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931 篇 工学
- 790 篇 电子科学与技术（可...
- 718 篇 材料科学与工程（可...
- 204 篇 光学工程
- 84 篇 仪器科学与技术
- 6 篇 电气工程
- 6 篇 化学工程与技术
- 5 篇 核科学与技术
- 4 篇 机械工程
- 3 篇 控制科学与工程
- 3 篇 计算机科学与技术...
- 2 篇 信息与通信工程
- 1 篇 冶金工程
- 1 篇 航空宇航科学与技...
- 1 篇 软件工程
111 篇 理学
- 108 篇 物理学
- 18 篇 化学
3 篇 经济学
- 3 篇 应用经济学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学
1 篇 管理学
- 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

102 篇 半导体材料
57 篇 氮化镓
49 篇 化合物半导体
49 篇 分子束外延
43 篇 半导体器件
37 篇 砷化镓
33 篇 外延生长
24 篇 异质结构
23 篇 高电子迁移率晶体...
22 篇 发光二极管
21 篇 离子注入
20 篇 光电器件
20 篇 性能评价
19 篇 二维电子气
19 篇 半导体激光器
19 篇 金属有机物
18 篇 异质结
18 篇 x射线衍射
17 篇 稀磁半导体
17 篇 制备工艺

机构

131 篇 中国科学院半导体...
43 篇 西安电子科技大学
35 篇 北京大学
32 篇 南京大学
30 篇 南京电子器件研究...
30 篇 中国科学院半导体...
23 篇 西安交通大学
23 篇 中国科学院半导体...
18 篇 中国科学院微电子...
17 篇 山东大学
17 篇 中国科学院半导体...
16 篇 中科院半导体研究...
15 篇 中山大学
14 篇 电子科技大学
14 篇 科学院半导体研究...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 中国科学院半导体...
12 篇 深圳大学
11 篇 中国科学院半导体...
11 篇 河北工业大学

作者

77 篇 曾一平
61 篇 王占国
59 篇 李晋闽
53 篇 王晓亮
35 篇 肖红领
33 篇 杨辉
33 篇 王翠梅
29 篇 侯洵
27 篇 郑有炓
27 篇 刘新宇
27 篇 谢自力
24 篇 张荣
24 篇 郝跃
22 篇 赵有文
21 篇 陈辰
21 篇 王启明
21 篇 李建平
20 篇 zhanguo wang
20 篇 王军喜
20 篇 朱建军

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962 篇 中文
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MOCVD生长室温连续激射InAs/InGaAsP/InP量子点激光器

MOCVD生长室温连续激射InAs/InGaAsP/InP量子点激光器

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Shuai Luo 罗帅 Haiming Ji 季海铭 Tao Yang 杨涛 Zhanguo Wang 王占国 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Chinese Academy of Sciences P.O.Box 912Beijing 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室北京 100083

本文报告采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备InAs/InGaAsP/InP量子点激光器的研究。通过生长条件的优化获得了高质量量子点材料。进一步，通过引入两温盖层生长技术成功地实现了对量子点材料尺寸分布的控制，使量子点芯片的光致荧光... 详细信息

本文报告采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备InAs/InGaAsP/InP量子点激光器的研究。通过生长条件的优化获得了高质量量子点材料。进一步，通过引入两温盖层生长技术成功地实现了对量子点材料尺寸分布的控制，使量子点芯片的光致荧光(PL)均匀性和可重复性均得到较大改善。所制作的脊型波导量子点激光器实现室温连续激射，平均每层的阈值电流密度低至460A/cm2。

关键词：量子点激光器化合物半导体室温连续激射金属有机化学气相沉积

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砷化镓纳米线的分子束外延制备及其光伏电池应用研究

砷化镓纳米线的分子束外延制备及其光伏电池应用研究

引用

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Xinhua Li 李新化 Long Wen 文龙 Shaojiang Bu 步绍姜 Yuqi Wang 王玉琦 Key Laboratory of Material Physics Institute of Solid State Physics Chinese Academy of Sciences H 中科院固体物理研究所材料物理重点实验室安徽合肥 230031

通过调整生长参数,实现砷化镓纳米线轴向和径向生长速率可控。在此基础上,使用分子束外延技术制备了芯壳p-n结构砷化镓纳米线。同时,通过探索GaAs一维纳米结构的光刻、壳层刻蚀、欧姆电极制备工艺,获得一维纳米芯壳光伏器件,针对该器件... 详细信息

通过调整生长参数,实现砷化镓纳米线轴向和径向生长速率可控。在此基础上,使用分子束外延技术制备了芯壳p-n结构砷化镓纳米线。同时,通过探索GaAs一维纳米结构的光刻、壳层刻蚀、欧姆电极制备工艺,获得一维纳米芯壳光伏器件,针对该器件的I-V测试结果表明,该结构在模拟太阳光照射情况下(AM l.5G,1个太阳)t开路电压Voc-0.539、短路电流lsc=10.374mA/cm2、有效填充因子FF=0.6796,效率为38％。

关键词：光伏电池砷化镓纳米线分子束外延化合物半导体

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InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料与器件

InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料与器件

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Wenquan Ma 马文全 Yanhua Zhang 张艳华 Yang Wei 卫炀 Jianliang Huang 黄建亮 Yulian Cao 曹玉莲 Kai Cui 崔凯 Xiaolu Guo 郭晓璐 Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China 中国科学院半导体研究所北京 100083

已经生长出质量极高的二类超晶格红外探测材料,并研制成功中波、长波、甚长波及窄带双色红外探测器器件。X射线双晶衍射表明中波、长波及甚长波p-i-n型器件结构的X射线双晶衍射卫星峰半宽分别为20、17和21弧秒。中波器件在77K温度下的5... 详细信息

已经生长出质量极高的二类超晶格红外探测材料,并研制成功中波、长波、甚长波及窄带双色红外探测器器件。X射线双晶衍射表明中波、长波及甚长波p-i-n型器件结构的X射线双晶衍射卫星峰半宽分别为20、17和21弧秒。中波器件在77K温度下的50％截止波长为4.8微米,相应最大值4.2微米处探测率为2.4×1011 cm.H205/W;长波器件在77K温度下的50％截止波长为9.6微米,峰值响应率为3.2 A/W;甚长波器件在77K温度下的50％截止波长为14.5微米,Johnson噪声限制的探测率为4.3×109cm·Hz0.5/W。还研制成功通过改变偏压极性实现双色探测的窄带型长波／甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器器件,此器件在77K温度下的50％的截止波长分别为10和16微米,两个响应带的光学串扰只有约10％。

关键词：红外探测二类超晶格化合物半导体材料选择器件研发

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GaN/Si纳米孔柱阵列的制备及研究

GaN/Si纳米孔柱阵列的制备及研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Yarui Wan 万亚蕊 Xiaobo Wang 王小波 Changbao Han 韩昌报 Xiaobo Meng 孟晓波 Lixia Su 苏丽霞 Xinjian Li 李新建 School of Physics and electronics Zhengzhou University Zhengzhou 450052 郑州大学物理工程学院郑州 450052

用普通的化学气相沉积(CVD)技术,在高温真空管式炉中利用金属镓与氨气的反应在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)表面沉积GaN纳米结构。用场发射扫描电镜(FESEM)来研究其形貌;X射线衍射(XRD)表明氮化镓为六方纤锌矿结构：氮化镓在大约360 nm处出... 详细信息

用普通的化学气相沉积(CVD)技术,在高温真空管式炉中利用金属镓与氨气的反应在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)表面沉积GaN纳米结构。用场发射扫描电镜(FESEM)来研究其形貌;X射线衍射(XRD)表明氮化镓为六方纤锌矿结构：氮化镓在大约360 nm处出现本征峰,同时还有位于550 nm处的宽的黄光峰：电致发光图谱显示,它在大约550 nm和810nm处均有一个发光峰,随着电压的增大,810 nm处的发光峰逐渐增强,其强度在1OV时超过了550 nm处发光峰的强度。

关键词：化合物半导体纳米孔柱阵列制备工艺性能表征

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低噪声InGaAs/InP雪崩光电二极管及暗电流分析

低噪声InGaAs/InP雪崩光电二极管及暗电流分析

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Bin Li 李彬 Qin Han 韩勤 Xiaohong Yang 杨晓红 Shaoqing Liu 刘少卿 Weihong Yin 尹伟红 Chenglei Nie 聂诚磊 China State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Acade 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京 100083

本文报道了一种平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻蚀圆坑与单浮动扩散保护环相结合的方法抑制边缘击穿,器件制备过程只需要一步外延生长和一步扩散,降低了... 详细信息

本文报道了一种平面结构InGaAs/InP分离吸收、过渡、电荷、倍增(SAGCM)雪崩光电探测器(APD)。器件设计倍增层厚度低于300nm,通过刻蚀圆坑与单浮动扩散保护环相结合的方法抑制边缘击穿,器件制备过程只需要一步外延生长和一步扩散,降低了器件的制备难度。对于30微米直径的器件,其暗电流在穿通电压处可低至0.032nA,在90％击穿电压下暗电流仅0.16nA。未生长抗反膜的器件在1.55微米处增益为l时的光响应度可达0.65A/W。

关键词：雪崩光电探测器光电二极管器件制备暗电流分析

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基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计

基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：李亚明刘智张东亮薛春来李传波成步文王启明中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室

本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK)效应的GeSi电吸收调制器。调制器集成了脊形硅单模波导。光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层。在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.18％,从而使得... 详细信息

本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK)效应的GeSi电吸收调制器。调制器集成了脊形硅单模波导。光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层。在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.18％,从而使得器件工作在C(1528～1560rim)波段。模拟结果显示该调制器的3dB带宽可达64GHz,消光比为8.8dB,而插损仅为2.7dB。

关键词：调制器设计倏逝波耦合锗硅电吸收性能评价

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InAs单晶衬底表面氧化层形貌与晶片表面粗糙度的关系

InAs单晶衬底表面氧化层形貌与晶片表面粗糙度的关系

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Wang jun 王俊 Wang fenghua 王凤华 Yang fengyun 杨凤云 Institute Of Semiconductors CAS Beijing 100083 China 中国科学院半导体研究所北京 100083

选用H2SO4和H202组合溶液对InAs表面氧化层进行湿法化学腐蚀处理后,通过光学偏振显微镜观察,发现在极薄氧化层条件下,InAs表面氧化层的粗糙度基本反映了氧化层覆盖的InAs晶片表面的粗糙度。用白光干涉仪测得的未腐蚀处理的InAs单晶抛光... 详细信息

选用H2SO4和H202组合溶液对InAs表面氧化层进行湿法化学腐蚀处理后,通过光学偏振显微镜观察,发现在极薄氧化层条件下,InAs表面氧化层的粗糙度基本反映了氧化层覆盖的InAs晶片表面的粗糙度。用白光干涉仪测得的未腐蚀处理的InAs单晶抛光片表面租糙度为0.325 nm,处理后其表面粗糙度未发生明显变化。

关键词：砷化铟单晶衬底抛光片表面氧化层粗糙度

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氟化镱掺杂的氧化铟透明导电薄膜

氟化镱掺杂的氧化铟透明导电薄膜

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Shaohang Wu 吴绍航 Jinsong Luo 罗劲松 Xiaoxin Liu 刘晓新 Xingyuan Liu 刘星元 Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics Chinese Academy of Sciences Changchun 1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所长春 130033

利用离子源辅助双源电子束沉积技术，制备了YbF3-In2O3新型透明导电薄膜。该薄膜在可见区具有良好的透射率(平均透射率为86.6％)，其导电性(25Ω／□)可与ITO相比拟，且该导电膜具有高的功函数(5.32eV)和良好的界面特性。用此导电薄膜... 详细信息

利用离子源辅助双源电子束沉积技术，制备了YbF3-In2O3新型透明导电薄膜。该薄膜在可见区具有良好的透射率(平均透射率为86.6％)，其导电性(25Ω／□)可与ITO相比拟，且该导电膜具有高的功函数(5.32eV)和良好的界面特性。用此导电薄膜制备的有机薄膜太阳能电池与ITO阳极器件相比具有显著提升的性能。

关键词：太阳能电池透明导电薄膜氧化铟材料有机光伏器件氟化镱掺杂

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应力调控的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究

应力调控的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：黄呈橙许福军许正昱王嘉铭张霞王新强沈波北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

高铝组分AlxGa1-xN/GaN (x＞O.3)多量子阱结构由于在紫外LED、3-5lμm大气窗口波段的光电探测和1.3μm及1.55U m的光通信波段器件上具有巨大的应用前景，目前正成为国际上的研究热点。然而高Al组分AlGaN/GaN多量子阱结构生长困难，主要... 详细信息

高铝组分AlxGa1-xN/GaN (x＞O.3)多量子阱结构由于在紫外LED、3-5lμm大气窗口波段的光电探测和1.3μm及1.55U m的光通信波段器件上具有巨大的应用前景，目前正成为国际上的研究热点。然而高Al组分AlGaN/GaN多量子阱结构生长困难，主要在于其和GaN模板之间存在巨大的晶格失配和热失配，导致多量子阱结构开裂，同时应力导致量子阱界面退化和组分不均匀。本文提出两种应力调控的插入层方法，很好地实现了应力释放，生长出无裂纹的AlGaN/GaN多量子阱结构，并研究了两种应力调控插入层的应力释放方式和生长动力学过程。

关键词：化合物半导体材料多量子阱结构应力调控生长特性

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微米级线宽双台面套准精度的研究

微米级线宽双台面套准精度的研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：王雯陈刚陈谷然李理南京电子器件研究所南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 210016

在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。... 详细信息

在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并且厚层介质掩膜生长后，为形成大台面而造成的套准精度的控制将严重影响SiC双台面结构的图形转移。由于台面线宽在微米量级，因此套准精度控制不好就会造成SiC器件的短路问题。本论文通过对厚层介质掩膜下小台面与其上大台面光刻套准精度的研究，得到了优化后的光刻条件，使大台面与小台面之间的图形转移偏移量由lOOnm降至20nm以内，刻蚀后形成的SiC大台面与小台面套准良好，用于自主外延的SiC片制作的相关器件得到了良好结果。

关键词：碳化硅半导体器件制造线宽双台面光刻工艺套准精度厚层介质

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