详细信息

以富P2‰配比合成的ZnGeP多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和Ⅰ-Ⅴ曲线表明,生长的ZnGeP晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×10～6Ω·cm。经定向切割后,得到10 mm×10 mm×2 mm的ZnGeP晶片,分别置于高纯红磷和ZnGeP同成分粉末的氛围,在550℃进行退火处理。结果表明,P气氛中退火,晶片红外透过率的提高不明显;而在ZnGeP粉末包裹氛围中退火,晶片的红外透过率在短波范围内得到了有效提高,在2～10μm波段则提高到近60%左右,说明V对该条件下生长的ZnGeP单晶红外透过率影响较大,而V的影响较小。

关键词：磷锗锌点缺陷退火红外透过率

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优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌

优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：杜江锋罗大为罗谦卢盛辉于奇杨谟华电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数凋制沟道中二维电了气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅... 详细信息

基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数凋制沟道中二维电了气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅长0.5μm栅漏间距2μm的GaN HEMT器件,获得了场板长度与绝缘层厚度优值分别为1μm和0.5μm,其沟道电子峰值温度比无场板时下降了47％。并研究确定了场板长度优值与栅漏距以及绝缘层厚度与漏压的数学关系模型。此成果可为无电流崩塌的场板结构GaN HEMT器件设计提供理论指导。

关键词：沟道电子温度电流崩塌物理模型崩塌效应场板结构数学模型迁移率晶体管

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